生物分离工程第十一章结晶.ppt

Chapter 11 结 晶 Crystallization,Knowledge points,The definition of crystallization结晶的概念 The crystallizing operation 结晶操作的特点 Kelvin formula凯尔文公式的内容 Saturation temperature curve and over saturation temperature curve饱和温度曲线和过饱和温度曲线 The crystallizing conditions of solute in solution溶液中晶体析出的条件 The affecting elements of crystal formation影响晶体形成的主要因素 The effects of seed crystal 晶种的作用 The formation methods of over saturate solution过饱和溶液形成的方法 The diffusion theory of crystal growth and its significant晶体生长的扩散学说及其具体意义 The popular industrial crystalizing methods常用的工业起晶方法 The affect elements of the crystal quality 影响晶体质量的因素 Re-crystallization重结晶的概念,结晶的概念,溶液中的溶质在一定条件下，因分子有规则的排列而结合成晶体，晶体的化学成分均一，具有各种对称的晶体，其特征为离子和分子在空间晶格的结点上呈规则的排列 固体有结晶和无定形两种状态 结晶 析出速度慢，溶质分子有足够时间进行排列，粒子排列有规则 无定形固体 析出速度快，粒子排列无规则,几种典型的晶体结构,/wiki/%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%BB%93%E6%9E%84,结晶操作的特点,只有同类分子或离子才能排列成晶体，因此结晶过程有良好的选择性。 通过结晶，溶液中大部分的杂质会留在母液中，再通过过滤、洗涤，可以得到纯度较高的晶体。 结晶过程具有成本低、设备简单、操作方便，广泛应用于氨基酸、有机酸、抗生素、维生素、核酸等产品的精制。,结晶过程分析几个概念,饱和溶液：当溶液中溶质浓度等于该溶质在同等条件下的饱和溶解度时，该溶液称为饱和溶液； 过饱和溶液：溶质浓度超过饱和溶解度时，该溶液称之为过饱和溶液； 溶质只有在过饱和溶液中才能析出,凯尔文（Kelvin）公式,C2-小晶体的溶解度； C1-普通晶体的溶解度 -晶体与溶液间的表面张力；-晶体密度 c-过饱和度下晶体的临界半径； R-气体常数； T-绝对温度,溶质溶解度与温度、溶质分散度（晶体大小）有关。,结晶过程的实质,结晶是指溶质自动从过饱和溶液中析出，形成新相的过程 这一过程包括： 溶质分子凝聚成固体 分子有规律地排列在一定晶格中 这一过程与表面分子化学键力变化有关； 因此，结晶过程是一个表面化学反应过程。,晶体的形成,形成新相（固体）需要一定的表面自由能。因此，溶液浓度达到饱和溶解度时，晶体尚不能析出，只有当溶质浓度超过饱和溶解度后，才可能有晶体析出。 首先形成晶核，由Kelvin公式，微小的晶核具有较大的溶解度。实质上，在饱和溶液中，晶核是处于一种形成溶解再形成的动态平衡之中，只有达到一定的过饱和度以后，晶核才能够稳定存在。,结晶的步骤,过饱和溶液的形成 晶核的形成 晶体生长 其中，溶液达到过饱和状态是结晶的前提；过饱和度是结晶的推动力。,温度与溶解度的关系,由于物质在溶解时要吸收热量、结晶时要放出结晶热。因此，结晶也是一个质量与能量的传递过程，它与体系温度的关系十分密切。 溶解度与温度的关系可以用饱和曲线和过饱和曲线表示,饱和曲线和过饱和曲线,稳定区和亚稳定区,在温度-溶解度关系图中，SS曲线下方为稳定区，在该区域任意一点溶液均是稳定的； 而在SS曲线和TT曲线之间的区域为亚稳定区，此刻如不采取一定的手段（如加入晶核），溶液可长时间保持稳定； 加入晶核后，溶质在晶核周围聚集、排列，溶质浓度降低，并降至SS线； 介于饱和溶解度曲线和过饱和溶解度曲线之间的区域，可以进一步划分刺激结晶区和养晶区(CP, p410),不稳定区,在TT曲线的上半部的区域称为不稳定区，在该区域任意一点溶液均能自发形成结晶，溶液中溶质浓度迅速降低至SS线（饱和）； 晶体生长速度快，晶体尚未长大，溶质浓度便降至饱和溶解度，此时已形成大量的细小结晶，晶体质量差； 因此，工业生产中通常采用加入晶种，并将溶质浓度控制在养晶区，以利于大而整齐的晶体形成。,影响溶液过饱和度的因素,饱和曲线是固定的 不饱和曲线受搅拌、搅拌强度、晶种、晶种大小和多少、冷却速度的快慢等因素的影响,结晶与溶解度之间的关系,晶体产量取决于溶液与固体之间的溶解析出平衡； 固体溶质加入未饱和溶液溶解； 固体溶质加入饱和溶液平衡（Vs=Vd） 固体溶质加入过饱和溶液晶体析出,过饱和溶液的形成(一）,热饱和溶液冷却（等溶剂结晶） 适用于溶解度随温度升高而增加的体系；同时，溶解度随温度变化的幅度要适中； 自然冷却、间壁冷却（冷却剂与溶液隔开）、直接接触冷却（在溶液中通入冷却剂） 部分溶剂蒸发法（等温结晶法） 适用于溶解度随温度降低变化不大的体系，或随温度升高溶解度降低的体系； 加压、减压或常压蒸馏,真空蒸发冷却法 使溶剂在真空下迅速蒸发，并结合绝热冷却，是结合冷却和部分溶剂蒸发两种方法的一种结晶方法。 设备简单、操作稳定 化学反应结晶 加入反应剂产生新物质，当该新物质的溶解度超过饱和溶解度时，即有晶体析出； 其方法的实质是利用化学反应，对待结晶的物质进行修饰，一方面可以调节其溶解特性，同时也可以进行适当的保护,过饱和溶液的形成(二）,晶核的形成,晶核的形成是一个新相产生的过程，需要消耗一定的能量才能形成固液界面； 结晶过程中，体系总的自由能变化分为两部分，即：表面过剩吉布斯自由能（Gs）和体积过剩吉布斯自由能（ Gv） 晶核的形成必须满足： G= Gs+ Gv0，阻碍晶核形成； Gv0 (CP: p412, 图11.4),临界半径与成核功,假定晶核形状为球形，半径为r，则Gv=4/3(r3 Gv)； 若以代表液固界面的表面张力，则 Gs= A=4r2 ； 因此，在恒温、恒压条件下，形成一个半径为r的晶核，其总吉布斯自由能的变化为： G=4 r2(+(r/3) Gv),Gv形成单位体积晶体的吉布斯自由能变化,临界半径（rc）,临界晶核半径是指G为最大值时的晶核半径； r0，晶核不能自动形成； rrc 时， Gv占优势，故G0，晶核可以自动形成，并可以稳定生长,临界成核功（ Gmax）,Gmax相当于形成临界大小晶核时，外界需消耗的功。,临界成核功仅相当于形成临界半径晶核时表面吉布斯自由能的1/3，亦即形成晶核时增加的G s中有2/3为G v的降低所抵消,晶核的成核速度,定义：单位时间内在单位体积溶液中生成新核的数目。 是决定结晶产品粒度分布的首要动力学因素； 成核速度大：导致细小晶体生成 因此，需要避免过量晶核的产生,成核速度的近似公式,B成核速度; Gmax成核时临界吉布斯自由能; K常数,Kn晶核形成速度常数 c溶液中溶质的浓度 C*饱和溶液中溶质的浓度 n成核过程中的动力学指数,常用的工业起晶方法,自然起晶法：溶剂蒸发进入不稳定区形成晶核、当产生一定量的晶种后，加入稀溶液使溶液浓度降至亚稳定区，新的晶种不再产生，溶质在晶种表面生长。 刺激起晶法：将溶液蒸发至亚稳定区后，冷却，进入不稳定区，形成一定量的晶核，此时溶液的浓度会有所降低，进入并稳定在亚稳定的养晶区使晶体生长。 晶种起晶法：将溶液蒸发后冷却至亚稳定区的较低浓度，加入一定量和一定大小的晶种，使溶质在晶种表面生长。 该方法容易控制、所得晶体形状大小均较理想，是一种常用的工业起晶方法。,晶种控制,晶种起晶法中采用的晶种直径通常小于0.1mm；晶种加入量由实际的溶质附着量以及晶种和产品尺寸决定,Ws，Wp晶种和产品的质量，kg Ls，Lp晶种和产品的尺寸，mm,晶体生长的扩散学说及速度,晶体生长的扩散学说 溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一个滞流层，从溶液中转移到晶体的表面； 到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶体增大，同时放出结晶热； 结晶热传递回到溶液中,根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差； 而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值,扩散方程,扩散过程,表面反应过程, 质量传递速度,Kd扩散传质系数 Kr表面反应速度常数 C，Ci，C*分别为溶液主体浓度、溶液界面浓度、溶液饱和浓度,将以上二式合并，可以得到总的质量传递速度方程：,其中,当Kr很大时，K近似等于Kd，结晶过程由扩散速度控制； 反之Kd很大，K近似等于Kr，结晶过程由表面反应速度控制；,为了简化方程的应用，可以假定晶体在各个方向的生长速率相同，这样就可以任意选择某一方向矢量的变化，来衡量晶体体积的变化，公式就可以简化为：,l：特性晶体长度；m：单晶质量；：单晶密度；A：单晶面积,影响晶体生长速度的因素,杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢； 搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成； 温度：促进表面化学反应速度的提高，增加结晶速度；,晶体纯度计算,分离因素 Ep结晶因素，晶体中纯的量与其在滤液中的量的比值 Ei结晶因素，晶体中杂质的量与其在滤液中的量的比值,晶体按其内部结构可分为7大晶系（三斜晶系、单斜晶系、正交晶系、四方晶系、立方晶系、三方晶系、六角晶系）和14种晶格类型。晶体都有一定的对称性，有32种对称元素系，对应的对称动作群称做晶体系点群。 按照内部质点间作用力性质不同，晶体可分为离子晶体、原子晶体、分子晶体、金属晶体等4大典型晶体。,晶体大小分布,晶体群体密度 结晶过程中产生的晶体大小不是均一的。因此，需要引入群体密度的概念来加以描述：,N单位体积中含有颗粒尺寸从0l（粒度）的各种大小晶体的数目,连续结晶过程的晶群密度分布,是分析连续结晶器操作过程的最佳近似法,n晶群密度 no 粒度l趋近于0时的晶群密度 Q晶浆流出速率 V结晶器有效装液容积,晶体大小,Q晶浆流出速率 V结晶器有效装液容积 Gr晶体生长速度,提高晶体质量的方法,晶体质量包括三个方面的内容： 晶体大小、形状和纯度 影响晶体大小的因素： 温度、晶核质量、搅拌等 影响晶体形状的因素： 改变过饱和度、改变溶剂体系、杂质 影响晶体纯度的因素： 母液中的杂质、结晶速度、晶体粒度及粒度分布,晶体结块,晶体结块是一种导致结晶产品品质劣化的现象，导致晶体结块的主要原因有： 结晶理论：由于某些原因造成晶体表面溶解并重结晶，使晶粒之间在接触点上形成固体晶桥，呈现结块现象； 毛细管吸附理论：由于晶体间或晶体内的毛细管结构，水分在晶体内扩散，导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结块。,重结晶,经过一次粗结晶后，得到的晶体通常会含有一定量的杂质。此时工业上常常需要采用重结晶的方式进行精制。 重结晶是利用杂质和结晶