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第二章习题解 2-1.已知真空中有四个点电荷,分别位于(1,0,0),(0,1,0),(-1,0,0,),(0,-1,0)点,求(0,0,1)点的电场强度。 解:设, 2-2.已知线电荷密度为的均匀线电荷围成如图所示的几种形状,求P点的电场强度。 (a) (b) (c) 题2-2图解:(a) 由对称性(b) 由对称性(c) 两条半无限长线电荷产生的电场为 半径为a的半圆环线电荷产生的电场为 总电场为2-3.真空中无限长的半径为a的半边圆筒上电荷密度为,求轴线上的电场强度。解:在无限长的半边圆筒上取宽度为的窄条,此窄条可看作无限长的线电荷,电荷线密度为,对积分,可得真空中无限长的半径为a的半边圆筒在轴线上的电场强度为 题2-3图 题2-4图2-4.真空中无限长的宽度为a的平板上电荷密度为,求空间任一点上的电场强度。解: 在平板上处取宽度为的无限长窄条,可看成无限长的线电荷,电荷线密度为,在点处产生的电场为 其中 ;对积分可得无限长的宽度为a的平板上的电荷在点处产生的电场为 2-5.已知电荷分布为 r为场点到坐标原点的距离,a,b为常数。求电场强度。解: 由于电荷分布具有球对称性,电场分布也具有球对称性,取一半径为 r 的球面,利用高斯定理 等式左边为 半径为 r 的球面内的电量为因此,电场强度为 2-6.在圆柱坐标系中电荷分布为r为场点到z轴的距离,a为常数。求电场强度。解: 由于电荷分布具有轴对称性,电场分布也具有轴对称性,取一半径为 r ,单位长度的圆柱面,利用高斯定理 等式左边为 半径为 r 的圆柱面内的电量为因此,电场强度为 2-7. 在直角坐标系中电荷分布为 求电场强度。解: 由于电荷分布具有面对称性,电场分布也具有面对称性,取一对称的方形封闭面,利用高斯定理,穿过面积为 S的电通量为,方形封闭面内的电量为 因此,电场强度为 题2-9图 题2-7图 2-8. 在直角坐标系中电荷分布为 求电场强度。解: 由于电荷分布具有面对称性,电场分布也具有面对称性,取一对称的方形封闭面,利用高斯定理,穿过面积为 S的电通量为,方形封闭面内的电量为 因此,电场强度为 2-9.在电荷密度为(常数)半径为a的带电球中挖一个半径为b的球形空腔,空腔中心到带电球中心的距离为c(b+ca 对于r0半空间为介电常数为的介质,z0半空间为介电常数为的介质,当(1)电量为q的点电荷放在介质分界面(2)电荷线密度为的均匀线电荷放在介质分界面求电场强度。解:(1)电量为q的点电荷放在介质分界面 以点电荷为中心作以半径为r的球,利用高斯定理 设上、下半球面上的电位移矢量分别、,根据对称性,在上、下半球面上大小分别相等,有 =根据边界条件,因此 (2)电荷线密度为的均匀线电荷放在介质分界面 以线电荷为轴线作以半径为r单位长度的圆柱面,利用高斯定理 设上、下半柱面上的电位移矢量分别、,根据对称性,在上、下半柱面上大小分别相等,有=根据边界条件,因此 2-30.面积为A,间距为d的平板电容器电压为V,介电常数为厚度为t的介质板分别按如图a、b所示的方式放置在两导电平板之间。分别计算两种情况下电容器中的电容、电场及电荷分布。 题2-30图解:(a)设导体板之间介质与空气中的电场分别为、,那么、满足关系 (边界条件)求解以上两式得 ; 根据导体表面上的边界条件,在上、下导体表面上的电荷面密度为 电容为 (b) 由图可见,导体板之间介质与空气中的电场为 根据导体表面上的边界条件,在上、下导体板与空气的界面上的电荷面密度为 在上、下导体板与介质的界面上的电荷面密度为 电容为 2-31.电荷分布为 在x=0处电位为0,求电位分布。解:由电荷分布可知,电位仅是x的函数,电位满足的方程为其通解为在 在 在 设,根据边界条件;当时,电荷分布可看成薄层,薄层外电场具有对称分布,即得即 2-32.两块电位分别为0和V的半无限大的导电平板构成夹角为的角形区域,求该角形区域中的电位分布。解:由题意,在圆柱坐标系中,电位仅是的函数,在导电平板之间电位方程为 其通解为 由边界条件,得 c b a 题2.32图 题2.31图2-33.由导电平板制作的金属盒如图所示,除盒盖的电位为V外,其余盒壁电位为0,求盒内电位分布。解:用分离变量法,可得电位的通解为 利用边界条件,可求出系数 (m、n为奇数) (m、n为偶数) 题2-33图 题2-34图2-34.在的匀强电场中沿z轴放一根半径为a的无限长导电圆柱后,求电位及电场。解:由分离变量法,无限长导电圆柱外的电位的通解为 (1)设,当时的电位等于无导电圆柱的电位,即 (2)要使式(1)的电位在时等于式(2),可得到系数 ,再由导体界面的边界条件得 因此,电位的特解为 2-35.在无限大的导电平板上方距导电平板h

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