半导体产业的分析状况

树 德 科 技 大 学工业管理系高科技产业研究-半导体产业分析期末作业学生： 姚永纮 周英吉 萧智威指导教授：陈永璋 教授一、绪论半导体是电子产品的重要零组件，因此一国半导体产业之盛衰，代表其电子产业兴盛与否，半导体产业强大者，即表示其电子产品也立于不败之地:半导体产业是高技术密集及高资本密集的产业，故半导体技术能力，也展现了一个国家在科技产业上之地位；为什么美、日、韩、及欧洲工业化国家各政府每年均大幅支持其国内半导体产业研发，将其列为优先发展产业?此为其主要原因吧!我国电子产业在政府长期支持及业者努力下，已是我国第一大产业，其赖以持续成长之要件在于国内半导体产业技术国际竞争能力，面对国际强烈之竞争环境，因此我们就对此产业做深入的研究与探讨。二、半导体产业概况 半导体（Semiconductor）经过四十多年的发展，已经成为各种电子信息产品中，不可或缺的核心关键零组件，更与我们的日常生活息息相关。在信息网络、电子商务、行动通讯、生活自动化、无纸文书等高成长的趋势带动下，相关电子产品将会持续蓬勃发展，而这些产品的内部核心半导体，必将扮演更重要的角色。 半导体自1947年由贝尔实验室开发出第一颗晶体管后，为电子产品划下了历史的新页：电子产品不再靠真空管来作为核心，开始能够朝向轻、薄、短、小的新世纪迈出了一大步。而全球第一颗集成电路（Integrated Circuit; IC）则在1958年被美国德州仪器(Texas Instruments；TI)公司开发成功，从此又取代晶体管(Transistor)成为半导体世界的盟主；同时成为下游广大应用电子产品的主要关键零组件。来自. .2-1 半导体的定义与制造流程 所谓的半导体，是指在某些情况下，能够导通电流，而在某些条件下，又具有绝缘体效用的物质；而至于所谓的IC，则是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法，将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件，作在一微小面积上，以完成某一特定逻辑功能（例如：AND、OR、NAND等），进而达成预先设定好的电路功能。随着技术的进步，在一单一芯片聚集佰万颗以上晶体管的IC，已非难事。一般而言，一颗IC的完成，通常先后需经过电路设计、光罩制作、芯片制造、芯片封装和测试检查等步骤，请参考图一。IC的上市，挟其轻、薄、短、小、省电、多功能、低成本等特长，席卷大半的半导体市场，成为半导体的主流产品。若按其制程技术来区分，可大略分为Bipolar和MOS ( Metal Oxide Silicon )二大类。其中Bipolar制程技术发展较早，但集积度较低且较耗电，除少数特定用途需较快工作速度和耐较高电压的场合外；MOS制程的产品已攻占了绝大多数的应用市场。图一IC制造流程资料来源：工研院经资中心ITIS计划，2000年9月2-2 半导体产业的发展简史 1947年第一颗晶体管发明成功，结束了真空管的时代，而1958年TI开发出全球第一颗IC成功，又意谓宣告晶体管的时代结束，IC的时代正式开始。从此开始各式IC不断被开发出来，集积度也不断提升。从小型集成电路（SSI），每颗IC包含10颗晶体管的时代；一路发展MSI、LSI、VLSI、ULSI；到现在韩国、日本等半导体大厂已陆续开发出Giga级 DRAM，这也意谓着GSI时代即将开始。表一 半导体发展的大事记年度 里程碑 厂商 时代 1904 发明二极真空管 Fleming 真空管 1906 发明三极真空管 - 1947 发明晶体管 Bell Lab 晶体管 1951 采用Gallium Arsenide材料 Siemens 1953 发表硅太阳电池 Bell Lab 1954 发表Zener二极管 NS 1956 发表Silicon Controlled Rectifier General Electric 1958 首颗IC开发完成 TI SSI (101) 积 体 电 路 1961 第一颗商用IC上市 Fairchild、TI 1963 发表TTL Logic IC Sylvania 1963 发表Linear IC Fairchild、TI 1964 发表MOS IC General Microelectronics MSI (102) 1968 发表CMOS IC RCA 1969 ROM上市 Electronic Arrays 1970 计算器用单颗IC上市 TI 1970 开发1K DRAM Intel 1971 发表EPROM Intel 1972 开发Microprocessor Intel LSI (104) 1973 开发EEPROM NCR 1975 日本发表发展VLSI计划 MITI/NTT 1976 开发64K DRAM - 1978 发表语音合成IC TI LSI (104) 积 体 电 路 1980 台湾新竹科学园区设立 台湾 1980 发表DSP IC Bell Lab 1981 发表32 bit Microprocessor AT&T 1982 发表IBM PC IBM VLSI (106) 1982 正式生产256K DRAM Bell Lab 1984 开发VRAM TI 1985 1M DRAM开发完成 IBM/AT&T 1986 美日签定半导体贸易协议 DOC、MITI 1986 4M DRAM论文发表 - 1987 16M DRAM论文发表 NTT 1989 第一颗16M DRAM开发成功 Hitachi/TI 1991 64M DRAM论文发表 Fujitsu等 1992 16M Flash论文发表 NEC ULSI (108) 1993 256M DRAM论文发表 Hitachi/NEC 1993 1G DRAM论文发表 NEC GLSI (109) 资料来源：工研院经资中心ITIS计划，2000年9月2-3 半导体的分类 半导体产品可大致划分为三大类：分离式组件（Discret）、集成电路（IC）与光电组件（Optical）等，其中IC就占了半导体近九成的比重，可谓半导体的重心所在。 就目前国内的发展状况，IC几乎就等于是半导体的代名词，无论就厂商的知名度或是产值的规模，IC都遥遥领先其它的光电组件或分离式组件。IC虽然属于半导体家族中的一员，但经过四十余年的努力，却也衍生出成千成万种不同用途的IC。为了便于讨论，将依 Monolithic IC其产品特性可概分为四大类，分别为微组件(Microcomponent)IC、内存(Memory)IC、逻辑(Logic) IC和模拟(Analog)IC，请参考图二。 图二半导体家族和分类资料来源：工研院经资中心ITIS计划，2000年9月 2-3-1 微组件IC 微组件IC包括微处理器(Microprocessor；MPU)，微控制器 (Microcontroller；MCU)，微外围(Microperipheral；MPR)和可程序的数字讯号处理器(Digital Signal Processor；DSP)四大族群，如图三所示。来自. . 图三微组件IC家族成员 资料来源：工研院经资中心ITIS计划，2000年9月 2-3-2 内存IC 内存IC是IC家族中另一主要成员，依其断电后，记忆内容消失与否，又可分为挥发性(Volatile)和非挥发性(Nonvolatile)两大类外，尚有少数其它类别IC，例如FIFO(First In First Out)内存、双端口(Dual Port)内存等。不过，内存家族中仍依Volatile和Nonvolatile两者为主，主要成员前者有动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory；DRAM)和静态随机存取内存(Staic Random Access Memory；SRAM)；后者有光罩式只读存储器(Mask Read Only Memory；Mask ROM)、可抹除式内存(Erasable Programmable Read Only Memory；EPROM)、电气式可抹除内存(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory；EEPROM)和快闪式内存(Flash Memory)，请参考图四。由于内存产品通常追求高集积度，因此Bipolar制程产品在此领域份量极微。图四内存IC家族成员 资料来源：工研院经资中心ITIS计划，2000年9月 2-3-3 逻辑IC 逻辑IC在IC家族中算是较早出现的产品，尤其标准逻辑IC(Standard Logic)应是IC家族中年纪最大的，其大半只提供基本逻辑运算，例如AND、OR、NAND等，再由使用者自行组合成本身电子产品所需之电路特性。此一领域最早由Bipolar制程出发，接着MOS产品跟着出现，其后结合两者优点的BiCMOS制程亦广受欢迎一阵子。 2-3-4 模拟IC 模拟IC在IC家族中可以算是特异独行的一员，Bipolar的制程在此领域占有绝对优势，和前述各项产品(Microcomponent、Memory、Logic)恰恰相反。 尤其线性IC部份几乎不见MOS制程产品的踪影，而Mixed-Signal的产品由于内含数字的讯号，所以会有一些MOS制程的产品。2-4 与下游产业的应用关联 IC是半导体产品的主要成员，而半导体则是整个电子零组件中，主动组件的主力，电子零组件又是组成下游电子系统产品的主要部份，这些半导体、IC广泛应用于信息、通讯、消费性和其它各式电子产品，见参考图七所示。图七半导体的下游应用 微电子技术最近二十多年来进展神速，促使下游应用产品，不仅能在品质、性能方面有所提升，而且得以不断推出新的产品。尤其制程技术进入到深次微米时代，集积度已进入ULSI阶段，再加上数字讯号处理技术的成熟等因素，已使诸多新近推出的电子产品，不易用传统的信息、通讯、消费性等应用领域加以区分，反而以3C结合的产品型态居多。例如：多媒体(Multimedia)、个人数字助理(Personal Digital Assistant)、Set-Top Box、SONYs PS2等产品，既有信息产品的特质，又有通讯或消费性产品的功能。 一般外界仍将半导体的应用领域分成四大类，分别为信息用、通讯用、消费性电子和其它等，请参考图八。 图八半导体应用分类 资料来源：工研院经资中心ITIS计划，2000年9月三、半导体产业的特性及重要性3-1 半导体产业的特性 半导体是各种电子产品必须使用的关键性零组件，此外，半导体产业技术的发展也被视为国家现代化的指标之一，亚洲各国纷纷视发展半导体产业为国家重大政策之一，进而积极投入，例如在 1990 和 1995 年左右，就先后两次进行了大规模的投资，因此也掀起了内存产品（特别是DRAM）的旋风。 半导体产品可说是技术密集、资本密集行业的典范。由于制程技术的突飞猛进，目前一颗IC中，已经可以挤下上亿颗的晶体管数量，穆尔定律所谓每18个月，相同面积大小的芯片内，晶体管数量会成长一倍的规则，正是这几年来，IC产品集积度不断提升的最佳写照。 不过由于半导体产品的开发，必须集合无数的人才、资金、技术才能成功，因此近年来，包括美国、日本等先进国家的业者，也都开始进行跨国际的合作，希望藉由广泛的策略联盟，来降低投资的风险。半导体的单位价格非常的高，相对地，在营运上所必须面临的风险（例如产业景气的巨幅波动）也是非常高的。在此情况下，所谓高风险、高利润，正是半导体产业的经营特性写照。3-2 半导体产业在整体经济上的重要性 我国的半导体产业经过多年的发展，目前已稍有成就，仅次于美国、日本、韩国等三国，居全球第四位的 IC 生产大国，是我国最具发展潜力的高科技产业之一，在我国整体产业结构中也占有重要的比重。 虽然国内集成电路产业的萌芽，是自1966年由外商来台设立封装工厂开始，但当时只是以廉价的劳力作为考量，直到台湾第一家晶圆厂联电在新竹科学园区成立后，才算正式进入集成电路产业的新纪元。当初在工研院电子工业研究所从事于技术的研究开发，而科学园区则提供一个完善的设厂孕育环境，两者搭配下，包括联电、台积电、台湾光罩、世界先进等公司陆续衍生成立，把台湾的半导体产业带向了世界竞争的舞台，创造了今日硅岛的杰出成就。 尤其是在1990年代开始，国内多家半导体晶圆制造厂陆续成立，不仅带动IC上下游产业，包括设计、封装、测试业产值起飞，而且相关产业晶圆材料、设备、化学品、光罩等业别也趁势兴起，因而奠定了台湾现在是全世界第四大IC供应大国的杰出地位。 若就国民生产毛额 （ G D P） 的观点而言，在 1999 年时，我国电子业占总体制造业的比重（GDP基础）为 25.9%，IC则占电子业的 19.97%（如表四所示）。虽然比重还不算太高，但是其影响力却非常的大。举例来说，在国内的证券集中市场或店头市场，IC相关类股的成交量与价格走势，对于大盘都有很明显、直接的影响，台积电、联电等公司的资本额、市值，更是国内上市上柜公司中极为庞大、最具影响力的公司。来自. .表四 IC 占 GDP 的份量 单位： 年度制造业GDP电子业制造业电子业199527.919.817.6199627.922.518.4199727.823.019.0199827.424.419.3199926.425.920.0资料来源：行政院主计处，工研院经资中心ITIS计划，2000年9月 此外，就国内的制造业而言，科技业已成为未来发展的主力所在，科技实力更是评估一个国家竞争力强弱的重要指标。而新竹科学园区可说是国内高科技产业的重心所在，尤其对台湾的集成电路产业而言，几乎所有的晶圆厂及为数甚多的IC设计业、测试业者，均于科学园区内设立有据点，至于设在科学园区附近的公司，也是多如牛毛。因此，若要探讨IC产业在台湾的重要性，那么拿它来与全国科技重心所在的新竹科学园区的其它高科技产业一并比较，应该是个相当好的指标。 在今日的新竹科学园区六大产业中，单单集成电路产业的营业额高达新台币3,608元，就占园区总产值6,509亿的55.43%，比重之大、贡献之高，以上数字说明一切（参考表五,表六,表七,表八,表九）。而在园区六大产业的总研发经费245亿元中，集成电路产业更占了其中的68.73%，在园区实收资本额5,660亿元中，集成电路产业也占了71.76%，因此，若说台湾的产业应该朝向资本密集、技术密集的路线来发展，那么由以上数据来看，集成电路产业正可以说是其中的典范了。 表五 科学园区历年劳动生产力分析依产业类别区分 单位:新台币百万元/人 年产业类别 平均 集成电路 计算机及外围 通讯光电精密机械 生物技术 1995 6.58 10.9 4.18 3.07 2.39 0.87 7.08 19965.32 8.55 4.39 3.26 2.58 1.11 5.8 19975.3 8.17 5.56 3.98 2.64 1.35 5.84 19985.6 9.62 5.12 3.89 4.83 1.55 6.26 19997.47 12.15 6.11 4.63 4.12 1.57 7.86 资料来源：科学园区管理局，2000年9月 表六 科学园区历年就业员工数之成长-依教育程度区分单位:人 年 教育程度 总计 平圴年龄 博士 硕士 学士 专科 高中 其它 1995 521 4,837 7,852 9,624 16,012 3,411 42,257 30.1 1996 699 6,699 10,875 13,843 18,239 4,451 54,806 30.55 1997 839 8,488 12,950 17,409 21,780 6,944 68,410 30.58 1998 985 10,033 14,329 19,177 23,029 5,070 72,623 31.11 1999 1,078 13,494 17,973 19,618 25,310 5,349 82,822 31.35 资料来源：科学园区管理局，2000年9月 表七 科学园区历年就业员工之成长-依产业别区分单位:人 年 产业类别 总计 集成电路 计算机及外围 通讯 光电 精密机械 生物技术 1995 22,496 11,148 4,071 3,270 1,041 231 42,257 1996 29,510 14,187 4,385 5,386 1,070 268 54,806 1997 37,681 17,263 4,877 6,994 1,295 300 68,410 1998 41,253 16,623 5,170 7,657 1,554 366 72,623 1999 48,284 16,529 5,299 11,110 1,165 435 82,822 资料来源：科学园区管理局，2000年9月 表八 科学园区营业额之成长-依产业别区分单位:台币亿元 年产业类别总计 成长率 % 集成电路计算机及外围 通讯光电精密机械生物技术1995 1,479.50 1,215.44 170.02 100.29 24.92 2.01 2,992.18 68.32 1996 1,570.53 1,212.37 192.63 175.34 0.27 2.47 3,181.47 6.36 1997 1,998.84 1,409.62 271.32 278.49 34.14 4.04 3,996.46 25.61 1998 2,308.29 1,598.94 264.48 297.6 75.02 5.69 4,550.02 13.87 1999 3,608.01 2,008.96 323.99 513.88 47.95 6.65 6,509.44 43.1 资料来源：科学园区管理局，2000年9月 表九 科学园区历年研究发展经费之支出-依产业类别区分单位:新台币百万元 项目 年 产业类别 总计 集成电路 计算机及外围 通讯 光电 精密机械 生物技术 研发经费 1988 412 1,191 276 17 16 16 1,928 1989 777 1,375 250 38 84 17 2,536 1990 1,294 1,598 411 38 68 20 3,429 1991 1,439 2,058 498 132 60 17 4,204 1992 1,950 1,580 578 178 133 39 4,458 1993 3,516 1,633 698 230 168 48 6,293 1994 4,648 2,027 954 484 154 79 8,346 1995 7,428 2,847 1,201 785 223 86 12,570 1996 11,689 3,784 1,110 974 185 82 17,824 1997 15,999 4,763 2,038 1,412 172 119 24,503 1998 21,881 5,982 1,687 1,882 242 160 31,834 研发经费 /营业额(%) 1988 6.7 4.5 6.6 3.7 6.1 3.8 5.1 1989 6.7 4 3.7 2.8 19.1 2.4 4.6 1990 9 4.6 3.2 3.5 9.8 3.9 5.4 1991 6.8 6.2 3.8 7.4 11.4 3 6 1992 6.4 4.1 5.7 13.3 10.5 8.4 5.4 1993 6.3 3 5.2 6.5 10.4 16.7 4.9 1994 5.5 2.8 6.6 9.3 6.5 19.1 4.6 1995 5 2.3 7.1 7.8 8.9 42.8 4.2 1996 7.4 3.1 5.8 5.6 6.7 27.5 5.6 1997 8 3.4 8.5 5.2 5.1 30.3 6.2 1998 9.49 3.85 5.52 6.6 3.23 21.5 7.03 资料来源：科学园区管理局，2000年9月 3-3 台湾产业现状及整体表现 根据台湾半导体协会（TSIA）第三季问卷调查结果，今年第三季我国IC总体产业产值（含设计、制造、封装、测试）为新台币二千二百三十三亿元，较去年同期成长三五七，季成长率则达二一，其中封测厂第三季营运均大幅跃进，总产值也有二成以上成长幅度，是国内各次产业中最佳的。由于市场景气仍持续好转，今年第四季我国IC总体产业产值可达二千五百三十六亿元，季成长率可维持在一四六幅度。 3-3-1 我国半导体次产业成长高于全球 根据TSIA统计，因半导体市场景气复苏推动，第三季我国半导体业均有不错的营运表现，其中设计业产值为五百亿元，较去年同期成长三八二；制造业为一千三百零九亿元，较去年同期成长三六七；封装业为三百一十五亿元，较去年同期成长二七八；测试业为一百一十亿元，年成长率达三六一。整体来说，第三季各次产业季成长率介于一七至三一不等，明显高于全球半导体各次产业平均成长率。 3-3-2 消费性、计算机相关芯片 推新品 若分析各次产业成长动力，第三季通常仍是消费性芯片与计算机相关芯片的销售旺季，加上主要厂商在新产品上的布局陆续推出成果，例如DVD播放机单芯片、数字相机芯片、数字电视芯片等，持续挹注相关业者营收；同时国内LCD厂出货量大增，LCD驱动及控制芯片业者也不错斩获；至于利基型内存产品部份，绘图卡用DDR的需求提升，挹注国内存储器设计业者营收。 3-3-3 晶圆代工接单表现 与上季持平 在晶圆代工部份，第三季台积电在信息、通讯、消费性等3C产品线接单较第二季明显提升，产能利用率、晶圆出货片数持续成长，营收季成长率达一成。联电接单上虽有联电集团IC设计公司、国外绘图芯片等订单挹注，但通讯产品线接单量下滑，所以第三季表现与第二季持平。 在DRAM部份，国内DRAM业者在十二吋厂产能及良率不断提升，以及制程技术进一步微缩的推进之下，DRAM产出颗粒持续增加，此外，计算机大厂对于景气抱持较正面的看法，DRAM价格获得推升，所以DRAM厂第三季营运均转亏为盈。 在后段封装测试市场部份，在国际IC设计公司、整合组件制造厂（IDM）大举释出封测委外代工订单下，业者接单量大增，产能利用率也冲上满载，包括高阶封测、DRAM封测等合约价都顺利调涨，因此封测厂第三季营运均大幅跃进，总产值季成长率也有二成以上成长幅度，是国内各次产业中最佳的。3-4 我国IC产业的竞争力:过去我国IC产业之所以能在国际上占有一席之地，一则是特有的垂直分工之产业体系，另一则是拥有高素质的工程师。在快速变迁的产业环境，以及日益扩大的资本设备支出需求之下，我国独特之专业分工体系，从设计、制造、封装和测试等上下游环节相互支持下，应该具有相当高的国际竞争力。 一方面是完整半导体产业炼之群聚效果显著，尤其专业晶圆代工制造业实力坚强，可带动上下游产业发展；厂商营运也以富弹性、相对成本优势著称。另一方面，我国IC产业在下游PC产业之奥援下，也使得整体产业得以持续成长。然而我们也必须注意到，由于国内IC产品同构型过高，加上技术上在模拟、高频、系统等领域相对薄弱，这方面我国业者仍应加强与国外公司技转或合作，以缩短与先进国在技术上的差距，并提高产品的附加价值。 3-5 产业面临之问题与挑战台湾信息产业近年来外移情况严重，大陆急起直追，其计算机硬件产值已超越台湾，登上世界第三宝座。在IC制造业方面，大陆已量产的晶圆厂包括8吋厂一座，及6吋厂、5吋厂数座，产能供给能力远低于内需市场的需求，因此进口替代是其发展重点，同时也藉由庞大的内需市场来吸引包括台湾在内的全球主要大厂进驻，以内需市场作为主要的谈判筹码；在封装、测试方面，目前大陆尚未有专业的测试厂（以隶属于封装厂为主），因此，短期内台湾虽仍保有一定的优势，但长期来看，应积极发展附加价值高的科技相关产业，已强化台湾本土厂商的优势，达到根留台湾，放眼全世界的目标。 四、各主要国家概况4-1 日本IC产业发展 日本半导体业的发展始于1963年。当年日本电气公司（NEC）自美国Fairchild公司取得planar technology的授权。日本政府要求NEC将取得的技术和国内其它厂商分享。由此项技术的引进，日本的NEC、三菱、京都电气等乃开始进入半导体产业。 日本半导体业的起飞在1970年代，其主要的支撑力量来自桌上型计算器（calculator）的大幅成长。日本业界原使用双极集成电路（bipolar IC）生产桌上型计算器所须的IC，该项技术德仪居领导地位；但RCA公司所开发的MOS（metal oxide semiconductor）技术为业界提供新选择。虽然双极IC的速度较快，但MOS IC较省电，而且技术复杂的程度较低。NEC率先投入MOS IC的开发，以避开和德仪竞争，并在日本国内市场取得领先地位。 在1970年代日本半导体业界大量投入MOS技术的开发及设备投资。例如在1973年的设备投资较1972年增加65%，而营业额亦成长46%，R&D的投入则占记忆性半导体（MOS技术的主要用途）的19.7%（包括政府的补助金）（Keith and Wheatley 1991）。但1970年代的发展主要仍以供应国内需求为主，尤其是桌上型计算器的内存需求。除此之外，日本业界也以bipolar的技术开发出音响及电视机使用的线性集成电路（linear IC），并开始运用CMOS（complementary metal oxide semiconductor）于电子表等用途。1976-1979年日本业界在政府支持下投入超大规模集成电路（VLSI）的研发，因而在CMOS的技术上有所突破。 1979年是日本半导体业发展的突破点，当年日本出口的随机存取内存（RAM）大幅增加，主要是当年IBM出人意表的决定自市场购入16K的RAM，过去IBM的重要零件一向采内制的策略。在此同时，领导厂商德仪在生产上出现良率的问题，而其它厂商如Intel又对RAM的生产减码，造成美国国内市场供不应求的现象，日本厂商乃大举进入美国市场。在1979年日本厂商在美国16K RAM市场的占有率达到40%，以NEC、日立及富士通为最主要供应者；美国厂商则仅Mostek保持市场占有率第一的位置。 自1980年代开始，日本厂商以大量投资、大量生产的策略，在RAM市场，尤其是DRAM市场上取得绝对的优势地位。不仅在美国市场、在欧洲及亚洲市场也都居于领先地位。美国厂商在日本的强力竞争下，纷纷退出DRAM的生产，包括Fairchild、National Semiconductor、Motorola等均自DRAM市场上撤退。1986年美国政府透过贸易谈判要求日本业界减少对美国半导体的出口，并开放国内市场，使外国半导体在日本市场的占有率达20%。此项美日半导体协议为起步较晚，摇摇欲坠的韩国半导体业开启了一扇大门，使韩国半导体销售大幅成长。 1990年代是韩国半导体业大幅成长的时期，1993年韩国半导体的龙头三星首度取得全世界DRAM生产量第一的宝座，压倒日本的NEC。日本半导体虽然面临韩国的强烈竞争，但在1995年之前，成长仍然相当良好。但1996年后世界半导体景气陷于低迷，日本业界开始出现大幅赤字，引发了一波大幅度的产业重整。许多主要生产厂商如三菱、冲电气决定退出DRAM的生产；日立、东芝、富士通均开始调整策略，降低DRAM生产的比重并增加委外生产的比例，这波调整风潮造就了和台湾半导体厂商密切合作的机会（详第三章第三节），也使得日本厂商在全球DRAM的市场占有率由1980年代中期的90%下跌到1999年的25%左右。1999年日本各大半导体厂虽在DRAM及其它内存价格上涨及景气回复下，纷纷由亏转盈，但日本前几年设备投资的下滑，已影响到日本半导体产业的竞争力，日本业界为提升产品的国际竞争力，除了联合国内同业合资设厂，如NEC与日立合资成立DRAM制造厂，也将未来生产的重心转移到系统LSI及闪存等其它非主流产品上，以期取得市场竞争优势，并降低公司财务受DRAM价格大起大落影响的程度。4-2 韩国IC产业发展的历程 韩国半导体业的发展始于1974年，在一位韩裔的美国工程师Ki-dong Kong的推动下，由一家韩国企业Korea Engineering and Manufacturing Co.与美国企业Integrated Circuits International Inc.合资设立韩国半导体（Korea Semiconductor），由韩方及美方各持股一半。嗣后三星电子公司于1975年买下韩方50%的股权，并于1978年买下美方另50%的股权，使韩国半导体成为三星的子公司并改名为三星半导体通信公司。三星半导体开始时以生产电子表、微波炉、计算器等使用的IC为主，并在1978年开发出线型IC的技术（Hong 1997, p.92）。三星半导体的出现是韩国半导体业发展的里程碑，因为自此开始韩国半导体业的发展即以财团为中心而展开。 除三星之外，金星社（Goldstar）先在1975年成立半导体事业部，其后在1979年设立金星半导体（Goldstar Semiconductor）为独立公司，购并大韩电线电缆（Taehan Electric Wires）于1976年设立的大韩半导体（Taehan Semiconductor），并自日本富士通取得技术授权。另外一家大财团现代，则直到1982年才宣布大举投入半导体产业，在此之前现代完全没有电子业生产的经验。韩国半导体业早期的生产技术主要来自美、日两国。三星电子于1983年在美国硅谷设立子公司Tristar Semiconductor，投资600万美元，招募技术人员从事半导体技术的研发。金星则于1981年派遣大批技术人员到美国的Western Electric及Honeywell移转技术，并于1986年接收韩国电子技术研究所（KIET）的IC实验工厂，并与日本的日立签约，引进1M及4M DRAM的技术，同时为日立代工生产DRAM。现代也于1984年在美国硅谷设立Modern Electrosystems，从事半导体技术的开发。在1982-1986年间，韩国半导体业共与外国企业签署了53项技术移转合约（Hong 1997, p.101），大部份来自美国及日本。例如三星即签署了19项技术引进合约，包括自日本Sharp引进16K SRAM技术，自美国Micron引进64K及256K DRAM技术，自美国SSI引进64K SRAM、64K EPROM、1M DRAM技术等。来自. . 韩国半导体业自开创开始即惨淡经营，赤字累累，在1985年因世界半导体市场的低迷，经营更陷入困境。那时市场的主流产品64K DRAM的价格，由1984年时的每颗4美元跌到1985年只剩0.8美元，但韩国半导体业在大财团的支持下仍然继续投资。终于在1986年因为美日半导体协议，日本半导体厂商减产，使国际半导体价格回升，同时由于日本业者出口的受限，使韩国业者抢占美国及日本的市场，因而得以起死回生。 在产品的策略方面，三星自1980年代初期即将主力产品设定为DRAM，自Sharp与Micron等引进技术后，大力投入DRAM的开发，自1984年推出64K DRAM以来，即不断投资以扩大产能，取得最新的生产技术。1985年遭遇世界性半导体市场的低迷，1986年因美日半导体协议获得喘息机会，但1987年又景气低迷，三星仍持续投资于256K（于1985年开始量产）及1M DRAM的技术开发，1988年半导体业景气复苏，三星因为设备投资已完成，乃顺利进入1M DRAM的量产；1990年三星开始量产4M DRAM，并取得市场的领先地位。三星选择DRAM为主力产品，是基于下述三项理由（Kim, 1998）：1. 市场规模DRAM市场规模很大，因此发展潜力大。三星曾经考虑SRAM，但因SRAM市场规模小而放弃。2. 日本经验日本半导体业亦以DRAM为主力产品，成功的以后进国追上美国的技术。3. 技术考量相对于微处理器（microprocessor）或特途用途（application-specific）IC而言，DRAM所需的设计技术较为单纯，三星认为在可行的范围之内。其它半导体业者在开始时或有不同考量，但后来都殊途同归。例如现代在开始时选择SRAM为主产品，以回避和日本业者的直接竞争，但后来难以有所突破，乃于1985年转换轨道，改以DRAM为主产品，并以代工生产为主策略。自1986年开始，现代先后为通用器材（General Instrument）的EPROM及德仪（Texas Instruments）的256K DRAM代工，这项代工业务终于使现代自1988年开始转亏为盈。 金星在开始时选择以逻辑产品为主力，产品相当分散，而且以供应企业内的需求为主，但此一策略亦遭致失败。金星看到三星在DRAM方面的成功，所以也自1989年开始转入DRAM的生产。为了追赶上三星，金星自日本日立公司引进DRAM技术，并且为日立代工生产。 韩国半导体厂以DRAM为主力产品，并在市场占有重要地位。以1998年为例，三星所生产的DRAM在世界市场的占有率为15.4%，居世界第一位；现代的DRAM占有率亦达11.4%，居世界第三位，LG的世界市场占有率则为7.9%，居世界第五位。三家韩国半导体厂合计，在DRAM市场的占有率为34.7%，稳居世界领先地位。 1998年韩国因遭遇严重的金融危机，各大财团在政府强力的要求下，纷纷进行大幅度的改革与重整。由于资金取得困难，加上全球半导体市场仍不景气，使得1998年韩国半导体大厂均减缓投资的脚步；但随着1999年半导体景气的复苏及韩国主要产品DRAM价格的大涨，使得韩国半导体厂均大赚其钱，并大幅增加对设备及研发的投资，以三星为例，1999年半导体的设备投资高达18亿美元，高于任何一家日本半导体大厂。韩国虽然经过金融风暴的洗礼，但幸运的是刚好碰到半导体的景气复苏，让韩国厂商有一喘息的机会，而设备投资能力的增加已避免其在国际竞争的赛局中提早出局。五、台湾的主要厂商来自.资料搜索网 . .5-1公司概况 台湾IC厂商的信用强度差异甚大。最大的两家厂商台积电与联电，独占鳌头，不论在客户关系、生产管理、产能以及制程技术上均相当强健。相较之下，部份较小的业者则因仰赖统一规格化的DRAM生产，以及庞大的权利金费用，因此业务风险较高。5-2 台湾主要半导体大厂5-2-1 台积电 台积电成立于民国1987年，是世界最大的晶圆代工厂商，同时也是台湾半导体代工业务的先锋。该公司目前拥有两家6英吋的晶圆厂与3家8英吋的晶圆厂，并且计划在未来几年内积极的扩充产能。台积电过去一向保持强健的资产负债表与高营运获利，但最近的财务表现仍免不了受到产业景气趋缓的影响。台积电公布1998年的净获利为新台币153亿元，比前一年的新台币179亿衰退。1998年的总销售收入为新台币502亿元，比前一年的439亿元高。5-2-2联电 联电成立之初，原本以生产计算机及IC通讯产品为主，现已转型为专精于晶圆代工的厂商。联电借着与主要的IC设计公司建立合资关系，以确保未来的晶圆代工需求。未来联电将增加三个0.25微米的8吋晶圆厂，使1999年的8英吋晶圆生产量应可加倍成长。联电的净现金部位相当强，但获利却正在恶化。该公司最近向下修正了1998年的税前获利为新台币42亿元，较1997年减少了57%。管理阶层认为获利下降是由于全球DRAM需求的不振，以及单位产品价格与外汇波动所致。5-2-3 华邦电子 华邦电子成立于1987年，属于华新丽华集团。该公司的主力产品原本是SRAM（静态随机存取内存），不过，为了追求长期成长及产品多元化，该公司也开始跨入DRAM生产领域。在日本东芝的技术协助下，华邦电子建造了两座8英吋的晶圆厂，以生产64MB与256MB的DRAM。在1998年底开始量产后，东芝将买下头两年大多数的产品。华邦最近宣布该公司1998年出现新台币3亿6400万元的损失，和早先预期将出现2亿4700万的税后盈余大相径庭。此一转变主要由于日元升值所出现庞大的外汇损失，以及因应存货价格下跌而增加的损失准备所致。5-2-4 茂硅 茂硅是1991年由两家美国的IC设计公司合并而成。成立之初，采取外包方式生产自己设计的产品；1993年，在日本冲电气公司技术协助下，才开始自行生产。茂硅大部份的产品是为电子公司量身订作的终端产品。为了取得必要的生产技术，该公司已和德国西门子公司合资成立茂德科技，以生产64MB DRAM。茂硅具有积极的财务政策，1997年负债对资本比为55%。5-2-3 力晶半导体公司 力晶半导体是力捷集团与日本三菱电子的合资企业，主要生产DRAM 并与三菱签订技术移转协议。力晶半导体将在1999年第三季开始测试128M DRAM的芯片。由于64M芯片的价格下滑。 5-2-4 宏碁半导体公司 宏碁半导体是国内最大的计算机制造商宏碁集团，以及其它国内企业的合资企业。德州仪器原先也是该公司的股东，但已在1998年初出售其持有股份。近年来，由于外汇波动以及DRAM价格疲软，宏碁半导体出现严重亏损。该公司企图藉加强高加值型逻辑IC及晶圆代工，以分散其产品线。宏碁半导体最近已向IBM取得逻辑IC技术授权。5-2-5 世界先进半导体公司 世界先进是由经济部、台积电以及数家国内企业于1994年所成立。台积电握有26.7%的股权。与其它同样专精于DRAM生产的厂商不同的是，世界先进并不仰赖国外的技术，而拥有自己的研发能力。不幸的是，其64MB DRAM之制造技术却一直落后。5-2-6 南亚科技 南亚科技是台湾最大的制造业集团台塑集团，于民国84年成立。南亚科技拥有日本冲电气技术移转执照，以生产16MB DRAM。南亚科技最近已和IBM签订64M DRAMs与256M DRAM的合约。南亚科技86年的税前损失为新台币55亿元。六、半导体产业的SWOT分析6-1 优势6-1-1 政府的支持 为了发展台湾的工业基础，政府对半导体业采取主动协助的态度。政府将半导体产业视为未来经济成长的策略性产业，因此提供研发