中文BOEHFTFTSD超解像技术资料.ppt

超级解像技術 S/D Pattern(Channel Length：3.5um) ,SK-Electronics 2012.2 制作,Introduction(1/4),利用半导体业界中广泛应用的Assist Pattern开发Mask新产品,利用Assist Pattern光回折效果，提高解像度。,Intensity,Intensity UP,无Assist Pattern,有Assist Pattern,Assist Pattern 解像极限以下的Slit,Introduction(2/4),利用Half tone型PSM,实现解像度的提升。,QZ,Phase Shift film,随Phase Shift膜，它的波長将180deg. Shift。,同样Phase,不同Phase,LineSpace界限部位的Contrast将会提升、随之解像度也会上升。,光束的抵消现象,Introduction(3/4),利用光回折效果，实现Intensity的提升。,Intensity,Binary,HTM,TOP Intensity UP,两种成分合二为一，达到Intensity提高的效果,透过率310%的 Half Tone膜,Contrast恶化,Introduction (4/4),接下来将着重介绍以下2种解像技术。,Intensity,TOP View,Side View,光振幅 分布,Reference,PS,HT,Phase Shift film,Half tone film,+,-,+,-,+,-,Simulation Results SSM,Mask Design & Condition,Mask Design,Condition,初期膜厚 ：2.2um,REF,PSM,HT,Cr,PS,HT,Cut line,Simulation Result: Intensity,Round type,Intensity Simulation,REF,PSM,HT,Simulation Result: Resolution Target 0.6um (Comparison of DOSE 、Resist Profile),DOSE比較 (EOP),Resist Profile,Unit： mj,与Ref相比，未发现任何差别,Cut_ line：X,source,channel,drain,与其它相比，HT(8%)的Contrast (Taper Angle)较低。,Simulation Result: Resolution Target 0.6um (Comparison of RTPR：Channel),PR残膜厚RangeSimulation実施。,Cutline 依赖性(x、y、r),RTPR: Channel part,与Ref相比，没有任何差别。,Simulation Result: Resolution Target 0.6um (Comparison of RTPR：Channel、 RTPR：Source Part ),PR残膜厚RangeSimulation実施。,Defocus 依赖性(0、15、30um),RTPR: Channel part,Source part (Top-Resist)： RTPR,与Ref相比，RTPR的变化幅度也没有因为Defocus而产生差距。,与Ref相比，还是未产生任何差距。未产生Top-Loss。,总结：SSM,总结,SSM类型分别和Binary，PSM，HTM相比，没有任何差别。 可以利用Binary Pattern，足可以达到窄宽效果。,Simulation Results 全解像,Simulation Result: Resolution Target 3.5um (Comparison of DOSE 、Resist Profile),DOSE比較 (EOP),Resist Profile,Unit： mj,与Ref相比,HT(8%)对产生能削减24%Dose的效果。同时削减了Tact Time。,Cut_ line：X,source,channel,drain,与其它相比，HT(8%)的 Contrast (Taper Angle)是比较小的。 PSM和HT(8%)，有些许Top-Loss。,Simulation Result: Resolution Target 3.5um (Comparison of CD：Channel、 RTPR：Source Part ),PR残膜厚RangeSimulation実施。,Defocus 依赖性(0、15、30um),CD: Channel part,与Ref相比，随着 Defocus变化，PSM的CD变化幅度约有的改善，而HT(8%)有近130nm恶化。,Source part (Top-Resist