光电检测辐射度与光度量.ppt

第一节 光辐射度量与光度量 第二节 半导体物理基础 第三节 光电效应,光辐射：通常把对应于真空中的波长在380nm到780nm范围内的电磁辐射称为光辐射。广义地讲，X射线、紫外辐射、可见光和红外辐射都可以叫光辐射。 光源：发出光辐射的物体叫光源。光电技术中的光源可分为自然光源和人造光源两类。,长波区,射线区,光学区,另一类是生理的，叫作光度学量，是描述光辐射能为平均人眼接受所引起的视觉刺激大小的强度，即光度量是具有标准人眼视觉特性的人眼所接受到辐射量的度量。,在光学中，用来定量地描述辐射能强度的量有两类:,一类是物理的，叫作辐射度学量，是用能量单位描述光辐射能的客观物理量；,1、辐射能Qe：辐射能是一种以电磁波的形式发射、传播或接收的能量，单位为J(焦耳)。,2、辐射能密度 we :光源在单位体积内的辐射能称为光源的辐射能密度。,3、辐射通量e：又称辐射功率，是辐射能的时间变化率，单位为瓦 (1W=1J/s)，是单位时间内发射、 传播或接收的辐射能。,4、辐射强度 Ie：辐射强度定义为从一个点光源发出的，在单位时间内、给定方向上单位立体角内所辐射出的能量，单位为 Wsr(瓦每球面度)，,5、辐射亮度 Le：由辐射表面定向发射的的辐射强度，除于该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。单位为 (瓦每球面度平方米) 。,6、辐射出射度Me：辐射体在单位面积内所辐射的通量，de 是扩展源表面dA在各方向上(通常为半空间立体角)所发出的总的辐射通量，单位为瓦/米2 (瓦每平方米)。,7、辐射照度Ee：投射在单位面积上的辐射通量，单位为 (瓦每平方米)。dA是投射辐射通量的面积元。,辐射照度和辐射出射度的单位相同，其区别仅在于前者是描述辐射接收面所接收的辐射特性，而后者则为描述扩展辐射源向外发射的辐射特性。 对于理想的散射面，有 Ee= Me,光谱辐射度量：光谱辐射度量也叫辐射量的光谱密度。辐射源所辐射的能量往往由许多不同波长的单色辐射所组成，为了研究各种波长的辐射通量，需要对某一波长的单色光的辐射能量作出相应的定义。光谱辐射度量是单位波长间隔内的辐射度量。,1、光谱辐射通量 ：光源发出的光在每单位波长间隔内的辐射通量，也称光谱密度或单色辐射通量。单位为(瓦每微米) 或 (瓦每纳米)。,在波长 处的光谱辐射通量为,在整个光谱内，总的辐射通量为,3、光谱辐射强度I ：光源发出的光在每单位波长间隔内的辐射强度。,2、光谱辐射出射度M：光源发出的光在每单位波长间隔内的辐射出射度。,4、光谱辐射亮度L ：光源发出的光在每单位波长间隔内的辐射亮度。,5、光谱辐射照度E ：光源发出的光在每单位波长间隔内的辐射照度。,1、关于辐射度量，正确的是（ ） A、Ee是描述扩展辐射源向外发射的辐射特性 B、Ie为从一个点光源发出的，给定方向上单位立体角内所 辐射出的辐射能 C、 对于理想的散射面，有Ee= Me D、 e是辐射能的时间变化率,小测试,在任何条件下，完全吸收任何波长的外来辐射而无任何反射的物体。吸收系数为1 。,对于各种波长的电磁波的吸收系数为常数且与波长无关的物体，其吸收系数介于0与1之间的物体。,2、什么是黑体？,3、什么是灰体？,由于大部分光源是作为照明用的，而且照明的效果最终是以人眼来评定的 ，因此照明光源的光学特性必须用基于人眼视觉的光学参数量即光度量来描述。 光度量是人眼对相应辐射度量的视觉强度值。能量相同而波长不同的光，对人眼引起的视觉强度是不相同的。,光度量只在光谱的可见波段(380nm-780nm)才有意义。,光度量中最基本的单位是发光强度单位坎德拉，记作cd，它是国际单位制中七个基本单位之一。其定义是555nm波长的单色辐射，在给定方向上的辐射强度为1683Wsr-1时，在该方向上的发光强度为lcd。,光通量的单位是流明(lm)，它是发光强度为lcd的均匀点光源在单位立体角内发出的光通量。 光照度的单位是勒克斯(lx)，它相当于lm的光通量均匀地照在1m2面积上所产生的光照度。,人眼对各种波长的光的感光灵敏度是不一样的，一般情况下，对绿光最灵敏，对红光灵敏度较差。,视见函数：国际照明委员会（CIE）根据对许多人的大量观察结果，用平均值的方法，确定了人眼对各种波长的光的平均相对灵敏度，称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V(),或称视见函数。,1、光通量 ：光辐射通量对人眼所引起的视觉强度值。,例：若在波长到d间隔之内的光源辐射通量为e, d 。则光通量为,Km为辐射度量与光度量之间的比例系数，单位为流明/瓦， Km683lm/W，它表示在波长为555nm处，即人眼光谱光视效率最大（V()=1）处,与1w的辐射能通量相当的光通量为683lm；换句话，此时1lm相当于1/683W,2、发光强度I：光源在给定方向上，单位立体角内所发出的光通量，称为光源在该方向上的发光强度。,3、光出射度M：光源表面给定点处单位面积内所发出的光通量，称为光源在该点的光出射度。,4、光照度E：被照明物体给定点处单位面积上的入射光通量，称为该点的光照度。,距离平方反比定律,用点光源照明时，被照面的照度E与光源的发光强度I成正比，而与被照面到光源的距离l的平方成反比。,证明,如果被照面不垂直于光线方向，而法线与光线的夹角为，则：,对于受到光照后成为面光源的表面来说，其光出射度与光照度成正比，其中为漫反射率，它小于1，它与表面的性质无关。,5、光亮度L：光源表面一点处的面元dA在给定方向上的发光强度dI与该面元在垂直于给定方向的平面上的正投影面积之比，称为光源在该方向上的亮度。 为给定方向与面元法线间的夹角。,6、光量Q：光通量对时间的积分，称为光量。,1、关于光度量，正确的是（ ） A、辐射通量的单位为勒克斯 B、发光强度的单位为坎德拉 C、光通量的单位为流明 D、光照度的单位为坎德拉,小测试,2、国际单位制中7个基本单位有哪些？,热力学温度（开尔文） 物质的量 （摩尔） 发光强度 （坎德拉） 长度 （米） 质量 （千克） 时间 （秒） 电流 （安培）,明视觉：锥状细胞只对亮度超过10-3cd/m2的光才敏感，其敏感的光谱范围为可见光，在555纳米处最为敏感，而且能分辨颜色。这种视觉功能称为明视觉或锥体细胞视觉； 暗视觉：亮度低于10-3cd/m2的时，杆状细胞起作用。其敏感的光谱范围为0.33微米0.73微米，在507纳米处最为敏感，不能分辨颜色。这种视觉功能称为暗视觉或夜间视觉；,对于明视觉，刺激程度平衡条件为：,其中：Km为555纳米处的光度量对辐射度量的转换常数。,光度参量,辐射度参量,对于暗视觉，刺激程度平衡条件为：,光度参量,辐射度参量,其中： 为507纳米处的光度量对辐射度量的转换常数。,一、填空题： 1、通常把对应于真空中波长在（ ）到（ ）范围内的电磁辐射称为光辐射。 2、在光学中，用来定量地描述辐射能强度的量有两类，一类是（ ），另一类是（ ）。 3、光具有波粒二象性，既是（ ），又是（ ）。光的传播过程中主要表现为（ ），但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的（ ）。,二、简答题： 1、辐射度量与光度量的根本区别是什么？ 2、辐射照度和辐射出射度的区别是什么？,三、证明题： 证明点光源照度的距离平方反比定律，两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍？,四、计算题： 已知某激光器的输出功率为3mW，波长视见函数为0.24，试计算其发出的光通量。,物体按导电能力分：导体、绝缘体和半导体。做光电器件的主要材料为半导体，电阻率在106103cm范围之内的物质称为导体；电阻率大于1012cm 以上的物质称为绝缘体；介于它们之间的物质称为半导体。, 半导体的电阻温度系数一般是负的。它对温度的变化非常敏感。 半导体的导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。 半导体的导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界作用的影响而发生非常重要的变化。,一、半导体的特性,二、能带理论,能级：在孤立原子中，原子核外的电子绕原子核运动，它们具有完全确定的能量，这种稳定的运动状态称为量子态。每一量子态所取的确定能量称为能级。介于各能级之间的量子态是不存在的。,“轨道”：电子出现几率最高的部分区域。,泡利不相容原理：在一个原子或原子组成的系统中，不能有两个相同的电子同属于一个量子态，即在每一个能级中，最多只能容纳两个自旋方向相反的电子。电子首先填满最低能级，而后依次向上填，直到所有电子填完为止。,能带：晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。,禁带：晶体中允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。,价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。,导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。,导带的底能级表示为Ec（或E-），价带的顶能级表示为Ev （或E+） ，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。,导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。,绝缘体、半导体、金属的能带图 a) 绝缘体 b) 半导体 c) 金属,半导体两端加电压后:,如果价带中填满了电子而没有空能级，在外电场的作用下，又没有足够的能量跃迁到导带，那么价带中的电子是不导电的。,如果价带中的电子在外界作用下，能够跃迁到导带中，则价带中留空位，邻近能级上的电子在电场作用下可以跃入这些空位，而在这些电子原来的能级上就出现空位。这样有些电子在原来热运动上迭加定向运动而形成电流。,由于导带中存在大量的空能级，所以在外电场的作用下，导带电子能够得到足够的能量跃迁到空的能级上，形成电流，所以导带电子是可以导电的。,价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是：能给电子提供足够能量的外界作用、电子跃入的能级是空的。,1、关于能带理论，正确的是（） A、价带是允许带 B、导带是满带 C、禁带是允许带 D、导带是允许带 2、关于半导体，错误的是（） A、电阻温度系数一般是正的 B、导电性能不受微量杂质的影响 C、对温度的变化非常敏感 D、导电性受热、光、电、磁等外界作用的影响,小测试,3、关于物体导电能力，正确的是（） A、物体导带上的电子越多，其导电能力越强。 B、物体导带上的电子越少，其导电能力越强。 C、物体价带上的电子越多，其导电能力越强。 D、物体价带上的电子越少，其导电能力越强。,单晶在一块材料中，原子全部作有规则的周期排列。 多晶只在很小范围内原子作有规则的排列，形成小晶粒，而晶粒之间有无规则排列的晶粒界隔开。,现代固体电子与光电子器件大多由半导体材料制备，半导体材料大多为晶体（晶体中原子有序排列，非晶体中原子无序排列）。晶体分为单晶与多晶：,本征半导体, 完全纯净和结构完整的半导体称为本征半导体。 在没有外界作用和绝对零度时，本征半导体的导带中没有电子，价带中没有空穴，它是不导电的。 由于半导体的禁带宽度较小，所以在外界作用下，价电子可以激发跃迁到导带中，这样本征半导体的导带中有电子，价带中有空穴，本征半导体就有了导电能力。,晶体总是含有缺陷和杂质的，而杂质原子上的能级和晶体其它原子不同，所以它的位置完全可能不在晶体能带的范围之内。,杂质半导体,N型半导体,P型半导体,N型半导体,在晶格中掺入某个硅原子被磷原子所替代，五价原子用四个价电子与周围的四价原子形成共价键，而多余一个电子，此多余电子受原子束缚力要比共价键上电子所受束缚力小得多，容易被五价原子释放，游离跃迁到导带上形成自由电子。易释放电子的原子称为施主，施主束缚电子的能量状态称为施主能级ED。 ED位于禁带中，较靠近材料的导带底EC 。 ED与EC间的能量差称为施主电离能。N型半导体由施主控制材料导电性。,P型半导体,晶体中某个硅原子被硼原子所替代，硼原子的三个价电子和周围的硅原子中四个价电子要组成共价键，形成八个电子的稳定结构，尚缺一个电子。于是很容易从硅晶体中获取一个电子形成稳定结构，使硼原子外层多了一个电子变成负离子，而在硅晶体中出现空穴。容易获取电子的原子称为受主。受主获取电子的能量状态称为受主能级EA ，也位于禁带中。在价带顶EV附近， EA与EV间能量差称为受主电离能。P型半导体由受主控制材料导电性。,N型半导体与P型半导体的比较,掺杂对半导体导电性能的影响： 半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。,(a)本征半导体(b)N型半导体(c)P型半导体,三、热平衡载流子,在一定温度下，若没有其他的外界作用，半导体中的自由电子和空穴是由热激发产生的。电子从不断热振动的晶体中获得一定的能量，从价带跃迁到导带，形成自由电子，同时在价带中出现自由空穴。在热激发同时，电子也从高能量的量子态跃迁到低能量的量子状态，向晶格放出能量，这就是载流子的复合。在一定温度下，激发和复合两种过程形成平衡，称为热平衡状态，此时的载流子成为热平衡载流子，它的浓度即为某一稳定值。,根据量子理论和泡利不相容原理，能态分布服从费米统计分布规律。 在某温度下热平衡态，能量为E的能态被电子占据的概率由费米-狄拉克函数给出，即,热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关：一是在能带中能态（或能级）的分布，二是这些能态中每一个能态可能被电子占据的概率。,f(E)：费米分布函数，能量E的概率函数 k：波耳兹曼常数，1.3810-23J/K T：绝对温度 EF：费米能级(绝对零度时的电子的最高能级),费米-狄拉克函数曲线,当E=EF时，f(E)=1/2,当E1/2,当EEF时，f(E)1/2,若(EEF) kT时,随着E的增加， f(E)迅速减小，所以导带中的大部分电子的能量是在导带底EC附近。同样价带中空穴的绝大部分都在价带顶EV附近。,EF为表征电子占据某能级E的概率的“标尺”，它定性表示导带中电子或价带中空穴的多少。常温下EF随材料掺杂程度而变化。对于本征半导体 EF (EC + EV )/2,一般，费米能级在禁带中， (EEF) 比kT 大得多。所以半导体的导带电子浓度n和价带空穴浓度p分别为：,N为导带的有效能级密度 N为价带的有效能级密度,ni称为半导体的本征载流子浓度,对本征半导体而言n=p,对于一种确定的半导体，不管它是本征半导体还是杂质半导体，也不管掺杂的程度如何，在热平衡状态下，两种载流子的浓度乘积必定等于一个常数本征载流子浓度的平方。,a) 重掺杂P型 b) 轻掺杂P型 c) 本征型 d) 轻掺杂N型 e) 重掺杂N型,小测试,半导体的费米能级图如下图所示，以下表述中正确的是（ ）,A、（1）是本征半导体（2）是N型半导体（3）是P型半导体 B、（1）是本征半导体（2）是P型半导体（3）是N型半导体 C、（1）是N型半导体 （2）是P型半导体（3）是本征半导体 D、（1）是P型半导体 （2）是N型半导体（3）是本征半导体,四、非平衡载流子,半导体在外界条件有变化（如受光照、外电场作用、温度变化）时，载流子浓度要随之发生变化，此时系统的状态称为非热平衡态。载流子浓度对于热平衡状态时浓度的增量称为非平衡载流子。,电注入：通过半导体界面把载流子注入半导体，使热平衡受到破坏。 光注入：光注入下产生非平衡载流子表现为价带中的电子吸收了光子能量从价带跃迁到导带，同时在价带中留下等量的空穴。,产生非平衡载流子的方法,光注入分为强光注入与弱光注入：,满足 nnpn nn0pn0ni2 nn0 nnpn 条件的注入称为强光注入。,满足 nnpn nn0pn0ni2 nn0 nnpn 条件的注入称为弱光注入。,对于弱光注入 nn=nn0+nnnn0 pn=pn0+pnpn 此时受影响最大的是少子浓度，可认为一切半导体光电器件对光的响应都是少子行为。,例如：一N型硅片，室温下，nn0=5.51015cm-3，pn0=3.5104cm-3；弱光注入下，n =p=1010cm-3，此时非平衡载流子浓度 nn=nn0+nn=5.51015+1010 5.5 1015cm-3 pn=pn0+pn=3.5104+10101010cm-3,使非平衡载流子浓度增加的运动称为产生，单位时间、单位体积内增加的电子空穴对数目称为产生率G。 使非平衡载流子浓度减少的运动称为复合，单位时间、单位体积内减少的电子空穴对数目称为复合率R。,在光照过程中，产生与复合同时存在，在恒定持续光照下产生率保持在高水平，同时复合率也随非平衡载流子的增加而增加，直至二者相等，系统达到新的平衡。当光照停止，光产生率为零，系统稳定态遭到破坏，复合率大于产生率，使非平衡载流子浓度逐渐减少，复合率随之下降，直至复合率等于热致的产生率时，非平衡载流子浓度将为零，系统恢复热平衡状态。,总结,非平衡载流子寿命（1）非平衡载流子从产生到复合之前的平均存在时间。（2）当非平衡载流子的浓度衰减到原来的1/e所需的时间。（3）它表征非平衡载流子的复合的快慢，小表示复合快，大表示复合慢。,复合是指电子与空穴相遇时，成对消失，以热或发光方式释放出多余的能量。,复合种类,通过复合中心复合：复合中心指禁带中杂质及缺陷。通过复合中心间接复合包括四种情况：电子从导带落入到复合中心称电子俘获；电子从复合中心落入价带称空穴俘获；电子从复合中心被激发到导带称电子发射；电子从价带被激发到复合中心称空穴发射。,表面复合：材料表面在研磨、抛光时会出现许多缺陷与损伤，从而产生大量复合中心。发生于半导体表面的复合过程称为表面复合。,直接复合：导带中电子直接跳回到价带，与价带中的空穴复合。,五、载流子的运动,当没有外加电场时，电子作无规则运动，其平均定向速度为零。一定温度下半导体中电子和空穴的热运动是不能引起载流子净位移，从而也就没有电流。但漂移和扩散可使载流子产生净位移，从而形成电流。,载流子因浓度不均匀而发生的从浓度高的点向浓度低的点运动。,载流子在外电场作用下，电子向正电极方向运动，空穴向负电极方向运动称为漂移。,在强电场作用下，由于饱和或雪崩击穿半导体会偏离欧姆定律。在弱电场作用下，半导体中载流子漂移运动服从欧姆定律。,在N型半导体中，漂移所引起的电流密度为：,j电流密度; n为载流子密度； q为电子电荷；为载流子平均漂移速度,欧姆定律的微分形式为：,有一定的电场强度，就有一定的电流密度，因而也就有一定的平均漂移速度。因此电场强度与平均漂移速度有关系。,迁移率表示载流子在单位电场作用下所取得的漂移速度。,在电场中电子所获得的加速度为,在漂移运动中，因电子与晶格碰撞发生散射，故每次碰撞后漂移速度降到零。如两次碰撞之间的平均时间为f ，则经f 后载流子的平均漂移速度为,迁移率与载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴的迁移率比电子的迁移率小。,总结,在电场作用下，任何载流子都要作漂移运动。一般情况下，少数载流子比多数载流子少得多，因此漂移电流主要是多数载流子的贡献。 在扩散情况下，只有光照所产生的少数载流子存在很大的浓度梯度，所以对扩散电流的贡献主要是少数载流子。,六、半导体对光的吸收,由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带而引起的吸收称为本征吸收。,物体受光照射，一部分被物体反射，一部分被物体吸收，其余的光透过物体。半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器件的工作基础。,产生本征吸收的条件：入射光子的能量（h）至少要等于材料的禁带宽度。即,截止波长,杂质能级上的电子（或空穴）吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带（空穴跃迁到价带），这种吸收称为杂质吸收。杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。,导带内的电子或价带内的空穴也能吸收光子能量，使它在本能带内由低能级迁移到高能级，这种吸收称为自由载流子吸收，表现为红外吸收。,价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。这种吸收的光谱多密集与本征吸收波长阈值的红外一侧。,半导体原子能吸收能量较低的光子，并将其能量直接变为晶格的振动能，从而在远红外区形成一个连续的吸收带，这种吸收称为晶格吸收。,半导体对光的吸收主要是本征吸收。对于硅材料，本征吸收的吸收系数比非本征吸收的吸收系数要大几十倍到几万倍，一般照明下只考虑本征吸收，可认为硅对波长大于1.15m的可见光透明。,半导体的电学性质很大程度上取决于所含杂质的种类和数量。把N型、P型和本征（i型）半导体配合起来，结成不均匀的半导体，能制造各种半导体器件。,在无外电场或其它因素激发时PN结处于平衡状态，没有电流流过。空间电荷区的宽度和电位差为恒定值。空间电荷区中没有载流子，所以又称耗尽层，其宽度一般为数微米。,PN结加正向电压的情况,工作原理在外加电场的作用下，多子被推向耗尽层，结果耗尽层变窄，内电场被削弱，这有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。多子的扩散电流通过回路形成正向电流。耗尽层两端的电位差变为。一般只有零点几伏，所以不大的正向电压就可以产生相当大的正向电流。通常在回路中串入一个电阻用以限制电流。,PN结加反向电压的情况,工作原理在外加电场的作用下，耗尽层变宽，内电场被加强，结果阻止了多子的扩散，但促使少子漂移，在回路中形成反向电流。因少子的浓度很低，并在温度一定时少子的浓度不变，所以反向电流不仅很小，而且当外加电压超过零点几伏后，因少子的供应有限，它基本上不随外加电压增加而增加，故称为反向饱和电流。,将禁带宽度不同的两种半导体材料，生长在同一晶体上，且可以做成突变的或缓变的结，这种由两种不同的半导体材料接触而组成的结称为半导体异质结。,肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性（整流特性）。,一、填空题： 1、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是（ ）、（ ）。 2、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关：一是在能带中（ ），二是这些能态中（ ）。 3、半导体对光的吸收有（ ）（ ）（ ）（ ）（ ）。半导体对光的吸收主要是（ ）。,二、选择题 关于非平衡载流子，错误的是（ ） A、光注入的方法可以产生非平衡载流子 B、光电探测器主要是利用弱光注入来得到非平衡载流子的 C、弱光注入是指产生的非平衡载流子的浓度大于热平衡载 流子（多子）的浓度 D、光电探测器主要是利用强光注入来得到非平衡载流子的,三、简答题： 1、掺杂对半导体导电性能的影响是什么？ 2、为什么空穴的迁移率比电子的迁移率小？ 3、产生本征吸收的条件是什么？,四、计算题 本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度Eg=0.67(eV)，该材料制作的光电探测器的本征吸收截止波长是多少？,当光照射到物体上使物体发射电子、或导电率发生变化，或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应。 本世纪最伟大的科学家之一爱因斯坦以他在1905年发表的相对论而闻名于世，而他在1925年获得诺贝尔奖是由于他对发现光电效应的贡献。,外光电效应物体受到光照后向真空中发射电子的现象，也称光电发射效应。这种效应多发生在金属和金属氧化物。,光电效应分类：,内光电效应物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部运动而不会溢出物体外部的现象。这种效应多发生在半导体内。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。,一、光电导效应：光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。,半导体无光照时为暗态，此时材料具有暗电导；有光照时为亮态，此时具有亮电导。如果给半导体材料外加电压，通过的电流有暗电流与亮电流之分。亮电导与暗电导之差称为光电导，亮电流与暗电流之差称为光电流。,1、光电导体的灵敏度,在一定条件下，单位照度所引起的光电流称为灵敏度。由于各种器件使用的范围及条件不一致，因此灵敏度有各种不同的表示法。 光电导体的灵敏度表示在一定光强下光电导的强弱。 光电导体的灵敏度与电极间距的平方成反比 。,光电导的大小与照射光的波长有密切关系。所以首先确定光谱分布，才能光电导来比较不同波长的光强。,2、光电导的光谱分布,光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。 对光电导体受矩形脉冲光照时，常有上升时间常数r 和下降时间常数f 来描述弛豫过程的长短。r表示光生载流子浓度从零增长到稳态值63%时所需的时间，f表示从停光前稳态值衰减到37%时所需的时间。,矩形脉冲光照弛豫过程图,3、光电导弛豫,二、光生伏特效应：简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。,当光照均匀半导体一部分时，由于光生载流子的浓度梯度不同而引起载流子的扩散运动，但电子和空穴的迁移率不同而导致两种载流子分开，从而出现光生电势，这种现象称为丹倍效应。,热平衡态下的P-N结,在热平衡条件下，结区有统一的EF；在远离结区的部位，EC、EF、E之间的关系与结形成前状态相同。,2、势垒效应,N型、P型半导体单独存在时，EFN与EFP有一定差值。当N型与P型两者紧密接触时，电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动，空穴流动的方向相反。同时产生内建电场，内建电场方向为从N区指向P区。在内