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文档简介

1、 电容充电第1页/共14页二、MOS集成电路中的电容器 MOS集成电路中的电容器几乎都是平板电容器。平板电容器的电容表示式： C = oox/toxWL=C0WL o、ox、tox由材料性质以及绝缘层的厚度决定，绝缘层越薄单位电容越大。 式中W和L是平板电容器的宽度和长度，二者的乘积即为电容器的面积。 第2页/共14页1、基本电容版图下极板上极板引线孔第3页/共14页 注意，集成电路中电容值的计算，应计算有效极板面积。即上、下极板之间重叠的面积第4页/共14页第5页/共14页 2、MOS集成电路中常用的电容： （1）扩散电容 单层多晶工艺使用的方法。淀积多晶硅前先掺杂下电极板区域，再生长栅氧化

2、层和淀积作上电极的多晶硅 多晶硅-扩散区电容器；N阱电容第6页/共14页N阱电容的优缺点单位电容值大电容值随上极板（多晶硅栅）上的电压改变而改变N阱与P型衬底之间形成平行极板，产生寄生电容第7页/共14页由于扩散电容的结构与MOS管相似，可以将MOS管的栅源漏电极进行适当连接构成有源电容，起扩散电容的作用MOS管的沟道面积即为电容面积第8页/共14页 （2）同质材料电容器分别使用两层金属或两层多晶硅作为电容器的上下极板，氧化层作为绝缘介质金属电容；双多晶硅电容能够有效减小寄生电容，但金属电容器单位电容值较小，第9页/共14页（3）叠层电容器利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。金属-多晶硅-扩散区电容第10页/共14页3、电容值误差边缘电容 理想平板电容器的电场线是直线，但实际情况下，在靠近边缘地方的会发生弯曲，越靠近边缘，弯曲越严重。称为极板边缘效应。 极板边缘处的电场分布不均匀，造成电容的边缘效应，这相当于在电容里并联了一个附加电容。第11页/共14页由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，极板边缘效应更加明显为了减小边缘电容的影响，版图设计中尽量不拆分电容第12页/共14页关于实验 一次版图分析实验，三次版图设计实验 版图分析实验报告应有实验结果为分析所得电路。最好分析出电路功能 版图设计实验报

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