浙江高考物理大二轮复习微专题4电磁感应中的微元法课件实用教案_第1页
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文档简介

1、会计学1浙江高考物理大二轮复习微专题浙江高考物理大二轮复习微专题(zhunt)4电磁感应中的微元法课件电磁感应中的微元法课件第一页,共14页。-2-只受安培力的情况只受安培力的情况【例【例1】如图所示】如图所示,宽度为宽度为L的光滑金属导轨一端封闭的光滑金属导轨一端封闭,电阻不计电阻不计,足足够长够长,水平部分有竖直向上、磁感应强度为水平部分有竖直向上、磁感应强度为B的匀强磁场。质量为的匀强磁场。质量为m、电阻为、电阻为r的导体棒从高度的导体棒从高度(god)为为h的斜轨上从静止开始滑下的斜轨上从静止开始滑下,由于在磁场中受安培力的作用由于在磁场中受安培力的作用,在水平导轨上滑行的距离为在水平

2、导轨上滑行的距离为s时停时停下。下。第1页/共14页第二页,共14页。-3-(1)求导体棒刚滑到水平面时的速度v0;(2)写出导体棒在水平导轨上滑行的速度v与在水平导轨上滑行的距离x的函数(hnsh)关系。第2页/共14页第三页,共14页。-4-第3页/共14页第四页,共14页。-5-既受安培力又受重力的情况既受安培力又受重力的情况【例【例2】如图所示】如图所示,竖直平面内有一边长为竖直平面内有一边长为L、质量为、质量为m、电阻为、电阻为R的正方的正方形线框在竖直向下的匀强重力场和水平方向的磁场组成的复合场中以初形线框在竖直向下的匀强重力场和水平方向的磁场组成的复合场中以初速度速度v0水平抛出

3、水平抛出,磁场方向与线框平面垂直磁场方向与线框平面垂直,磁场的磁感应强度磁场的磁感应强度(qingd)随随竖直向下的竖直向下的z轴按轴按B=B0+kz的规律均匀增大的规律均匀增大,已知重力加速度为已知重力加速度为g,求求:(1)线框竖直方向速度为v1时,线框中瞬时电流的大小;(2)线框在复合(fh)场中运动的最大电功率;(3)若线框从开始抛出到瞬时速度大小到达v2所经历的时间为t,那么,线框在时间t内的总位移大小为多少?第4页/共14页第五页,共14页。-6-解析:(1)因在竖直方向两边的磁感应强度(qingd)大小不同,所以产生感应电流为第5页/共14页第六页,共14页。-7-第6页/共14

4、页第七页,共14页。-8-重力和安培力不在一条直线上的情况重力和安培力不在一条直线上的情况【例【例3】如图所示】如图所示,空间等间距分布着水平空间等间距分布着水平(shupng)方向的条形匀强磁场方向的条形匀强磁场,竖直竖直方向磁场区域足够长方向磁场区域足够长,磁感应强度磁感应强度B=1 T,每一条形磁场区域的宽度及相邻条形每一条形磁场区域的宽度及相邻条形磁场区域的间距均为磁场区域的间距均为d=0.5 m,现有一边长现有一边长l=0.2 m、质量、质量m=0.1 kg、电阻、电阻R=0.1 的正方形线框的正方形线框MNOP以以v0=7 m/s的初速度从左侧磁场边缘水平的初速度从左侧磁场边缘水平

5、(shupng)进入进入磁场磁场,线框运动过程中不偏转。求线框运动过程中不偏转。求第7页/共14页第八页,共14页。-9-(1)线框MN边刚进入磁场时受到安培力的大小F。(2)线框从开始进入磁场到竖直(sh zh)下落的过程中产生的焦耳热Q。(3)线框能穿过的完整条形磁场区域的个数n。答案:(1)2.8 N(2)2.45 J(3)4第8页/共14页第九页,共14页。-10-解析:(1)线框MN边刚进入磁场(cchng)时,感应电动势E=Blv0=1.4 V, (3)用“微元法”解。线框在进入和穿出条形(tio xn)磁场时的任一时刻,感应电动势E=Blv,第9页/共14页第十页,共14页。-1

6、1-练如图所示,刚性U型金属导轨M1N1N2M2位于光滑水平桌面上,其左端中接有阻值为R的电阻,它们总的质量为m0。导轨的两条轨道间的距离为l,PQ是质量为m的金属杆,其电阻为r,可在轨道上滑动,滑动时保持与轨道垂直。杆与轨道的接触是粗糙的,导轨的电阻均不计。初始时,杆PQ于图中的虚线处,虚线的右侧为一匀强磁场区域,磁场方向垂直于桌面,磁感应强度的大小为B。现有一位于导轨平面内的与轨道平行的恒力F作用于PQ上,使之从静止开始在轨道上向右做加速运动。已知经过时间t通过电阻的电流为I0,导轨向右移动的距离为x0(导轨的N1N2部分尚未进入磁场区域)。不考虑(kol)回路的自感,求: 第10页/共14页第十一页,共14页。-12-(1)杆与轨道的摩擦力;(2)PQ

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