JESD22简介+目录列表

1、JESD22标准定义及意义详细如下顺序标准 编号简称现行版本标准状态标准工程11A100D Jul 2021现行循环温湿度偏置寿命2.A101THBC Mar 2021现行稳态温湿度偏置寿命3.A102AC)Nov 2021现行加速水汽反抗性-无偏置高压蒸煮高压锅4._|A103HTSLD Dec 2021现行高温贮存寿命TC温度循环5.A104)Mar 2021现行本实验用来确定组件、互联器件对交替温度极限变化产生的机械应力的耐反性PTC上电温循6.A105C Jan 2004现行适用于半导体器件,在交替的上下温极限中周期的施加卸二|除偏压,用于模拟样件所遭受的最恶劣环境7A106B Jun

2、 2004现行热冲击8A107C Apr 2021现行盐雾9.A108HTOL)Nov 2021现行温度,偏置电压,以及工作寿命10.A109B Nov 2021现行,指密封可车标111A110HAST)Nov 2021现行高加速温湿度应力试验HAST 有偏置电压未饱和高压口蒸汽12.A111A Nov 2021现行安装在单面板底面的小型表贴固态器件耐浸焊水平的评价 流程13.A112n塑封表贴器件水汽诱发的应力敏感性被J-STD-020替I/彼替代代14.A113PCF Oct 2021现行塑封表贴器件可靠性试验前的预处理15.A114F Dec 2021现行静电放电敏感性试验ESD人体模型

3、HBM 16.IA115C Nov 2021现行静电放电敏感性试验ESD机器模型MM 17.A117C Oct 2021现行电可擦除可编程只读存储器EEPROM 编程/擦除耐久性以及数据保持试验18.UHSTA Mar 2021_加速水汽反抗性一一无偏压HAST 无偏置电压未饱和高A118现行压蒸汽高加速温湿度应力试验是为评估非气密性固态设备器件在 卜朝湿的环境中的可靠性.19.A119Nov 2004现行低温贮存寿命20.A120A Jan 2021现行用于集成电路的有机材料的水汽扩散率以及水溶解度试验 方法21.A121A Jul 2021现行锡及锡合金外表镀层晶须生长的测试方法n22.A

4、122Aug 2007现行功率循环23.B100B Jun 2003现行物理尺寸24.B101B Aug 2021现行外部目检25B102E Oct 2007现行可焊性26.1B103B Jun 2002 2现行振动,变频27.B104C Nov 2004现行机械冲击28.B105D Jul 2021现行i引出端完整性29.1B106D Apr 2021现行通孔安装期间的耐焊接冲击一30.B107D Mar 2021现行标识耐久性31B108B Sep 2021现行表贴半导体器件的共面性试验32.B109A Jan 2021现行倒装芯片拉脱试验33.B110B Jul 2021现行组件机械冲击

5、34.B111Jul 2003现行手持电子产品组件的板级跌落试验35. 1B112A Oct 2021现行i高温封装翘曲度测试方法36.B113A Sep 2021现行手持电子产品组件互连可靠性特性的板级循环弯曲试验方法37.B114A May 2021现行标识可识别性38.B115A Aug 2021现行i焊球拉脱试验39.B116A Aug 2021现行引线键合的剪切试验40.1B117B May 2021现行焊球剪切41B118Mar 2021现行半导体晶圆以及芯片反面外目检42.C100/t三废止高温连续性43. )C101F Oct 2021现行静电放电敏感性试验ESD场诱导带电器件

6、模型1.JESD22JESD22-BJESD22-B发布：2000年9月已被Published:Sep2000Superseded取代被系列测试方法 “JESD22-'取代SUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'J“ JESD22提一个完整的系列试验方ESD22-'法,可在全球性的工程 文件中取得.AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfromGlobalEngineeringDocumentsAEC-Q100是基于集成电路应力测试认证的失效机理的标准,它包含以下12个测试方法：?AEC-Q100

7、-001 邦线切应力测试?AEC-Q100-002人体模式静电放电测试?AEC-Q100-003 机械模式静电放电测试?AEC-Q100-004集成电路闩锁效应测试?AEC-Q100-005可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试?AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试?AEC-Q100-007故障仿真和测试等级?AEC-Q100-008早期寿命失效率ELFR?AEC-Q100-009电分配的评估?AEC-Q100-010锡球剪切测试?AEC-Q100-011带电器件模式的静电放电测试?AEC-Q100-012 12V 系统灵敏功率设备的短路可靠性描述 二|

8、AEC-Q101是汽车级半导体分立器件应力测试认证,它包含以下6个测试方法：?AEC-Q101-001人体模式静电放电测试?AEC-Q101-002机械模式静电放电测试?AEC-Q101-003邦线切应力测试?AEC-Q101-004杂项测试方法?AEC-Q101-005带电器件模式的静电放电测试?AEC-Q101-006 12V 系统灵敏功率设备的短路可靠性描述2. A100 循环温湿度| 偏置寿命JESD22-A100C 发布：2007 年 10 月 循环温湿度偏置寿命试验循环温湿|度偏置寿命试验以评估非气密封装固 态器件在潮湿环境中的可靠性为目的.它使用循环温度,湿度,以及偏 置条件来加

9、速水汽对外部保护性材 料封装或密封或沿着外部保护材 料和贯穿其的金属导体的界面的穿透 作用.循环温湿度偏置寿命试验通常| 用于腔体封装例如 MQIADs ,有盖 陶瓷引脚阵列封装等,作为JESD22-A101 或 JESD22-A110 的 替代试验.JESD22-A100CPublished:Oct-2007CYCLEDTEMPERA TUREHUMIDITYBIASLIFETEST :TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthere liabilityofnonhermet

10、icpackagedsolidstatedevicesinhumidenvi ronments.Itemploysconditionsoftemperaturecycling,humidity, andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotecti vematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweenthee xternalprotectivematerialandthemetallicconductorsthatpassthroughit.The

11、Cycl edTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformed oncavitypackages(e.g.,MQUADs,liddedceramicpingridarrays I ,etc.)asanalternativetoJESD22-A101orJESD22-A110.3. A101 稳态温 湿度偏 置寿命4. A102 加速水 汽反抗 性-无偏 置高压 蒸煮JESD22-A101-BPublished:Apr-1997 STEADY- STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST: Thisstand

12、ardestablishesadefinedmethodandconditionsf orperformingatemperaturehumiditylifetestwithbiasappli ed.Thetestisusedtoevaluatethereliabilityofnonhermeticp ackagedsol idstatedevicesinhumidenvironments.Itemployshightem peratureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrati onofmoisturethroughexternalprote

13、ctivematerialora10ngi nterfacesbetweentheexternalprotectivecoatingandcondu ctorsorotherfeatureswhichpassthroughit.Thisrevisionen hancestheabilitytoperformthistestonadevicewhichcanno tbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.JESD22-A102-CPublished:Dec-2000ReaffirmedJune2021 ACCELERATEDMOISTURERESIS-

14、TANCEUNBIASEDAUTOCLA VE:Thistestallowstheusertoevaluatethemoistureresistanceof nonhermeticpackagedsolidstatedevices.TheUnbiasedA utoclaveTestisperformedtoevaluatethemoistureresistanc eintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesusin gmoisturecondensingormoisturesaturatedsteamenviron ments.Itisahi

15、ghlyacceleratedtestwhichemploysconditio nsofpressure,humidityandtemperatureundercondensing conditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheex ternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongthei nterfacebetweentheexternal- protectivematerialandthemetallicconductorspassingthro ughit.Thistestisus

16、edtoidentifyfa iluremechanismsinternaltothepackageandi sdestructive.JESD22-A101-B发布：1997年8月稳态温湿度偏置寿命试验本标准建立了一个定义的方法,用 于进行一个施加偏置电压的温湿度寿命试验.本试验用于评估非气 密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性.试验采用高温和高湿条件 以加速水汽对外部 保护材料或沿 着外部保护材料和外部保护涂层, 贯穿其的导体 或其他部件的穿透 作用.本修订版增强了在无法施加 偏置以到达很低功率耗散的器件 上运用本试验的水平.5. A103高温贮 存寿命JESD22-A103CPublish

17、ed:Nov-2004HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE:The test isapplicable for evaluation, screening, monitoring, and/orqualification of all solid state devices. High Temperaturestorage test is typically used to determine the effect oftimeand temperature, understorage conditions, forthermally activated failure mec

18、hanisms of solid state electronic devices, includingnonvolatile memory devices (data retention failure mechanisms). DuringtheJESD22-A102-C发布：2000 年12月,2021 年6 月经重新确认有效加速水汽反抗性一一无偏置高压 蒸煮本试验允许用户评估非气密封装 固态器件对水汽的反抗力.进行无偏置高压蒸煮试验的目的在于利用水汽冷凝或水汽饱和蒸汽环境评估非气密封装固态器件的水 汽反抗力.本方法是一个高加速试验,使用冷凝条件下的压力,湿 度和温度以加速水汽对外部保护

19、性材料封装或密封或沿着外部 保护材料和贯穿其的金属导体的 界面的穿透作用.这一试验用于识 别封装内部的失效机理,本试验 为破坏性.JESD22-A103C发布：2004年11月高温贮存寿命：试验可应用于所有固态器件的评估,筛选,监控, 以及鉴定.典型情况下,高温贮 存试验用于确定在贮存条件下,时 间和温度对固态器件,包括非易 失存储器件数据保存失效机理 的 影响由热激发的失效机理.在试验中,只施加提升的温度应6. A104 温度循 环test elevated temperatures(accelerated test conditions) are used withoutelectrica

20、l stress applied. This test may be destructive,depending on Time, Temperature and Packaging (if any).JESD22-A104CPublished:May-2005 TEMPERATURECYCLING:Thisstandardprovidesamethodfordeterminingsolidstate devicescapabilitytowithstandextremetemperaturecyclin g.Changesinthisrevisionincluderequirementsth

21、atthewor st-caseloadt | emperaturemustreachthespecificextremesratherthanjust requiringthatthechamberambienttemperaturereachtheex tremes.Thisensuresthatthetestspecimenswillreachthespe cifiedtemper atureextremesregardlessofchamberloading.Definitionsa reprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoa dT

22、emperature,andWorkingZone.Thetransfertimehasbee ntightenedfrom5minute sto1minute.Fivenewtestconditionshavebeenaddedaswel lasacautiono力加速试验条件,而不施加电应力.本试验取决于时间,温度和包装如果有,可能为破坏性.JESD22-A104C 发布：2005年5月 温度循环：本标准提供了一种用 于确定固态器件耐受极限温度循 环水平的 方法.在本修订版中, 改变之处包括最坏条件下,加载温 度而不是试验箱环境温度必须达 到规定的极值的要求.这保证了无 论试验箱负载情况如

23、何,试验样品| 均会到达规定的温度极值.本修订版提供了负载监控传感器,最坏 情况负载温度,以及工作区的定义.转换时间由 5分钟加严到1 分钟.新增了五个试验条件,以及试验条件超过塑封固态器件玻 璃化转变温度时的考前须知.7. A105 上电温 循JESD22-A105C发布：2004年1月功率温度循环：功率温度循环试验用于确定器件耐受变化的暴露 于极限上下温,同时周期性施加 和去除工作偏置.本试验的目的是 模拟应用环境中到达的最严苛条 件.功率温度循环试验视为破坏 性,且只用于器件的鉴定.本试 验方法应用于需经受超温,需要在j所有温度条件上下电的半导体器 件.JESD22-A106C发布：20

24、04年6月热冲击：本试验用于确定部件对 于忽然暴露于极限温变条件的抵 抗力,以及交替暴露于这些极限 条件的影响.JESD22-A107Cntestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatu reofplasticpackagesoliddevices.JESD22-A105CPublished:Jan-2004POWERANDTEMPERATURECYCLING:Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeter minetheabilityofadevicetowithstandalte

25、rnateexposuresa thighandlowtemperatureextremesandsimultaneouslythe operatingbiasesareperiodicallyappliedandremoved.Itisi ntendedtosimulateworstcaseconditionsencounteredinap pli cationenvironments.Thepowerandtemperaturecyclingte I stisconsidereddestructivean disonlyintendedfordevicequalification.This

26、testmethoda ppliestosemiconductordevicesthataresubjectedt otemperatureexcursionsandrequiredtopoweronandoffdu ringalltemperatures. I8. A106 JESD22-A106B热冲击 Published:Jun-2004THERMALSHOCK:Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttos uddenexposuretoextremechangesintemperatureandtothe effectofa

27、lternateexposurestotheseextremes.9. A107 JESD22-A107C以及工作寿命10. A108温度,偏 置电压,11. A109密封指 向军标12. A110高加速Published:April-2021 SALTATMOSPHERE: ThissaltAtmospheretestisconductedtodeterminetheresisJ tanceofsolidstatedevicestocorrosion.Itisanacceleratedte stthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastat mospher

28、eonallexposedsurfaces.Thesaltatmospheretestis considereddestructive.Itisintendedforlotac _| ceptance,processmonitor,andqualificationtesting. The latest revision of Method 1041 of MIL-STD-750 shall be used for discrete solid-statedevices. The latest revision of Method 1009 of MIL-STD-883 shall be use

29、d for solid-state microcircuits,integrated circuits, hybrids, and modules.发布：2021年4月盐雾：本盐雾试验用于确定固态 器件对于腐蚀的反抗力.本方法是 一个加速试验方法,模拟严酷的 海滨气氛环境对所有暴露外表的 影响.本盐雾试验视为破坏性.本 试验可用于批接收,工艺监控,以及鉴定试验.MIL-STD-750 试 验方法1041的最后修订版应用 于分立固态器件.MIL-STD-883 试验方法1009的最后修订版应 用于固态微电路、 集成电路及组 件.JESD22-A108CPublished:Jun-2005TEMP

30、ERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE: Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditio nsandtemperature,overtime,onsolid statedevicesis nowavailable.RevisionBof A108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhi ghtemperature gatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownreq uirementsforhightemp erat

31、urestress,andaproceduretofollowifpartsarenottested withintheallowedtime window. JESD22-A109BPublished:Nov-2021, Rewrite of total doc to point to Military standards. HERMETICITY: Most of these tests are controlled and updated in the military standards, the two standards thatapply are MIL-STD-750 for

32、Discretes, & MIL-STD-883 for microcircuits. The test within thesestandards can be used for all package types. Within these standards the tests are similar; MIL-STD- 750 Test Method 1071 Hermetic Seal isrecommended for any commercial hermetic requirements. For MIL- STD-883 the applicable test met

33、hod is 1014 Seal.JESD22-A110DJESD22-A108C 发布：2005年6月 温度,偏置电压,以及工作寿命： 本标准提供了一个可用的经修订 的试验方法,用于确定偏置条件和温度在长时间下对固态器件的 作用.A108修订版 B包括了 低温工作寿命LTOL 以及高温 栅偏HTGB 应力条件,修订了 高温应力的冷却需求,以及如果样 品没有在允许的时间窗口中测试的情况下,应遵循的程序.JESD22-A109A发布：2021年11月,重新编制 了整份文档以指向军用标准.密封：大局部这些试验在军用标准J 中限制和更新,应用的两份标准分 别是 MIL-STD-750 分立器 件,以

34、及 MIL-STD-883 微 电路.这些试验能够被用于所 有的封装类型.在这些标准中, 试验方法是类似的,MIL-STD-750 试验方法 1071推荐作为所 有商用密封的要求.对于 MIL-STD-883 , 可应用的试验方法是 试验方法 1014密封.JESD22-A110D发布：2021年11月Published:Nov-2021应力试验温湿度(HAST)13. A111 安装在 单面板 底面的 小型表 贴固态 器件耐 浸焊能 力的评 价流程14. A112 塑表 贴器件i 水汽诱 发的应 力敏感 性被j-STD-020 替代15. A113 塑封表 贴器件HIGHLYACCELERA

35、TEDTEMPERATUREANDHU MIDITYSTRESSTEST(HAST) :The purpose of this new test method is to evaluate the reliability of nonhermetic packaged solid state devices in humid environments. It employs severeconditions of temperature, humidity, and bias that accelerate the penetration ofmoisture through the exte

36、rnal protective material (encapsulantor seal) or along the interface between the external protective material and the metallic conductorswhich pass through it.高加速温湿度应力试验HAST : 该新的试验方法的目的是评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性.它采用严酷的温度、湿 度和偏执电压以加速水汽对外部保护材料封装或密封或沿着外 部保护性材料和金属 导体间的界 面的穿透作用.JESD22-A111APublished:May-200

37、4EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGC APABILITYTOBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYF ULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFA CEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:Frequently, small Surface Mount Devices (SMDs) are attached to the bottom side of a printed circuitboard by passing them through a wave solder (full body immersion) whi

38、le simultaneously solderingdevices with pins on the top of the board (plated through hole attach). As a result, these small SMDs maybe exposed to highJESD22-A111A发布：2004年5月安装在单面 板底面的小型表贴固态器件耐浸 焊水平的评价流程：小型表贴器件SMDs常常被贴 装在印制线路板底面,通过一次波峰焊接整体浸焊同时焊接表 贴器件和安装在印制线路板正面的插装器件通过通孔安装.结 果是在这种组装方法下,这些小型 SMDs可能暴露于高至

39、 265 C的高温.如果足够多的水汽引起水分 变为蒸汽,导致封装内 部压强,可引起质量和可靠性退化.本试验方法关注与确定固态 器件耐受整体波峰/浸焊水平,以 及 随后的使用相关的问题.temperatures as high as 265° C during this type offboard寸装内,暴露于熔化的焊料 attach method. If sufficient moisture exists in the package, exposure to the molten solder causes the moisture to turn tovapor, result

40、ing in increased pressure within the package which in turn may cause quality and/orreliability degradation. The test method in this document will address the issues related to the determination of the capability of asolid state device to withstand the stresses of full body wave solder immersion and

41、subsequent field use.JESD22-A112-AJESD22-A112-A发布：1995年11月,2000年 5月取消塑封表贴器件水汽诱发 的应力敏感性,被J-STD-020A替代,1999 年 4 月.J-STD-020 现行版本为修订版 D.01.JESD22-A113FPublished:Oct-2021JESD22-A113F发布：2021年8月PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUN塑封表贴器件可靠性试验前的预Published:Nov-1995RescindedMay2000 MOISTURE- INDUCEDSTRESSSENSI

42、TIVITYFORPLASTICSUR FACEMO UNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD- 020A,April1999. J-STD-020 is now on revision D.01.处理：本试验方法建立了一个非 气密固态SMDs 外表贴装器件 的 工业标准化的预处理流程,这 一流程代表了一个典型的工业化 屡次回流焊接操作.这些SMDs在由半导体制造商进行规定的内部可靠性试验鉴定及可靠性监 控前,应经受本文档中适当的M延理,列,以评估7长期可靠性|器件的长期可靠性可能受到回流焊接过程的影响.JESD22-A114F发布：2021年12月静电放电敏感性试验 ESD人

43、体 模型HBM :本试验方法建立了 一个通过将微电路暴露在定义的 人体模型的静电放电应力下,根 据其受损或降级的敏感度,对微电 路进行 试验和评级的标准化流 程.目标是提供可靠的, 可重复性 的HBM ESD 试验结果,以使准 确的等级评定能够进行.A115A发布：1997年10月.本试验方法有效,然而却不是业界 常用 标准,推荐的工业试验方法 为 JESD22A114 或 JESD22C101 静电放电敏感性试验 ESD机器 模型MM :本试验方法建立了 一个通过将微电路暴露在定义的 人体模型的静电放电应力下,根 据其受损或降级的敏感度,对微电 路进行 试验和评级的标准化流 程.目标是提供可

44、靠的,可重复性的MM ESD试验结果,以使准 确的等级评定能够进行.JESD22- JESD22-A117A 发布：2006年3月 电可擦除可编程只读存储器 EEPROM 编程/擦除耐久性以 及数据保持试验：本方法建立了一个标准化的流程,以确定非易失 存储单元的数据循环耐久性和数TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING: ThisTestMethodestablishesanindustrystandardprecondit ioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemou ntdevices)thatisrepres

45、entativeofatypicalindustry multiplesolderreflowoperation.Th eseSMDs shouldbe subjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthi sdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobein gsubmittedtospecificin- housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonit oring)toevalu atelongtermreliability(

46、whichmightbeimpactedbysolderr eflow). JESD22-A114F Published:Dec-2021 ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITY TESTINGHUMANBODYMODEL(HBM):Thistestmethodestablishesastandardprocedurefortesting andclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibili tytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectros ta

47、ticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobje ctiveistoprovidereliable,repeatable HBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbe performed. JESD22-A115A Published:Oct1997 . Thisisavalidtestmethod,howeveritisnotcurrentlybeingu sedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJE SD22A114orJESD22

48、C101 ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITY TESTINGMACHINEMODEL(MM): Thismethodestablishesastandardprocedurefortestingand classifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilityto damageordegradationbyexposuretoadefinedMachineM odel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveisto providereliable,r ep

49、eatableMMESDtestresultssothataccurateclassificatio nscanbeperformed. JESD22-A117A Published:Mar-2006 ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLER OM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEA NDDATARETENTIONTEST: Thismethodestablishesastandardprocedurefordetermini ngthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityo程/擦除fn

50、on-据保持水平.本试验方法可用十鉴耐久性volatilememorycells.Itisintendedasaqualificationandmo定和监控试验流程.本试验也可以及数nitortestprMT FLASH EEPROM集成电路据保持ocedure.ThistestisalsoapplicabletoFLASHEEPROMint以及带有内嵌的 EEPROM或试验egratedcircuitsandFLASH存储器的可擦除可编程ErasableProgrammableLogicDevices(EPLD)withembe逻辑器件EPLD oddedEEPROMorFLASHmemor

51、y.19. A118JESD22-A118AJESD22-A118A加速水Published:Mar-2021发布：2021年3月汽反抗ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-加速水汽反抗性一-无偏压性UNBIASEDHAST:HAST :无偏压HAST用于评估无偏压TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluati非气密封装固态器件在潮湿环境HASTngthereliabilityofnon-hermeticpackagedsolid-下的可 靠性.这是一个高加速试statedevicesinhumidenvironment

52、s.Itisahi验方法,利用非冷凝条件下的温度ghlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumid和湿度来加速水汽对外部保护性ityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetr材料封装或密封或沿着外部保ationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(e护材料和贯穿其的金属导体的界ncapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexterna面的穿透作用.不施加偏压以保lprotectiv证被偏

53、置电压掩盖的失效机理能ematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.够被发现如：贾凡尼式腐蚀原Biasisnotappliedinthistesttoensurethefailuremechanism电池腐蚀.本试验用于确定封装spotentiallyo内部的失效机理,为破坏性试验.vershadowedbybiascanbeuncovered(e.g.galvaniccorrosion).Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.20.JESD22-A119JESD22-A119A119 低Publi