医学电子学基础知识考核与答案

医学电子学基础知识

1.电流总是从高电位流向低电位，这一结论适用于;（）.［单选题］*

A.电源内电路

B.电源外电路V

C.全电路

D.任何电路

2.对理想电源描述正确的是（）［单选题］*

A.理想电压源的内阻无穷大

B.理想电压源的内阻为07

C.理想电流源的内阻为0

D.理想电压源的内阻=理想电流源内阻

3.已知空间有a、b两点，电压Uab=10V田点电位为（pa=4V，则b点电位（pb为（）。

［单选题］*

A.6V

B.-6VV

C.14V

D.10V

4.叠加原理中，电源置零，即将电压源,电流源。下列叙述正确的是（）。［单选题］

*

A.开路，短路

B.短路，开路V

C.短路，短路

D.开路，开路

5.已知某一支路由一个Us=10V的理想电压源与一个R=2Q的电阻相串联，则这个串

联电路对外电路来讲，可用（）来进行等效。［单选题］*

A.Us=10V的理想电压源

B.Is=5A的理想电流源与R=2Q的电阻相并联的电路V

C.Is=5A的理想电流源

D.Is=20A的理想电流源与R=2Q的电阻相并联的电路

6.对于一个具有n个结点、b条支路的电路，它的KVL独立方程数为（）个。［单选题］

*

A.n-1

B.b-n+lV

C.b-n

D.b-n-1

7.在PN结两端外加不同方向的电压，会破坏原来扩散运动和漂移运动的平衡，从而

呈现单向导电特性;将电源的正极接—区，负极接—区，PN结处于状态；（）。［单选

题］*

A.P、N、导通V

B.P、N、截止

C.N、P、导通

D.N、p、m

8.晶体管起放大作用的外部条件是什么_____［单选题］*

A.发射结正偏，集电结正偏；

B.发射结正偏，集电结反偏；V

C.发射结反偏，集电结正偏；

D.发射结反偏，集电结反偏；

9.某三级放大电路中，测得Avl=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是«

［单选题］*

A.10

B.100

C.120

D.10000V

10.在放大电路中，三极管静态工作点用表示。［单选题］*

A.Ib、Ic、lice

B.IB、IC、UCEV

C.iB、iC、uCE

D.ib、ic、uce

11.放大电路的输入电阻Ri愈，则由信号源索取的电压愈大；输出电阻Ro愈，则带

负载能力愈强。()［单选题］*

A.大、大

B.小、小

C大小V

D.小、大

12.在基本放大电路中，输入耦合电容C1作用是_______［单选题］*

A.通直流和交流

B.隔直流通交流V

C.隔交流通直流

D.隔交流和直流

13某一放大器的开环电压放大倍数A=1000,反馈系数F=0.01,则其闭环放大倍数Af

为（）［单选题］*

A.100

B.10

C.1000

D.90.9V

14."虚短""虚断”的表达式分别是（）［单选题］*

A.i+~i--0,u+=u-

B.u+=u-,i+«i-«0V

C.i+«i-,u+=u--0

D.i+~i-~0,u+=u-«0

15.在同相比例放大电路中，反相输入端连接的电阻Rl=30"反馈电阻RF=150Q,则

其放大倍数Auf为（）［单选题］*

A.-5

B.5

C.6V

D.-6

1.一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比诸二极管导通后的正向压降要大。（）［单

选题］*

AV

B

2.差分放大器的共模抑制比愈大，说明电路抑制零漂的能力愈强。（）［单选题］*

AV

B

3.差动放大电路中公共发射极电阻对共模信号产生强烈的负反馈作用，而对差模信号

的放大不产生影响。（）［单选题］*

AV

B

4.一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）［单选题］*

AV

B

5.直流放大器只能放大直流信号，不能放大交流信号。（）［单选题］*

AV

B

6.电压负反馈可稳定输出电压，因此流过负载的电流必然也稳定。（）［单选题］*

A

BV

7.理想集成运放无论工作在线性区还是饱和区，"虚短”现象始终存在。（）［单选题］

*

A

BV

8.P型杂质半导体带正电，N型杂质半导体带负电。（）［单选题］*

A

BV

9.在半波整流电路与桥式整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压相同。（）［单

选题］*

AV

B

10.电容滤波效果与负载有关，因此它适用于负载阻值变化较大的场合。（）［单选题］

*

A

BV

1.PN结反向偏置时，其耗尽层（阻挡层）会（）［单选题］*

A.不变

B.变窄

C.变宽V

D.不一定

2.三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）［单选题］*

A.发射结和集电结同时正偏

B.发射结和集电结同时反偏

C.集电结正偏发射结反偏

D.发射结正偏集电结反偏V

3.稳压管在稳压电路中工作于（）［单选题］*

A.正向导通工作状态

B.反向截止工作状态

C.反向击穿工作状态V

D.都有可能出现

4.在共射极基本放大电路中，比较晶体三极管三个电极的电位，最高端是（）［单

选题］*

A.NPN管的发射极

B.PNP管的发射极

C.PNP管的集电极

D.NPN管的基极V

5.设置差动放大电路的目的是（）［单选题］*

A.稳定放大倍数

B.提高输入电阻

C抑制零漂V

6.温度升高时，三极管的电流放大系数P和穿透电流将（）［单选题］*

A.0变大，变小

B.0.均变大V

C.p.均变小

D邛变小，变大

7.桥式整流电容滤波电路中，变压器副边电压有效值为10V,则10负载两端电压为

（）［单选题］*

A.4.5V

B.9V

C.14V

D.12VV

8.如图乙类互补推挽功率放大器中,每只功放管的导通时间是（）［单选题］*

A.半个周期V

B.一个周期

C.大于半个周期

D.小于半个周期

9.P型杂质半导体（）［单选题］*

A.带正电

B.带负电

C.呈电中性V

10.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（）［单选题］*

A.2nn,n为整数V

B.（2n+l）n,n为整数

C.nn/2,n为整数

D.不确定

11.桥式整流电路若变压器二次电压为V,则每个整流管所承受的最大反向电压为（）

［单选题］*

A.VV

B.V

c.V

D.V

12.负反馈对放大器性能的影响不包括（）［单选题］*

A.放大倍数下降，但是放大倍数的稳定性提高

B.负反馈使非线性失真消除V

C.可展宽通频带

D.不同的反馈类型对输入输出电阻产生不同的变化

13.桥式整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（）［单选题］*

A.V

B.

C.

D.

14.功率放大电路最重要的指标是（）［单选题］*

A.输出功率和效率V

B.输出电压的幅度

C.电压放大倍数

15.集成运算放大器是一种（）［单选题］*

A.单级放大器

B.阻容耦合多级放大器

C.直接耦合多级放大器V

D.变压器耦合多级放大器

16.抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）［单选题］

A.差分放大器V

B.分压偏置放大器

C.负反馈放大器

17.半导体二极管加正向电压时，有（）［单选题］*

A.电流大电阻小V

B.电流大电阻大

C.电流小电阻小

D.电流小电阻大

18.半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）［单选题］*

A.反向偏置击穿状态V

B.反向偏置未击穿状态

C.正向偏置导通状态

D.正向偏置未导通状态

19.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）［单选题］*

A.输出电压约为2UD

B.输出电压约为UD/2

C.整流管将因电流过大而烧坏V

D.变为半波整流

20.三极管电流源电路的特点是（）［单选题］*

A.输出电流恒定，直流等效电阻大,交流等效电阻小

B.输出电流恒定,直流等效电阻小，交流等效电阻大V

C.输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小

D.输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大

21.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有

内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A

的（）［单选题］*

A.输入电阻大

B.输入电阻小V

C.输出电阻大

D.输出电阻小

22.场效应管的工作原理是（）［单选题］*

A.输入电流控制输出电流

B.输入电流控制输出电压

C.输入电压控制输出电压

D.输入电压控制输出电流V

23.通用型集成运放适用于放大（）［单选题］*

A.高频信号

B.低频信号V

C.任何频率信号

D.中频信号

24.下列对集成电路运算放大器描述正确的是（）［单选题］*

A.是一种低电压增益.高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

B.是一种高电压增益低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

C.是一种高电压增益.高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路

D.是一种高电压增益.高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路V

25.差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）［单选题］*

A.增加一倍

B.为双端输入时的一半

C.不变V

D.不确定

26.电流源的特点是直流等效电阻（）［单选题］*

A.大

B./JW

C恒定

D不定

27.串