第二课堂提高磁能位移电流电磁波光的干涉

1、互感

N2N,电源

k2 L12W1 L12

合上开关k2电流i2增大时,在回路1中的互感电动12

12I1dt

M12I1di2 2 2线圈2的电流从0到I2,电源2 N

k2 2L12W L12

WmW1W2W12

1LI21LI2MI21 12 AImm0rr0dI解：1）B0I 0 2(dd d

r r

0BdS 0B1 dL0

I d I LI2 ln 0 ln

0I

FBI＝ AFdx

2dI dx

I ln

2x

1LI2-1LI I2 d I ln

ln2>0：磁能增加 r0 由回路中变化而产生）做功。 dd(LI)LdIIdLI 2

IAL

dtI(LL)＝

lnI I

IAF

ln20 ln2 ln2 AAF试求（1）环内的电流I;(2)外力作的功。 dLdI LI开始时，I0=0，磁通量也为0

R2

L

dLdI LI

R2

IL

W2

LI2

2R4IdjddS

tdD dS

(D0E DS dEr dt

0IcRIcRIc

H2rILH

1rdE dtBH

oordE

x2x2

R d

R2q

R2v

323

R2) (x2R2(x2R232LHdlIcLHdlIcH 4(x2R2)32

rR BH 4(x2R2) qvrsin34(x2

R2) 0qv r3例2、练习册P807如图所示，圆形平板电容器半径为a， Ldiq0 Uq didqCd

d2U

U

t UUU0cost

DE

U

HdlH2rL

2B0H

0r

r

1 BdS hdr

4

d(dD) 0 hl0 11

(

B0E HB

c dW dV dAcdtSd dAdc0E

cdtESEB ES电磁波的能流密度（坡印廷）矢量 S (EB)E0

0E2E2(pc)2(c0

pc

c ppctAc Fp A Ppc若一个完全的反射表面Pcc

ii0cos(t

0

t

jdi

Q0idt0sin(tE0

0

cos(t2B

B2rj

B

cos(t SE SEHE

sin(t)cos(t)02(R20

S1SdtT S S

n1,10

,

nrn 1

S 20k2k1

k

2π λ λ0

II1+I2+ 22

n2(ACCB)

n2 n1n2

dsindDpx SB

d S2DxkD

ds1

k1 P rr dd

dk2M移G G

'

2d=k n12n12

2n2sin2i(λ/

n2 3若膜厚、波长一定,入射角发生变化，则不同i的两反射光的光程差e

ee

(

sinel ee'1） 2bb Rrkr2k2ekλ/22ek1λ/2(k1)

看出:(1)k 条纹（一组同心圆）的圈数N有如下关系：eR e 设R'R0

(DeN

(D

D2(RR')

8R'R0N D2(R0R'N

2N1

D2(RR') 8R'R0 RR0R' 的实验中550nm的单色光垂直入射。

r2

d S2D

d r2r1r'2ener'1

x 210D r'2ener'1r2ener1(n1)e（3）12r22r1222(r2ene)2r1k'(kN 2SB212(n1)eNN片厚度的关系，d=0时，c点的光强为I0, 解：1）r2dndr1n22(nI1I110I4Icos2102

I

I020

(n 2）(n

(2k

1) d1(2k1) n1 3）c

(2A)2A222A25A24A2AA24 II054cos(2(n1)d 4

空气隙的反射光R,d0=2。（1）试分析条纹的特点（形状、分布、级次高 若共移动了/4,BRee2e22d

(d

r2ed0

kmaxk1,2,3,2e

22(d02R)2 2Rd(k2Rd(k02r12Rd0(k2)R（3）下移4

，最小间距的光程差2 d 2d 2d'5kk

d

2

）2n(eA

580

2

A （2）

eB 1212解：因为三束反射光的振幅相等叠加后的总强度为零，所以三233223反射光的位相差(23322331

12n0n1 ＝22

1e 1 n1n2, n2

2n2e2＝22

e2

i薄膜

ifi已知：入射光波长为，薄膜厚为e200透镜焦距f ：（）