实验四 集成门电路参数测试

实验四集成门电路参数测试第一页，共十四页，编辑于2023年，星期二二、实验原理要点

1、TTL与非门主要参数

（1）空载导通电流Iccl；空载截止电流Icch。Iccl和Icch的大小标志着与非门电路在静态情况下功耗的大小，Iccl和Icch二者越小越好。（2）低电平输入电流IIL。IIL是指当一个输入端接地，而其他输入端悬空时，流向接地端的电流，又称为输入短路电流。IIL关系到前一级门电路能带动负载的个数。IIL过大或过小都不好。（3）高电平输入电流IIH。IIH是指当一个输入端接高电平，而其他输入端接地时，流过接高电平输入端的电流，又称为交叉漏电流。IIH主要作为前级门输出为高电平时的拉电流，不宜太大。第二页，共十四页，编辑于2023年，星期二（4）输出高电平VOH；输出低电平VOL。VOH是指与非门一个以上的输入端接低电平或接地时，输出的电压大小。VOL是指与非门的所有输入端均接高电平时，输出电压的大小。（5）开门电平VON：使与非门输出处于低电平状态时所允许的最小输入电压；关门电平VOFF：使与非门输出处于高电平状态所允许的最大输入电压。（6）扇出系数N0：驱动同类门的个数第三页，共十四页，编辑于2023年，星期二（7）平均延迟时间Tpd=1/2(Tpdl+Tpdh)第四页，共十四页，编辑于2023年，星期二（8）电压传输特性Uo=f(Ui)电压传输特性是指输出电压UO和输入电压Ui的函数关系。第五页，共十四页，编辑于2023年，星期二（9）噪声容限电压：高电平噪声容限电压VNH=VOH(VOHMIN)-VON，表示输入为高电平时，所允许的噪声电压最大值。低电平噪声容限电压VNL=VOFF-VOL(VOLMAX)，表示输入为低电平时，所允许的噪声电压最小值。第六页，共十四页，编辑于2023年，星期二2、CMOS门电路主要参数含义

：输出高电平电压值，；

：输出高电平允许的最小电压值，；

：输出低电平电压值，；

：输出低电平允许的最大电压值，；

（）：使输出低电平为的最小输入高电平值，当时，其规范值为3.5V；

（）：使输出高电平为的最大输入低电平值，当时，其规范值为3.5V；

第七页，共十四页，编辑于2023年，星期二：高电平噪声容限，=-；

：低电平噪声容限，=-

。第八页，共十四页，编辑于2023年，星期二3、多余输入端处理方法及使用注意事项

1）TTL：悬空≈高电平，也可以通过接上拉电阻接电源Vcc，或者和其他输入端并联使用。2）CMOS：不允许悬空，根据情况接Vcc或者接地。3）电源：每个芯片都有电源和地，所以在使用时，每个芯片都必须接电源和地。4）输出端不能接地、接电源，两个输出端也不能相互连接。

第九页，共十四页，编辑于2023年，星期二三、实验任务

（一）TTL与非门74LS20直流参数测试。1、测电压传输特性（逐点法）（课后用坐标纸描点作图）Vi/V00.30.50.70.80.850.90.951.01.051.11.31.52.02.4Vo/V第十页，共十四页，编辑于2023年，星期二（二）CMOS电路参数测试1、CMOS六反相器CD4069tpd的值。如图，用5个非门串联构成闭路，用示波器测量波形的扫描周期T，测出T后→计算tpd=T/10=

第十一页，共十四页，编辑于2023年，星期二2、CMOS二输入四或非门CD4001电压传输特性Uo=f(Ui)测量（图示法）。测量方法见实验指导书P5，用XY方式观察，X通道设置为0.5V/div,Y通道设置为1V/div，注意耦合方式开关置于“DC”方式，必须先确定“0”点的位置，再用坐标纸描绘波形。第十二页，共十四页，编