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文档简介

3.1-1半导体基础知识主讲:郭瑶任务1:元器件的识别与检测《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单学习目标知识目标:

掌握半导体基础知识及应用;技能目标:

1.掌握常用仪器的使用与元器件的识别、检测;

2.培养学生良好的职业道德、安全生产、规范操作、质量及效益意识。

《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术知识链接一、半导体基础知识1.本征半导体半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体:将锗或硅材料提纯后形成的完全纯净、具有晶体结构的半导体。

半导体的导电能力在不同条件下有很大差别。一般来说,本征半导体相邻原子间存在稳固的共价键,导电能力并不强。但有些半导体在温度增高、受光照等条件下,导电能力会大大增强,利用这种特性可制造热敏电阻、光敏电阻等器件。更重要的是,在本征半导体中掺入微量杂质后,其导电能力就可增加几十万乃至几百万倍,利用这种特性就可制造二极管、三极管等半导体器件。

一、本征半导体和杂质半导体项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术半导体的这种与导体和绝缘体截然不同的导电特性是由它的内部结构和导电机理决定的。在半导体共价键结构中,价电子不像在绝缘体中那样被束缚得很紧,在获得一定能量(温度增高、受光照等)后,即可摆脱原子核的束缚(也称电子受到激发),成为自由电子,同时在共价键中留下空位,称为空穴。

在外电场的作用下,半导体中将出现两部分电流:一是自由电子做定向运动形成的电子电流,一是仍被原子核束缚的价电子(不是自由电子)递补空穴形成的空穴电流。也就是说,在半导体中存在自由电子和空穴两种载流子,这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现,同时又不断复合,在一定温度下达到动态平衡,载流子便维持一定数目。温度愈高,载流子数目愈多,导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能的影响很大。

项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术2.杂质半导体杂质半导体:将微量元素(磷或硼等)掺入本征半导体中所形成的半导体。由于掺入杂质的不同,杂质半导体可以分为N型半导体和P型半导体。N型半导体:将磷或其它五价元素掺入本征半导体中所形成的半导体。此时,自由电子成为多数载流子,空穴则成为少数载流子。P型半导体:将硼或其它三价元素掺入本征半导体中所形成的半导体。此时,空穴成为多数载流子,自由电子则成为少数载流子。注意,不论是N型半导体还是P型半导体,虽然都有一种载流子占多数,但整个晶体仍然是不带电的。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术二、PN结、半导体二极管和稳压二极管

1.PN结PN结:通常是在本征半导体的局部再掺入浓度较大的三价(或五价)杂质,使其变为P型(或N型)半导体,在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结。PN结的形成图6-1所示的是一块晶片,两边分别形成P型和N型半导体。为便于理解,图中P区仅画出空穴(多数载流子)和得到一个电子的三价杂质负离子,N区仅画出自由电子(多数载流子)和失去一个电子的五价杂质正离子。根据扩散原理,空穴要从浓度高的P区向N区扩散,自由电子要从浓度高的N区向P区扩散,并在交界面发生复合,形成载流子极少的正负空间电荷区(如图6-1所示),也就是PN结,又叫耗尽层。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

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4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

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2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术图6-1PN结的形成项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

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5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

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2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术PN结的单向导电性如果在PN结上加正向电压(又称正向偏置)即外电源正极接P区,负极接N区,则空间电荷区变窄,内电场被削弱,多数载流子的扩散运动增强,形成较大的扩散电流(由P区流向N区的正向电流)。在一定范围内,外电场愈强,正向电流愈大,这时PN结呈现的电阻很低,即PN结处于导通状态。如果在PN结上加反向电压(又称反向偏置)即外电源正极接N区,负极接P区,则空间电荷区变宽,内电场增强,致使多数载流子的扩散运动难于进行,少数载流子的漂移运动增强,形成由N区流向P区的反向电流。由于少数载流子数量很少,因此反向电流不大,PN结的反向电阻很高,即PN结处于截止状态

。应当指出,PN结具有单向导电性,这是PN结构成半导体器件的基础。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术2.二极管二极管:由PN结加上引线和管壳构成的器件(如图6-2)

。图6-2半导体二极管的结构项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

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二极管的结构与分类按材料分:硅二极管和锗二极管按结构分(如图6-3):点接触型、面接触型和平面型

图6-3半导体二极管的分类项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术点接触型二极管的特点是结面积小,因而结电容小,适用于高频下工作。主要应用于小电流的整流和检波、混频等。面接触型二极管的特点是结面积大,因而能通过较大的电流,但结电容也大,只能工作在较低频率下,可用于整流。硅平面型二极管的特点是结面积大,可通过较大的电流,适用于大功率整流;结面积小的,结电容小,适用于在脉冲数字电路中作开关管。二极管的电路符号如图6-4所示。

图6-4半导体二极管的电路符号项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

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2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术二极管的伏安特性二极管本质是就是一个PN结,具有单向导电性。二极管伏安特性如图6-5所示。图6-5硅二极管伏安特性图Uon项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术图中Uon称为死区电压,通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V。正向电压低于死区电压时,正向电流很小,只有当正向电压高于死区电压后,才有明显的正向电流。原因是当外加正向电压低于死区电压时,外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡,正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后,内电场被大大削弱,正向电流增长很快,二极管处于正向导通状态。导通时二极管的正向压降变化不大,硅管约为0.6~0.8V,锗管约为0.2~0.3V。温度上升,死区电压和正向压降均相应降低。通常认为,当正向电压U<Uon时,二极管截止;U>Uon时,二极管导通。图中UBR称为反向击穿电压,当外加反向电压低于UBR时,二极管处于反向截止区,反向电流几乎为零,但温度上升,反向电流会有增长。当外加反向电压超过UBR后,反向电流突然增大,二极管失去单向导电性,这种现象称为击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上。

普通二极管被击穿后,由于反向电流很大,一般会造成“热击穿”,不能恢复原来性能,也就是失效了。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术二极管的特性对温度很敏感,温度升高,正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。其规律是:在室温附近,在同一电流下,温度每升高1℃,正向电压减小2~2.5mV;温度每升高10℃,反向电流增大约1倍。二极管的应用范围很广,主要都是利用它的单向导电性,可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。二极管的主要参数①最大整流电流IF它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于IF,如超过IF,二极管将过热而烧毁。此值取决于PN结的面积、材料和散热情况。②最大反向工作电压UR这是二极管允许的最大工作电压,当反向电压超过此值时,二极管可能被击穿。为了留有余地,通常取击穿电压的一半作为UR。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术③反向电流IR指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好,由于反向电流是由少数载流子形成,所以IR值受温度的影响很大。④最高工作频率fM。fM的值主要取决于PN结结电容的大小,结电容越大,则二极管允许的最高频率越低。二极管的检测晶体二极管两管脚有正、负极之分,二极管电路符号中,三角一端为正极,短杠一端为负极。二极管实物中,有的将电路符号印在二极管上标示出极性,有的在二极管负极一端印上一道色环作为负极标记,有的二极管两端形状不同,平头为正极,圆头为负极。使用中应注意识别。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术晶体二极管可用万用表进行管脚识别和检测。可采用指针式万用表。检测时,万用表置于“Rⅹ1K”挡,两表笔分别接到二极管的两端,如果测得的电阻值较小,则为二极管的正向电阻,这时与黑表笔(即表内电池正极)相连接的是二极管正极,与红表笔(即表内电池负极)相连接的是二极管负极,如果测得的电阻值很大,则为二极管的反向电阻,这时与黑表笔相接的是二极管负极,与红表笔相接的是二极管正极。正常的二极管,其正、反向电阻的阻值应该相差很大,且反向电阻接近于无穷大。如果某二极管正、反向电阻值均为无穷大,说明该二极管内部断路损坏;如果正、反向电阻值均为0,说明该二极管已被击穿短路;如果正、反向电阻值相差不大,说明该二极管质量太差,也不宜使用。由于锗二极管和硅二极管的正向管压降不同,因此可以用测量二极管正向电阻的方法来区分锗二极管和硅二极管。如果正向电阻小于1KΩ,则为锗二极管。如果正向电阻为1~5KΩ,则为硅二极管。也可采用数字万用表。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术测二极管时,使用万用表的二极管的档位。若将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,则二极管处于正偏,万用表有一定数值显示。若将红表笔接二极管阴极,黑表笔接二极管阳极,二极管处于反偏,万用表高位显示为“1”或很大的数值,此时说明二极管是好的。在测量时若两次的数值均很小,则二极管内部短路;若两次测得的数值均很大或高位为“1”,则二极管内部开路。3.稳压二极管稳压二极管的工作原理

稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管,其伏安特性如图6-6所示。由图可见,其特性和普通二极管类似,但它的反向击穿是可逆的,不会发生“热击穿”,而且其反向击穿后的特性曲线比较陡直,即反向电压基本不随反向电流变化而变化,这就是稳压二极管的稳压特性。稳压二极管正常工作是在反向击穿状态,即外加电源正极接稳压二极管的N区(负极),电源负极接稳压二极管的P区(正极)。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术稳压二极管的主要参数①稳定电压Uz稳定电压是稳压管工作在反向击穿时的稳定工作电压。由于稳定电压随工作电流的不同而略有变化,因而测试Uz时应使稳压管的电流为规定值。稳定电压Uz是根据要求挑选稳压管的主要依据之一。不同型号的稳压管,其稳定电压值不同。同一型号的管子,由于制造工艺的分散性,各个管子的Uz值也略有差别。②稳定电流Iz稳定电流是指使稳压管正常工作时的最小电流,低于此值时稳压效果较差,工作时应使流过稳压管的电流大于此值。一般情况是,工作电流较大时,稳压性能较好,但电流要受管子的功耗限制,即最大稳定电流Izmax=Pz/Uz。③额定功耗Pz由于稳压管两端的电压值为UZ,而管子中又流过一定的电流,因此要消耗一定的功率,这部分功耗转化为热能,会使稳压管发热。Pz取决于稳压管允许的温升。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

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稳压二极管可用万用表进行管脚识别和检测。其检测方法与检测晶体二极管基本相同,只是稳压二极管的反向电阻要小一些。稳压值在15V以下的稳压二极管,可以用MF47型万用表直接测量其稳压值。方法是:将万用表置于“Rⅹ10K”挡,红表笔(表内电池负极)接稳压二极管正极,黑表笔(表内电池正极)接稳压二极管负极,因为MF47型万用表内“Rⅹ10K”挡所用高压电池为15V,所以读数时刻度线最左端为15V,最右端为0。对于稳压值≥15V的稳压二极管,用一输出电压大于稳压值的直流电源,通过限流电阻R给稳压二极管加上反向电压,用万用表直流电压挡即可直接测量出稳压二极管的稳压值,测量时,适当选取限流电阻R的阻值,使稳压二极管反向工作电流约为5~10mA即可。

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2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术三、半导体三极管1.三极管的结构和分类三极管有三个电极,通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,由两个PN结组成,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。从结构上看,如图6-7所示三极管内部有三个区域,分别称为发射区、基区和集电区,并相应地引出三个电极,发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。三个区形成的两个PN结分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结极电流的方向。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

1.了解电路的基本组成及各部分的作用,建立简单电路模型;

2.理解电路的基本物理量意义,掌握其计算方法;

3.了解电阻、电容、电感等电路元器件的外观、分类、特性;

4.掌握欧姆定律、基尔霍夫定律等电路基本定律;

5.熟练掌握简单电阻电路的计算。

技能目标:

1.会正确使用万用表,能对电路元件进行分类和简单测量;

2.会分析复杂直流电路,具有一定的实验操作技能;

3.会进行电流表、电压表量程扩大改装并进行校验;

4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术3.三极管的电流放大作用三极管实现放大的结构要求和外部条件三极管实现放大的结构要求是:发射区高掺杂,多数载流子电子浓度远大于基区多数载流子空穴浓度。基区做的很薄,通常只有几微米到几十微米,而且是低掺杂。集电极面积大,以保证尽可能收集到发射区发射的电子。同时需要满足的外部条件是:外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态;集电结处于反向偏置状态。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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4.会查阅有关技术资料和工具书。二、工作任务单《冶金电气技术应用》项目三模拟电子技术图6-11共发射极接法的输出特性曲线②放大区——IC平行于UCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏(对硅管而言应使UBE>0,UBC<0)。实际上,大约在UCE>1V和IB>0的区域是输出特性曲线族上的放大区。此区为放大电路中晶体管应处的工作区域。①截止区——IC接近零的区域(即IB≤0的区域),相当IB=0的曲线的下方。在截止区,集电结和发射结均处于反向偏置(即UBE<0、UBC<0)。实际上,对NPN硅管而言,当UBE<0.5V时即已开始截止,但是为了使三极管可靠截止,常使UBE≤0V。③饱和区——在靠近纵轴附近,各条输出曲线的上升部分属于饱和区,它是IC受UCE显著控制的区域,该区域内UCE的数值较小,一般UCE<0.7V(硅管)。发射结和集电结都处于正向偏置状态。对NPN型三极管,UBE>0UBC>0。在这个区域,不同IB值的各条曲线几乎重叠在一起。IC不再随IB变化,此时三极管失去了放大作用。在饱和区内,晶体管集电极和发射极之间的电压叫饱和压降,用UCES表示。其数值对小功率晶体管约为0.2~0.3V,而对大功率晶体管常可达1V以上。通常认为UCE=UBE

即UCB=0时为临界饱和状态,UCE<UBE

时为过饱和状态。在深度饱和时,小功率管的管压降为UCES通常小于0.3V.。项目一直流电路的安装、测试与分析一、学习目标知识目标:

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