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文档简介

兩種介質分界面上的邊界條件要點：介面上介質的性質有一突變，這將導致靜電場也會有突變電場、磁場的高斯定理、環路定理的積分形式在邊界上依然成立，可以把不同介質的場量用積分方程聯繫起來方程的微分形式只適用於非邊界區域，對於邊界突變處，方程的微分形式已失去意義通常用積分方程還不能直接求得空間各點場量的分佈，所以常常要將方程的積分形式變換成微分形式必須考慮用新的形式來給出邊界上各物理量的關係，亦即給出邊界條件實際上邊界條件就是把積分方程放到邊界突變處得到的結果

導體介面上的邊界條件設介面上有自由電荷積累

0

高斯定理和電流連續性方程可得0恒定電流

結論兩種不同介質的分界面上，兩部分介質的、、不同相應地有三組邊界條件

磁介質介面上，B法向連續，H切向連續電介質介面上，D法向連續，E切向連續

以上設介面上沒有自由電荷和無傳導電流兩種導體介面上，j法向連續，E切向連續電流線、電場線和磁感應線

在邊界上的“折射”

j、D、B法向分量連續，切向分量不連續——三者在兩種介面發生折射B線折射磁遮罩和靜電遮罩和磁路定理磁遮罩效果沒有靜電遮罩好

磁路定理：閉合磁路的磁動勢等於各段磁路的磁位降落和（與電路類比）它的理論依據是安培環路定理，只是將安培環路定理具體落實到與磁路的尺寸、長短有關的磁阻與磁通量上。雖然鐵磁質不滿足關係B=

0

H，但是，對於一定的H值，可由磁化曲線求得對應的B值，並由此求得該H值所對應的“相對磁導率”，所以各段磁路的

是不同的。磁動勢各段磁路的通量一樣磁阻Rm歐姆定律

磁路定理

空氣中，磁阻大，通量小

介質中，磁阻小，通量大，磁通量較多通過介質，磁力線集中在鐵芯內。串聯磁路：無分支磁路

高磁阻空氣

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