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文档简介

MOS场效应晶体管

用来推导ID-VD关系的MOSFET示意图MOS场效应晶体管理想假设：（1）忽略源区和漏区体电阻和电极接触电阻；（2）沟道内掺杂均匀；（3）载流子在反型层内的迁移率为常数；（4）长沟道近似和缓变沟道近似，即Ex为一常数（5）沟道中的电流主要是由漂移产生的（4）VD继续增加，直到漏端附近反型层电子消失，称作沟道夹断，对应于B点，此时的VD=VDS定义为夹断电压VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响(5)VD>VDS时，沟道夹断部分ΔL增宽，夹断区载流子很少，电导率减小，VD超过VDS的部分主要降落在ΔL夹断区。对于长沟道MOS,

ΔL<<L），当VD>VDS，ID基本保持不变;对于短沟道MOS（ΔL~L），当VD>VDS，ID随VD的增加略有增加VGS>VT的导通情况下，VDS对电流ID的影响（6）VG>VTH,VG越大，反型层电子越多，对应夹断的VDS越大；ID-VD特性曲线起始斜率随VG增大而增大。（7）MOS管输出电流受栅电压控制，VG<VTH,截止；VG>VTH导通，导通情况下，VD<VDS，MOS工作在线性区VD>VDS,MOS工作在饱和区。VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响MOS场效应晶体管平方律理论假设栅上电荷的变化仅由反型电荷QI变化来平衡，即耗尽层宽度不变.在MOSFET沟道中，漂移占主导作用MOS场效应晶体管MOS场效应晶体管线性区感应沟道电荷漂移电子电流

（6-70）式称为萨支唐（C.T.Sah）方程。MOSFET的半导体的电势从S端的0升到D端的VD，平板电容器在源端的电势差VG-VTH-0，漏端VG-VTH-VD，中间任一点为VG-VTH-V(y）6.5MOS场效应晶体管6.5MOS场效应晶体管

饱和区

假设在L点发生夹断，

方法二：总结MOSFET的平方律理论

NMOS：VTH>0VG<VTHMOSFET截止，ID=0

VD<VDs

VG>VTHMOSFET导通

V

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