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文档简介
半导体的体内平衡浓度0
将这种多子浓度高于体内平衡浓度的表面层叫多子堆积层,称此时的表面空间电荷层处于多子堆积状态。
多子空穴空间电荷特征:1)能带向上弯曲并接近EF;2)多子(空穴)在半导体表面积累,越接近半导体表面多子浓度越高。xQsQmEFmEcEiEvEv1Ec1EFs无空间电荷(2)VG=0,VS=0,平带半导体表面电荷堆积为0,称这种状态为平带状态。特征:半导体表面能带平直。(3)VG>0,金属接+,半导体接负EcEvEFEiqVsqVBVB是体内势:多子耗尽
ps<(po)p,空间电荷区的负电荷绝大部分为过剩的电离的受主IM++++++S------电离的受主这种状态称为多子的耗尽状态,空间电荷区为耗尽层。空间电荷特征:1)表面能带向下弯曲;2)表面上的多子浓度比体内少得多,基本上耗尽,表面带负电。QmQsx(4)VG>>0反型层界面EcEiEFEvqVsxqVqVBEg半导体绝缘体表面空间电荷区内能带的弯曲P电子称这个状态为反型状态
电子电离受主空间电荷反型少子堆积弱反型:ps<ns<(po)p
强反型:ns>(po)p
特征:1)Ei与EF在表面处相交(此处为本征型);2)表面区的少子数>多子数——表面反型;3)反型层和半导体内部之间还夹着一
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