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半导体阈值电压修正若沟道长度L短到与漏-源结深rj相当时，阈值电压VT与沟道长度L有关，此时VT随L的减少而减少半导体阈值电压修正VT随L的变化:ΔVT的计算阈值电压修正

VT随L的变化:关系曲线VDS>0VBS>0阈值电压修正VT随W的变化:表面电荷窄沟道效应若沟道宽度W窄到与表面空间电荷区宽度xdT相当时，阈值电压VT与沟道宽度W有关，此时VT随W的减少而增加阈值电压修正VT随W的变化:ΔVT的计算阈值电压修正

VT随W的变化:关系曲线阈值电压修正离子注入调整VT:原理p型半导体表面注入受主杂质Na（如B）→半导体表面净掺杂浓度↑→表面更难以反型→VT↑受主注入剂量（单位面积注入的离子数）注入前的阈值电压p型半导体表面注入施主杂质Nd（如P）→半导体表面净掺杂浓度↓→表面更容易反型→VT↓施主注入剂量（单位面积注入的离子数）注入前的阈值电压阈值电压修正离子注入调整VT:注入杂质分布1、Delta函数型分布

2、阶跃函数型分布

3、高斯函数型分布：更接近实际情况，分析较复杂。平均注入掺杂浓度注入前的掺杂浓度平均注入掺杂浓度注入前的掺杂浓度注入深度反型时，xdT<xI,VT由Ns决定；反型时，xdT>xI,VT由DI决定；阈值电压修正短沟道效应窄沟道效应阈值电压调整。漏源击穿BVDS：漏pn结击穿，与VDS、VGS均有关栅源击穿BVGS：栅氧化层击穿，只与VGS有关击穿现象VGS↑＝BVGS→氧化层电场强度Eox>临界电场强度EB＝(0.5~1)x107V/cm时，氧化层发生介电击穿当氧化层厚度50nm时，BVGS=30V，若EB＝6x106V/cm，则要求工作电压VGS<10V（安全余量为3）击穿过程针孔→凹坑→空洞→崩塌电流I↑→温度T↑→电流I↑，形成热电正反馈击穿场强的来源栅压VGS：Eox≈VGS/tox栅感应电荷QI：Eox≈QI/toxCox发自S端的载流子（形成电流IS）受沟道电场的加速在D端附近发生雪崩倍增，产生的电子被漏极收集（加入ID），产生的空穴注入衬底（产生Isub）雪崩倍增形

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