半导体场效应管

半导体场效应管Tag内容描述：<p>1、1.3 半导体三极管,一、 三极管的结构、符号和分类,二、 三极管的电流分配和放大作用,三、 三极管的特性曲线,四、 三极管的主要参数,五、 三极管的选择要点,六、 应用电路举例,一、结构、符号和分类,发射极 E,基极 B,集电极 C,发射结,集电结, 基区, 发射区, 集电区,emitter,base,collector,NPN 型,PNP 型,特点：三区、三极、二结。,分类：,按材料分： 硅管、锗管,按功率分： 小功率管 500 mW,按结构分： NPN、 PNP,按使用频率分： 低频管、高频管,大功率管 1 W,中功率管 0.5 1 W,双极性晶体管的常见外形图如图,图2.3.2 三极管外形图,二、放。</p><p>2、1,Chap6 金属氧化物半导体场效应管,2,概述,MOSFET： Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，是超大规模集成电路的主流器件。 图6-1：MOSFET的透视图 栅极：铝、多晶硅（poly）等 绝缘层：sio2 图中尺寸的表示：沟道长度、氧化层厚度、器件宽度,3,概述,源极和衬底、漏极和衬底形成两个PN结。 工作原理：在栅极加上足够大的电压，在栅极下方的半导体表面上会形成反型层，从而将漏极和源极连接，形成导电沟道。 N沟道和P沟道 MOSFET只有一种载流子导电，是单极器件,4,概述,导电沟道的电导受控于栅极电压，所以漏极电流的大小不。</p><p>3、第三章 金属氧化物半导体场效应晶体管,Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor MOSFET,电子科学与技术系 张瑞智,本章内容,1、MOSFET的物理结构、工作原理和类型 2、MOSFET的阈值电压 3、MOSFET的直流特性 4、MOSFET的动态特性 5、小尺寸效应,1、MOSFET的物理结构,MOSFET由一个MOS电容和靠近MOS栅控区域的两个PN结组成。,NMOSFET的三维结构图,栅 氧化层 硅衬底,源区沟道区漏区,body,金属 Al（Al 栅） 重掺杂的多晶硅（硅栅， Polycide（多晶硅/难融金属硅化物）,MOSFET的三维结构简化图。</p><p>4、金属氧化物半导体场效应晶体管,Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor MOSFET,姓名：黄钰凯 导师：凌智勇,半导体,定义：半导体( semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。,半导体按化学成分分类,锗和硅是最常用的元素半导体； 化合物半导体包括第和第族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第和第族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由-族化合物和-族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。,半导体按结构分类,P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，。</p><p>5、1.3 半导体场效应管（Field Effect Transister ,FET),一、结型场效应管 二、绝缘栅场效用管三、FET的分类 四、电路模型,一、结型场效应管1、结构,N沟道结型场效应管结构图,N型沟道,栅极,源极,漏极,对应三极管发射极,对应基极,对应集电极,2、电压对电流的控制作用,N型沟道,利用PN结的反偏电压有效控制导电沟道的宽度，从而有效控制电流,沟道最宽,1）当UDS。</p><p>6、2.3 半导体场效应管,2.3.1 结型场效应管 2.3.2 绝缘栅场效应管 2.3.3 场效应管的主要参数及电路模型 2.3.4 双极型和场效应型三极管的比较,场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。,从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场。</p>