薄膜物理课件

薄膜物理课件Tag内容描述：<p>1、蒸发源的类型,二、电子束蒸发源,电阻加热蒸发源缺点 (1) 来自加热装置、坩埚等可能造成的污染 (2) 电阻加热法的加热功率或加热温度也有一定的限制,电子束蒸发克服了电阻加热法的上述两个缺点，特别适合制备 高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料,要制备纯度很高的薄膜材料，以及蒸镀某些难熔金属和氧化 物材料时，采用电阻加热蒸发源不能满足要求,蒸发源的类型,电子束蒸发是将蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束 加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸 发镀膜技术的一种重要的加热方法和发展方向,电子束加热原理与特点,。</p><p>2、第三节 溶胶-凝胶法,一、胶体,分散体系：一种或几种物质分散在另一物质之中所构成的系统 叫分散体系,分散相：分散体系中被分散的物质,分散介质：分散体系除了分散相以外的物质,1. 胶体及其相关的概念,溶胶-凝胶法,溶胶-凝胶法,溶胶-凝胶法,溶胶-凝胶法,2. 胶体的制备,溶胶-凝胶法,例如：硫磺水溶胶的制备 氢氧化铁溶胶的制备,胶体制备的一般条件：,分散相在介质中的溶解度须极小是形成溶胶的必要条件之一,(1) 分散相在介质中的溶解度须极小,(2) 必须有稳定剂存在,溶胶-凝胶法,(1) 还原法 主要用于制备各种金属溶胶,2HAuCl4 + 3HCHO + 11KO。</p><p>3、第五章溶液镀膜法 第一节电沉积 一 金属镀层的电沉积基础 1 电沉积的基本概念 利用电化学方法在直流电场的作用下 在一定的电解质溶液 镀液 中由阳极和阴极构成回路 使溶液中的金属离子沉积到阴极 镀件 表面上的过程。</p><p>4、第四节化学气相沉积过程的动力学 热力学分析可以预测化学气相沉积过程的方向与限度 动力学因素决定了化学沉积过程的速度以及在有限时间内可以进行的程度 化学气相沉积过程的动力学 CVD过程的各个环节可以划归为两个。</p><p>5、薄膜的性能取决于薄膜的结构和成分,薄膜结构的研究可以依所研究的尺度范围划分以下三个层次：,(1)薄膜的宏观形貌，包括薄膜尺寸、形状、厚度、均匀性等,(2)薄膜的微观形貌，如晶粒及物相的尺寸大小和分布、孔洞和裂纹、界面扩散层及薄膜织构等,(3)薄膜的显微组织，包括晶粒内的缺陷、晶界及外延界面的完整性,第八章薄膜的表征方法,针对研究的尺度范围，可以选择不同的研究手段,第一节表面分析技术基础,(1)金相。</p><p>6、蒸发源的类型,二、电子束蒸发源,电阻加热蒸发源缺点 (1) 来自加热装置、坩埚等可能造成的污染 (2) 电阻加热法的加热功率或加热温度也有一定的限制,电子束蒸发克服了电阻加热法的上述两个缺点，特别适合制备 高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料,要制备纯度很高的薄膜材料，以及蒸镀某些难熔金属和氧化 物材料时，采用电阻加热蒸发源不能满足要求,铣贬雷蛤拜石藤廖公雾捂麻侣维撼太审尧涸伴帽凛哈韵咀摧锁顶凸攻歇阮薄膜。</p><p>7、第三节溶胶-凝胶法,一、胶体,分散体系：一种或几种物质分散在另一物质之中所构成的系统 叫分散体系,分散相：分散体系中被分散的物质,分散介质：分散体系除了分散相以外的物质,1. 胶体及其相关的概念,溶胶-凝胶法,溶胶-凝胶法,溶胶-凝胶法,溶胶-凝胶法,2. 胶体的制备,溶胶-凝胶法,例如：硫磺水溶胶的制备 氢氧化铁溶胶的制备,胶体制备的一般条件：,分散相在介质中的溶解度须极小是形成溶胶的必要。</p><p>8、蒸发源的类型,二、电子束蒸发源,电阻加热蒸发源缺点 (1) 来自加热装置、坩埚等可能造成的污染 (2) 电阻加热法的加热功率或加热温度也有一定的限制,电子束蒸发克服了电阻加热法的上述两个缺点，特别适合制备 高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料,要制备纯度很高的薄膜材料，以及蒸镀某些难熔金属和氧化 物材料时，采用电阻加热蒸发源不能满足要求,蒸发源的类型,电子束蒸发是将蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束。</p><p>9、合金及化合物的蒸发,化合物在蒸发过程中，蒸发出来的物质蒸气可能具有完全 不同于固态或液态化合物的成分。气相分子还可能发生一 系列的化合与分解过程。,二、化合物的蒸发,发生上述现象的直接后果是沉积的薄膜成分可能偏离原 来的化学组成,合金及化合物的蒸发,合金及化合物的蒸发,化合物的蒸发法有四种,(1) 电阻加热法,(2) 瞬时蒸发法,(3) 反应蒸发法,(4) 双源或多源蒸发法三温度法和分子束外延法。</p>