材料科学基础第四章

材料科学基础第四章Tag内容描述：<p>1、第四章第四章 固体中原子及分子的运固体中原子及分子的运 动动 内容提纲 4.1表象理论 4.2扩散的热力学分析 4.3扩散的原子理论 4.4扩散激活能 4.5无规则行走与扩散距离 4.6影响扩散的因素 4.7反应扩散 4.8离子晶体中的扩散 本章要求的主要内容本章要求的主要内容 1. 概念：扩散定律、扩散系数、纯扩 散、化学扩散、上坡扩散、下坡扩散、原 子扩散、反应（相变）扩散、自扩散、互 （异）扩散、扩散激活能，稳态扩散，非 稳态扩散，扩散通量、柯肯达尔效应 2.固态金属中原子扩散的条件 3.扩散定律的内容、适应条件、解及 应用 4.扩散系数及其。</p><p>2、4.6 点缺陷的类型及表示方法,根据对理想晶格偏离的几何位置及成分分类 填隙质点 原子（或离子）进入晶体中正常结点之间的间隙位置，成为填隙原子（或离子）。 空位 正常结点没有被原子或离子所占据，成为空结点。 杂质质点 由于外来杂质原子（或离子）进入晶格而产生。,根据缺陷产生的原因分类 热缺陷 处在晶格结点上的原子，由于热振动的能量起伏，有一部分会离开正常位置，而造成的缺陷。 热缺陷是材料固有的缺陷，是本征缺陷的主要形式。根据缺陷所处的位置，又分为弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。 杂质缺陷 由于外来杂质质点进入晶格内而。</p><p>3、缺陷反应及其书写原则,位置关系 生成物应保持原晶体化合物中不同质点的位置数目的比例不变。( 例，MaXb中，M的位置数必须与X的位置数保持a: b的比例) 质量平衡： 反应方程式两边的质量应该相等。 电中性 有效电荷数必须相等，晶体必须保持电中性。,一般形式：,MgMg + OOVMg+ VO+MgMg(表面) + OO(表面),0 VMg+VO,例子：,练习：写出往YF3中加入少量NaF的缺陷反应方程式,Na取代Y，但不进入间隙位置： Na取代Y，且进入间隙位置：,4.8 色心,F色心,VCl+e=(VCle),Na+ Ci- Na+ Ci- Na+ Cl- Cl- Na+ e- Na+ Na+ Ci- Na+ Cl- Cl- Na+ Ci- Na+ Na+ Ci。</p><p>4、第四章 固体中原子及分子的运动,气体： 扩散+对流,固体： 扩散,液体： 扩散+对流,金属,陶瓷,高分子,键属金,离 子 键,共价键,刃位错的攀移 晶粒长大（晶界迁移） 相变（固态相变、凝固） 形变再结晶 烧结 铸锭的均匀化退火 表面化学处理（渗碳、渗氮等） ,本章内容, 扩散的表象理论 扩散的热力学分析 扩散的原子理论 扩散激活能 无规则行走与扩散距离 影响扩散。</p>