场效应晶体管

场效应晶体管Tag内容描述：<p>1、常常用用场场效效应应管管及及晶晶体体管管参参数数 By Xinqi99 20081227 晶晶体体管管型型号号反反压压Vbe0Vbe0电电流流IcmIcm功功率率PcmPcm放放大大系系数数特特征征频频率率管管子子类类型型 VAWMHZ IRFU020501542*NMOS场效应 IRFPG4210004150*NMOS场效应 IRFPF409004.7150*NMOS场效应 IRFP924020012150*PMOS场效应 IRFP914010019150*PMOS场效应 IRFP46050020250*NMOS场效应 IRFP45050014180*NMOS场效应 IRFP4405008150*NMOS场效应 IRFP35335014180*NMOS场效应 IRFP35040016180*NMOS场效应 IRFP34040010150*NMOS场效应 IRFP2502003318。</p><p>2、实验三 功率场效应晶体管(MOSFET)特性与驱动电路研究一实验目的：1熟悉MOSFET主要参数的测量方法2掌握MOSEET对驱动电路的要求3掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法二实验内容1MOSFET主要参数：开启阀值电压VGS(th),跨导gFS,导通电阻Rds 输出特性ID=f（Vsd）等的测试2驱动电路的输入,输出延时时间测试.3电阻与电阻、电感性质载时，MOSFET开关特性测试4有与没有反偏压时的开关过程比较5栅-源漏电流测试三实验设备和仪器1MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分2双踪示波器（自配）3毫安表4电流表5电压表四、实验线路见图2。</p><p>3、第六章 结型场效应晶体管 l6.1 pn结场效应晶体管（JFET） l6.2 金属-半导体场效应晶体管（MESFET） l参考书 1集成电路器件电子学（第三版）Device Electronics for Integrated Circuit Richard S. Muller, Theodore I. Kamins, Mansun Chan 著王燕，张莉译 许军审效, 电子工业出版社p184-190页 2晶体管原理，刘永 张福海编著，国防工业出版社，2002.1，p273-303 6.1 pn结场效应晶体管（JFET） l6.1.1 JFET器件基本工作原理 l6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号 l6.1.3 JFET器件分析-源极接地，漏极上加小的偏压VD l6.1.4 JFET器件分析-源极。</p><p>4、第第 7 7 章章 MOSMOS场效应晶体管的基本特性场效应晶体管的基本特性 7.1 MOSFET7.1 MOSFET的结构和分类的结构和分类 7.2 MOSFET7.2 MOSFET的特性曲线的特性曲线 7.3 MOSFET7.3 MOSFET的阈值电压的阈值电压 7.4 MOSFET7.4 MOSFET的伏安特性的伏安特性 7.5 MOSFET7.5 MOSFET的频率特性的频率特性 7.6 MOSFET7.6 MOSFET的开关特性的开关特性 7.7 7.7 阈值电压的控制和调整阈值电压的控制和调整 本章重点本章重点 MOSFET的结构、种类和特点 MOSFET的直流特性和阈值电压调整 MOSFET的交流响应 双极型晶体管和场效应晶体管的区别双极型晶体管和。</p><p>5、场效应管的分类 场 效 应 晶 体 管 场效应管的特点及应用举例 本书主要介绍的是？ 什么是场效应管 先学习结型场效应晶体管 按其结构及制作工艺，可分为： 1. 结型栅场效应晶体管，包括肖特基栅场 效应晶体管 2. 绝缘栅场效应晶体管 3. 薄膜场效应晶体管 场效应管的分类 什么是场效应管 （单极型场效应晶体管） 它通过改变导电沟道的导电能力，从而 调制通过沟道的电流 FET的直流输入阻抗很高，一般可达 双极型晶体管输入阻抗一般 左右。因而 FET适合一些要求直流输入阻抗高的场合。 1. 2. 3. 4. 场效应晶体管具有以下共同特点：17 体积小。</p><p>6、l2.5 JFET与MESFET器件基础 lJFET (Junction-gate Field Effect Transistor) MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) 都是目前集成电路中广泛使用的半导体 器件. lJFET可以与BJT(双极晶体管)兼容,可用作恒流源 及差分放大器等单元电路;而MESFET是目前 GaAs 微波集成电路广泛采用的器件结构。 lMOSFET是靠静电感应电荷控制沟道电荷量, JFET与MESFET依靠势垒的空间电荷区扩展来控 制沟道的变化。 lJFET依靠pn结空间电荷区控制沟道电荷， MESFET是依靠肖基特势垒来控制沟道的变化。 2.5.1 器件结与电流控制原理 l1 结型场效应。</p><p>7、www.jyjsts.com 锦生炭素石墨烯是由sp2杂化碳原子构成的一种具有蜂窝状六方点阵结构的二维纳米材料,是构成其它维度碳材料的基础。石墨烯的长程共轭电子,使其具有优异的热学、机械和电学性能。因此,研究者对石墨烯未来在纳米电子学、材料科学、凝聚态物理以及低维物理方面的应用产生了广泛的兴趣,但石墨烯在电子领域的应用受限于它的零带隙特性。为了打开石墨烯的带隙,研究者探索了许多方法,比如剪裁石墨成量子点、纳米带、纳米网格或者把石墨烯铺到特殊的衬底上,其中一个可行的方法就是通过掺杂来调控石墨烯的电学性质,但本征石墨烯具有完。</p><p>8、毕业设计学号：14112500128毕业设计题 目：多栅指结构GaN基场效应晶体管器件工艺及版图设计作 者吴珍珍届 别2015院 部物理与电子学院专 业电子科学与技术指导老师文于华职 称讲师完成时间2015.05摘 要宽禁带半导体材料一般是定义为禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料。氮化镓(GaN)是近些年发展起来并得到广泛应用的宽禁带半导体材料之一，该材料具有禁带宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高等特性，在制作高温、高频、高功率以及制作抗辐射的电子器件方面有很大的优势，由于氮化镓的宽禁带的特点，还能制作紫外光、绿光以。</p><p>9、泓域咨询MACRO/ 场效应晶体管项目可行性研究报告目录第一章 项目概况第二章 项目单位概况第三章 背景和必要性研究第四章 市场分析第五章 建设规划第六章 项目选址方案第七章 土建方案第八章 工艺技术说明第九章 清洁生产和环境保护第十章 项目职业保护第十一章 项目风险应对说明第十二章 项目节能评价第十三章 计划安排第十四章 投资估算与资金筹措第十五章 项目经济效益可行性第十六章 项目综合结论第一章 项目概况一、项目概况（一）项目名称场效应晶体管项目（二）项目选址xxx工业示范区项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独。</p><p>10、2 电力场效应晶体管,分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction TransistorSIT）,特点用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。,电力场效应晶体管,2 电力场效应晶体管,电力MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导。</p><p>11、泓域咨询MACRO/ 硅微波场效应晶体管项目立项申请报告硅微波场效应晶体管项目立项申请报告第一章 概况一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx实业发展公司（二）公司简介本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司基于业务。</p><p>12、第三章：场效应晶体管及其放大电路,北京邮电大学电信院电路与系统中心 Gdeng263.net,内容提要,内容提要,场效应晶体管利用输入电压在管内形成的电场影响导电沟道的形状，进而控制输出电流,场效应管的特点：,输入阻抗高,抗辐射能力强,热稳定性好,重点介绍场效应管的结构、工作原理及其应用电路,N沟道增强型场效应管的结构,第一节：MOS场效应管,衬底上的箭头代表PN结的正向方向,MOS管的命名原因,沟道的含义,N沟道增强型场效应管的基本工作原理(一),第一节：MOS场效应管,栅源电压 对管工作的影响,设,时,管子截止,时,时,反型层形成，出现导电沟。</p><p>13、泓域咨询MACRO/ 年产xx场效应晶体管项目可行性研究报告年产xx场效应晶体管项目可行性研究报告规划设计 / 投资分析 年产xx场效应晶体管项目可行性研究报告目录第一章 基本信息第二章 项目基本情况第三章 项目市场研究第四章 建设规模第五章 项目选址第六章 工程设计可行性分析第七章 工艺先进性第八章 环保和清洁生产说明第九章 职业安全第十章 风险评价分析第十一章 节能评价第十二章 实施安排第十三章 项目投资方案第十四章 经营效益分析第十五章 总结说明第一章 基本信息一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx集团（二）公司简介公。</p><p>14、泓域咨询MACRO/ 年产xxx场效应晶体管项目投资计划书年产xxx场效应晶体管项目投资计划书规划设计 / 投资分析 年产xxx场效应晶体管项目投资计划书说明该场效应晶体管项目计划总投资6119.17万元，其中：固定资产投资4934.11万元，占项目总投资的80.63%；流动资金1185.06万元，占项目总投资的19.37%。达产年营业收入8959.00万元，总成本费用7037.41万元，税金及附加108.32万元，利润总额1921.59万元，利税总额2294.96万元，税后净利润1441.19万元，达产年纳税总额853.77万元；达产年投资利润率31.40%，投资利税率37.50%，投资回报率23.55%，全。</p><p>15、微电子元器件与项目训练,授课教师：余菲,第4章 MOS场效应晶体管,教师：余菲 电子邮件：yufei198275oa.szpt.net 电话：13510269257,微电子专业核心课程 教师：余菲 电话：13510269257 mail：yufei198275oa.szpt.net,讨论主题：,1. MOSFET的结构类型 2. MOSFET工作原理 3. MOSFET的直流与开关频率特性 4. MOSFET的应用,微电子专业核心课程 教师：余菲 电话：13510269257 mail：yufei198275oa.szpt.net,1. MOSFET的结构类型,英文 MOS：metal oxide semiconductor 复习： JFET： junction field effect transistor,微电子专业核心课程 教师：。</p><p>16、第七 章 结型场效应晶体管,讨论主题：,1.场效应晶体管介绍 2.JFET工作原理 3.JFET的直流特性 4.绝缘栅场效应晶体管,1.场效应晶体管介绍,什么是场效应管? 场效应晶体管【Field Effect Transistor缩写(FET)】简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.,D,S,电流,电场,1965年，按照摩尔老先生在文章中提出，芯片上集成的晶体管数量大约每18个月就将翻一番。,1971年，Intel发布了第一个微处理器4004。4004采用10微米工艺生产，仅包含2300多个晶体管，时钟频率为108KHz。,1974年，主频为2MHz的8位微处。</p><p>17、第三章 场效应三极管,结型场效应管,绝缘栅场效应管,场效应管的主要参数,下页,总目录,场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。,分类：,结型场效应管,绝缘栅场效应管,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,N沟道,P沟道,P沟道,下页,上页,首页,一、结型场效应管,1. 结构,N型沟道,N沟道结型场效应管的结构和符号,栅极,漏极,源极,下页,上页,首页,2. 工作原理,uGS = 0,uGS 0,uGS = UGS(off), 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。,ID=0,ID=0,下页,上页,首页,沟道较宽，iD 较大。,iS = iD,iD,iS,。</p><p>18、第3章 场效应晶体管和基本放大电路,3.1 场效应晶体管,3.2 场效应管放大电路,第3章 场效应晶体管和基本放大电路,作业 思考：3-1 习题：3-3、3-4、3-7、3-11,本章的重点与难点,重点: 理解场效应管的工作原理； 掌握场效应管的外特性及主要参数； 掌握场效应管放大电路静态工作点与动态参数（Au、Ri、Ro）的分析方法。 难点: 通过外部电压对导电沟道的控制作用说明结型场效应管及绝缘栅型场效应管的工作原理。,分类：结型(JFET) 绝缘栅型(IGFET),场效应管输入回路内阻很高(1071015)，热稳定性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。,仅靠多。</p><p>19、第一章 电力半导体器件,1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3 可关断晶闸管(GTO) 1.4 电力晶体管(GTR) 1.5 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 1.7 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护,1.5 功率场效应晶体管全控型,1.5.1 P-MOSFET的结构与工作原理 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 1.5.3 P-MOSFET的主要参数 1.5.4 P-MOSFET的安全工作区 1.5.5 P-MOSFET的门极驱动电路,1.5 功率场效应晶体管全控型,分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称功率MOSFET（Po。</p>