电子技术课件第

电子技术课件第Tag内容描述：<p>1、第一章 变流电路分析基础,1.1 非正弦周期量表示方法,1.2 非正弦周期电量计算,1.1 非正弦周期量表示方法,非正弦周期量有两种数学表示方法：分段表示法和富氏级数表示法。 一.分段表示法 非正弦周期量每一周期重复一次，一个周期内的波形是由一段或几段曲线组成（无法写成一个统一的数学表达式），若每段曲线都有一定的变化规律和表示方法时，则可以将一个周期内的波形分段表示，并注明区间和重复周期。,非正弦周期量表示方法,例(1),分段表示法,例(2),分段表示法,例(3),分段表示法,例(4),分段表示法,非正弦周期量表示方法,优点： 分段表示法。</p><p>2、N P N E B C B C E B C E E B C N P N C N P N C N P N C B E C B C E B C E B C E B C E B C E B C E B C E 0 4 3 2 1 3 6 9 12 BB BB G S D B G S D B B G S D B G S D B + + + + + + + + 270 180 90 0 E BC CCCS + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + B EC + + + B EC D G S D G S + + + + + 1 2 1 2 VT VT。</p><p>3、电子技术,第22章 存储器和可编程逻辑部件,Zhangli 制作,大连理工大学电气工程系,课堂讨论,22.1 只读存储器,22.2 随机存储器,22.3 可编程逻辑器件,第 22 章 存储器与可编程逻辑器件,下一章,上一章,返回主页,Zhangli 制作,大连理工大学电气工程系,第 22 章 存储器和可编程逻辑部件,按存储功能分 只读存储器（ROM） 随机存储器 ( RAM ) 按构成元件分 双极型存储器：速度快，功耗大。 MOS 型存储器：速度慢，功耗小，集成度高。,半导体存储器分类,22.1 只读存储器,Zhangli 制作,大连理工大学电气工程系,一、ROM 的结构框图,第 22章 存储器和可。</p><p>4、电子技术,第18章 集成运算放大器,Zhangli 制作,大连理工大学电气工程系,第 18 章 集成运算放大器,课堂讨论,课堂讨论,18.1 集成运算放大器概述,18.2 负反馈放大电路,18.3 理想运算放大器,18.4 基本运算电路,18.6 信号发生器,18.5 信号处理电路,下一章,上一章,返回主页,Zhangli 制作,大连理工大学电气工程系,一、集成运算放大器的组成,输入端,输出端,特点 输入级采用差分放大电路，KCMRR 和 ri 很高。 中间级采用多级共射电路，起电压放大作用。 输出级采用互补对称功率放大电路，ro 很小， 带负载能力很强。 直接耦合的多级放大电路， Au 。</p>