电子科学与技术专业英语

电子科学与技术专业英语Tag内容描述：<p>1、1.1 Energy bands and carrier concentration1.1.1 semiconductor materials New words:Semiconductor n. 半导体; conductivity n. 导电性 ; Resistivity n. 电阻率 ; impurity n. 杂质; Bipolar transistor 双极型晶体管 ; rectifier n. 整流器; Photodiode 光电二极管; device n. 装置；策略；图案; leakage currents 泄漏电流 magnetic adj. 有吸引力的；有磁性的；Quartz n. 石英; aluminum n. 铝; illumination n. 照明。</p><p>2、电材专业英语课文翻译Semiconductor Materials 1.1 Energy Bands and Carrier Concentration 1.1.1 Semiconductor Materials Solid-state materials can be grouped into three classesinsulators(绝缘体）, semiconductors, and conductors. Figure 1-1 shows the electrical conductivities (and the corresponding resistivities 1/)associated with(相关） some important materials in each of three classes. Insulators such as fused（熔融） quartz and glass have very low conductivities, in the order of 1E-18 to 1E-8 S。</p><p>3、One useful feat feature of a p-n junction is that current flows quite freely in the p to n direction when the p region has a positive external voltage bias relative to n (forward bias and forward current ) , whereas virtually no current flows when p is made negative relative to n (reverse bias and forward current ) . this asymmetry of the current flow makes the p-n junction diode very useful as a rectifier block. As an example of rectification characteristic, suppose a sinusoidal a-c gener。</p><p>4、2载流子的运输现象在这一节中，我们将会去分析各种各样的载流子运输现象。这种现象发生在电场和浓度梯度影响下半导体中的载流子运动。我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值。回到平衡条件下，载流子的产生和复合过程将会在后面的章节中讨论到。我们在半导体的装置运算中取得一个基本的控制方程，它包括电流密度方程和连续方程。这一节我们对高场效应作了一个简单的讨论，高场效应会导致速度饱和和碰撞电离。这一节讨论到这就结束了。P18P16 考虑一个在。</p><p>5、电子科学与技术专业英语复习资料一，单词翻译（20分）晶体生长 crystal-growth 混合电路 hybrid circuit异质结 heterojunction 集电结 collector junction 发射结 emitter junction 基区 base region 肖特基接触 schottky contact 复合 recombination 固相扩散 Solid phase diffusion 多晶硅 polycrystalline 微波器件 microwave devices 损耗 depletion 漏电流 leakage current 多数载流子 majority - carrier 少数载流子 minority - carrier。</p><p>6、电子科学与技术 专业英语 第三章大部分翻译（P139）3.1晶界生长与外延正如前面第一章所讨论的那样，在分立器件和集成电路中最重要的两种半导体是硅和砷化镓，在这一章我们叙述这两种半导体的常用的单晶生长技术，基本的工艺流程是从原料到抛光晶片，原料经过化学处理做成一个用来生长单晶的高纯多晶半导体。单晶硅锭铸形，以定义材料的直径，这些晶片经过腐蚀和抛光来提供一个光滑的特定的且器件将做在上面的表面。一种和单晶生长密切相关的技术包含一个单晶半导体层在一个单晶半导体衬底的生长，这叫外延，它是从希腊语epi和taxis得来的。</p><p>7、2载流子的运输现象在这一节中，我们将会去分析各种各样的载流子运输现象。这种现象发生在电场和浓度梯度影响下半导体中的载流子运动。我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值。回到平衡条件下，载流子的产生和复合过程将会在后面的章节中讨论到。我们在半导体的装置运算中取得一个基本的控制方程，它包括电流密度方程和连续方程。这一节我们对高场效应作了一个简单的讨论，高场效应会导致速度饱和和碰撞电离。这一节讨论到这就结束了。P18P16 考虑一个在。</p><p>8、2载流子的运输现象在这一节中，我们将会去分析各种各样的载流子运输现象。这种现象发生在电场和浓度梯度影响下半导体中的载流子运动。我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值。回到平衡条件下，载流子的产生和复合过程将会在后面的章节中讨论到。我们在半导体的装置运算中取得一个基本的控制方程，它包括电流密度方程和连续方程。这一节我们对高场效应作了一个简单的讨论，高场效应会导致速度饱和和碰撞电离。这一节讨论到这就结束了。P18P16 考虑一个在。</p>