第一性原理计算
内蒙古科技大学硕士学位论文 摘要 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法。第一部分研究工作是通过计算结构总能量和结合能考察最低能量构型。掺杂ZnO稀磁半导体磁性的第一性原理计算。磁光效应和材料磁光性质的第一性原理计算。稀磁半导体( D M S ) 能够同时利用电子的电荷和自旋来进 行信息的处理和存储。
第一性原理计算Tag内容描述:<p>1、华中科技大学博士学位论文掺杂ZnO稀磁半导体磁性的第一性原理计算姓名:梁培申请学位级别:博士专业:微电子学与固体电子学指导教师:江建军20090520ZnOZnOZnO-251439 K-VZnVOVZn3dZnO-ZnOZnOZnOZnOZnOVZnZnOVOI-ZnOCo-AlZnOAlAl-2pCo-3dp-dFe-AlZnOFeZn。</p><p>2、磁光效应和材料磁光性质的第一性原理计算,南京大学物理系和固体微结构物理实验室 计算凝聚态物理组,董锦明 翁红明,Collaborators: Y. Kawazoe, T. Fukumura and M. Kawasaki IMR, Tohoku University, Sendai, Japan,一.磁光效应的基本知识,1845年,法拉第(Faraday)发现线偏振光的偏振方向在外加磁场方向平行于光线传播方向的样品中会发生旋转。1877年克尔(Kerr)在反射光线中发现了同样的现象。,随后不久,Zeeman, 等磁光效应被相继发现。,角动量守恒,1915年左右,开始研究x-射线范围内的磁光性质 1930年,Hulme指出自旋轨道耦合是磁性。</p><p>3、分类号:____________ 密 级:______________ :____________ 单位代码:______________ 北京科技大学硕士学位论文北京科技大学硕士学位论文 论文题目:论文题目: 指指 导导 教教 师:师。</p><p>4、中文摘要 S n 0 2 是宽带隙半导体材料,被广泛应用于光电器件中。本论文中,我们利用 基于密度泛函理论的第一性原理,一方面计算了S n 0 2 和S b 掺杂S n 0 2 的电子 结构与光学性质,并讨论了氧空位对其电子结构与。</p>