高纯铝粉

高纯铝粉Tag内容描述：<p>1、ICS 77.160 H 71 DB41河南省标准DB 41/T1672018高纯度铝粉高purity aluminum powder 2018-09-29发布2018-12-29河南质量技术监督局部署河南省标准公共服务平台河南省标准公共服务平台DB41/T 11.II 1范围.1 3术语和定义。</p><p>2、现 代技 术陶 瓷 1 9 9 5年第 3期 总第 6 5期 A A C H热解法制取高 纯超细氧化铝粉 竺 是 兰寡 一 7 十 b J 中 国有色 金属工业 总公 司郑州轻 金属研 究院 f 摘 要 对 A AC H Ammo n l u m D a w s n i t e 热解 法。</p><p>3、高纯试剂 400-620-6333www.aladdin- 1 高纯试剂性能及应用 高纯试剂简介 超净高纯试剂 高纯试剂简介 高纯试剂定义 纯度远高于优级纯的试剂叫做高纯试剂。是在通用试剂基础上发展起来的，是为了专门的使用。</p><p>4、Intershield 300 耐磨铝粉纯环氧漆耐磨铝粉纯环氧漆 产品叙述产品叙述一种淡色 耐磨 纯环氧铝粉涂料 具有极佳的长期耐腐蚀性和低温施工特性 预期用途预期用途一种通用底漆 可直接施工在经机械处理的车间底漆上 适于。</p><p>5、I C S7 1 1 0 0 2 0 G8 6 g 雪 中华人民共和国国家标准 G B T8 9 7 9 - - 2 0 0 8 代替G B T8 9 7 9 - - 1 9 9 6 ，G B T8 9 8 0 1 9 9 6 纯氮 口 、同纯氮和超纯氮 P u r en i t r o g e na n dh i g hp u r i t yn i t r o g e na n du l t r ap u r en i t r o g e n 2 0 0 8 0 5 15 发布 2 0 0 8 11 - 0 1 实施 发布 局会勰员蜕委检理峪管瓣明标卿家刚国队国 韬扣 刖昌 G B T8 9 7 9 - - 2 0 0 8 本标准代替G B T8 9 7 9 - - 1 9 9 6 纯氮和G B T8 9 8 01 9 9 6 高纯氮。 本标准与G B T8 9 7 91 9 9 6 和G B T8 9 8 0 19 9 6 相比主要。</p><p>6、使用高纯氢气高纯氢气中微量杂质的分析 高纯氢气中微量杂质的分析 中国科学院大连化学物理研究所 弓言朱蓬乾王贵悦丁锐一 随着时代的发展，人类豹进步，工监氢气在我匡的石油化工、电力、檄电子、航天、冶金等韭企韭广泛被用佟愿辩气、保护气、燃辩气等。过去误认为是。将来的能源”、。危险的能源”、。昂贵的能源”的氨能，现在被称之。</p><p>7、丫S 中华人民共和国有色金属行业标准 Y S / T 4 3 一 9 2 0 ! 石】纯石 申 1 9 9 2 一 0 3 门 9 发布 1 9 9 3 一 0 3 一 0 1 实施 中国有色金属工业总公司发 布 中华人民共和国有色金属行业标准 Y S / T 4 3 一9 2 高纯砷 主颐内容与适 用范 围 本标准规定了高纯砷的产品分类、 技术要求、 试验方法、 检验规则和标志、 包装、 运输、 贮存。 本标准适 用于工业砷为原料， 经升华、 氯化、 精馏和还原等而制得纯度不小于 9 9 . 9 9 9 %和 9 9 . 9 9 9 9 %的砷。 产品供制备卜 V族化合物半导体和高纯合金， 用作硅、 锗单晶的掺杂剂等。 弓。</p><p>8、I C S7 7 1 5 0 4 0 H6 2 镭雪 中华人民共和国国家标准 G B T2 6 0 1 6 2 0 1 0 2 0 11 0 1 1 0 发布 。- _ j E j 同纯镍_ U，- 、 H i g hp u r i t yn i c k e l 2 0 11 - 1 0 - 0 1 实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局借者 中国国家标准化管理委员会履1 9 刖罱 本标准的附录A 为规范性附录。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准由金川集团有限公司负责起草。 本标准主要起草人：武浚、杨艳、卢越刚、马永峰、白延利、邱平。 G B T2 6 0 1 6 2 0 1 0 1 范围 高纯镍 G B X。</p><p>9、I C S7 7 1 5 0 9 9 H6 6 a 雪 中华人民共和国国家标准 G B T1 0 11 8 2 0 0 9 代替G B T1 0 1 1 8 一1 9 8 8 2 0 0 9 - i O - 3 0 发布 _ _ _ _ l E j 同纯镓，U，憎 H i g hp u r i t yg a l l i u m 2 0 1 0 0 6 0 1 实施 宰瞀髋鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会促1 9 刖吾 本标准代替G B Ti 0 1 1 8 1 9 8 8 ( 高纯镓。 本标准与G B T1 0 1 1 8 一1 9 8 8 相比，主要有如下变动： 增加了检出杂质元素的种类； 降低了原标准中检出杂质元素的含量； 引入了M B E 级牌号高纯镓； 对原标准的试验方法进行了修改，增加了辉光质谱。</p><p>10、中华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G B / T 1 0 6 2 4 一 1 9 9 5 高纯氮 Hi g h p u r i t y a r g o n 代替 G B GR 1 0 6 2 4 - 8 9 1 0 6 2 5 - 8 9 1 主题内容与适用范围 本标准规定了高纯氢的技术要求、 检验方法、 检验规则以及标志、 包装、 运输、 贮存。 本标准适用于以深冷法从空气、 合成氨尾气中提取的气瓶包装的高纯气态氢。 高纯氢主要用作半导体工业， 稀有金属、 有色金属的冶炼， 焊接中的保护气， 特种灯泡的充填气， 气 相色谱分析用载气及配制标准气的底气等。 分子式: A r 相对分子质量: 3 9 . 9 4 8 ( 按 1 9 9 1 年。</p><p>11、I C S7 7 1 5 0 9 9 H6 2 园雪 中华人民共和国国家标准 G B T1 0 1 1 7 2 0 0 9 代替G B T1 0 1 1 7 1 9 8 8 2 0 0 9 - 1 0 - 3 0 发布 纯镟l 。J l “，U H i g hp u r i t ya n t i m o n i u m 2 0 1 0 - 0 6 - 0 1 实施 宰瞀鳃紫瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘1 1 1 高 前言 G B T1 0 1 1 7 2 0 0 9 本标准代替G B T1 0 1 1 7 1 9 8 8 高纯锑。 本标准与G B T1 0 1 1 7 1 9 8 8 相比，主要有如下变动： 增加了“规范性引用文件”； 化学成分增加“杂质总量含量”一栏，并对杂质的含量做了一些调整，主要是金、镉、铅的技术。</p><p>12、I C S7 7 1 5 0 7 0 H6 2 圆亘 中华人民共和国国家标准 G B T2 6 0 1 8 2 0 1 0 2 0 1 1 0 1 1 0 发布 I E 同纯钴 U H H i g hp u r i t yc O b a l t 2 0 1 1 1 0 0 1 实施 丰瞀鹊鬻瓣警矬赘星发布中国国家标准化管。</p><p>13、I C S7 7 1 5 0 3 0 H6 2 缮园 中华人民共和国国家标准 G B T2 6 0 1 7 2 0 1 0 2 0 1 1 0 1 1 0 发布 E 同纯铜 1 1 U I H i g hp u r i t yc o p p e r 2 0 1I 1 0 0 1 实施 宰瞀髅紫瓣警糌瞥翼发布中国国家标准化。</p><p>14、二 电子工业 在一些电子材料的生长与衬底的制备 氧化工艺 外延工艺中以及化学气相淀积 CVD 技术中 均要采用氢气作为反应气 还原气或保护气 半导体集成电路生产对气体纯度要求极高 比如氧杂质的允许浓度为10 12等 微。</p><p>15、一、概述,国内外生产盐酸的方法有三种，即三合一工艺、热回收分体式工艺和分体式工艺。三合一工艺具有工艺流程短，操作简单等优点，但设备维修量稍大。热回收分体式工艺具有操作容易，设备维修简单，热回收利用率高等优点，但工艺流程较长，设备加工要求高。分体式工艺具有操作容易、设备维修简单、产品质量控制容易等优点，但工艺流程较长。考虑本项目盐酸规模不大，并且主要为生产自用，为节省占地，拟采用三合一工艺生产盐酸。</p><p>16、高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混合，在电炉中加热至16001800而制得纯度为95%99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度。</p><p>17、中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准UDC 669 71 高纯毛 吕 Gs 81 79一 8 7 Hi g h p u r i t y a l u mi n i u m 本标准适用于以优质精铝为原料 采用定向凝固提纯法生产的高纯铝 供电子工业 高纯合金 和激光材料等用 1。</p><p>18、高纯砷制取 以粗砷或白砷为原料，经过提纯和还原产出纯度在99.999以上高纯砷的过程。高纯砷是制造砷化镓、砷化锗和硅半导体的掺杂材料，广泛用于半导体等工业部门。高纯砷的制取方法有以粗砷为原料和以白砷为原料两种。由粗砷制取高纯砷一般以含砷9599的粗砷为原料，工艺流程如图1。该流程由真空升华、氯气194氯化、精馏提纯、氢还原等过程组成。升华在特制的升华炉中进行，控制温度888K以。</p>