IGBT和可控硅

IGBT和可控硅Tag内容描述：<p>1、IGBT 与晶闸管与晶闸管 两者都是开关元件，IGBT 驱动功率小而饱 IGBT 的栅极 G 和发射极 E发射极 E 要厂家：ST、PHILIPS 、MOTOROLA、NEC、MITSUBISHI、 1.整流元件（晶闸管）整流元件（晶闸管） 简单地说： 整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的 单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管,晶闸管等元件通过整流来实 现.除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管 GTO,逆导晶闸管， 双向晶闸管， 整流模块,功率模块 IGBT,SIT,MOSFET 等等,这里只探讨晶闸管. 晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅.是一种功。</p><p>2、IGBT与晶闸管电气专业 IGBT和可控硅的区别两者都是开关元件，IGBT驱动功率小而饱和压降低。前者可高频率开关 后者就差劲。前者价格高。有待完善.IGBT的栅极G和发射极E发射极E IGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOS。</p><p>3、目录可控硅元件的工作原理及基本特性可控硅元件可控硅元件的结构可控硅知识的问与答可控硅元件可控硅整流电路如何鉴别可控硅的三个极晶闸管的工作原理可关断晶闸管（GTO）硅控制开关（SCS）逆导晶闸管(RCT)硅双向开关（SBS)硅单向开关SUS（单向触发晶体管）双向触发二极管（DIAC)固态继电器简介S/HS固态继电器原理与应用向强。</p><p>4、IGBT、晶闸管（可控硅）、MOS场效应管的测量IGBT好坏判断 ：将万用表拨在R10K挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表。</p><p>5、闸流管 闸流管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送 出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。 导通 让门极相对阴极成正极性，使产生门极电流，闸 流管立即导通。当门极电压达到阀值电压 VGT，并导 致门极电流达到阀值 IGT，经过很短时间 tgt（称作门极 控制导通时间）负载电流从正极流向阴极。假如门极 电流由很窄的脉冲构成，比方说 1s，它的峰值应增 大，以保证触。</p><p>6、双向可控硅整流器及其触发电路 双向晶闸管是一种功率半导体器件，也称为双向晶闸管，可用作单片机控制系统中的功率驱动器件。由于双向晶闸管无反向耐压问题，控制电路简单，特别适合用作交流无触点开关。双向晶闸管通常连接到一些大功率电器，并连接到一个强大的电网。其触发电路的抗干扰问题非常重要。通常，来自微控制器控制系统的触发信号通过光电耦合器加载到晶闸管的控制极。为了减少驱动电源和可控硅触发造成的干扰，交流电。</p><p>7、闸流管 闸流管是一种可控制的整流管 由门极向阴极送 出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极 导通 让门极相对阴极成正极性 使产生门极电流 闸 流管立即导通 当门极电压达到阀值电压 VGT 并导 致门极电流达到阀值 IGT 经过很短时间 tgt 称作门极 控制导通时间 负载电流从正极流向阴极 假如门极 电流由很窄的脉冲构成 比方说 1 s 它的峰值应增 大 以保证触发 当负载电流达到闸流管的。</p><p>8、双向可控硅的特性和使用 普通可控硅 VS 实质上属于直流控制器件 要控制交流负载 必须将两只可控硅反极性并联 让每只SCR控制一个半波 为此需两套独立的触发电路 使用不够方便 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而。</p><p>9、第七章 晶闸管及应用电路,一种大功率半导体器件，出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域 。,体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容 量大（正向平均电流达千安、正向耐压 达数千伏）。,71 晶闸管(可控硅SCR),应用领域：,逆变,整流 （交流,直流）,斩波,（直流,交流）,变频,（交流,交流）,（直流,直流）,此外还可作无触点开关等,7.1. 基本结构,20.1。</p><p>10、闸流管 闸流管是一种可控制的整流管 由门极向阴极送 出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极 导通 让门极相对阴极成正极性 使产生门极电流 闸 流管立即导通 当门极电压达到阀值电压 VGT 并导 致门极电流达到。</p><p>11、电子技术基础,单向可控硅的结构和工作原理,主讲教师：曾素云,二000年十月,软件制作：谢志文,一、结构和符号：,1、结构：,四层半导体,J1,J2,J3,三个PN结,三个电极,阳极A：从P1引出,阴极K：从N2引出,控制极G：从P2引出,2、符号：,图形符号：,文字符号：SCR，CT，KG等,阳极,阴极,控制极,P1,N1,N2,P2,单向可控硅的结构和工作原理,二、工作原理,1、演示。</p><p>12、双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。。</p><p>13、可控硅和固态继电器的区别 txt51自信是永不枯竭的源泉 自信是奔腾不息的波涛 自信是急流奋进的渠道 自信是真正的成功之母 可控硅和固态继电器的区别是什么 固态继电器只是相当于一个开关 不能调节电流 可控硅能控制。</p><p>14、单向可控硅的结构和工作原理,一、结构和符号：,1、结构：,四层半导体,J1,J2,J3,三个PN结,三个电极,阳极A：从P1引出,阴极K：从N2引出,控制极G：从P2引出,2、符号：,图形符号：,文字符号：SCR，CT，KG等,阳极,阴极,控制极,P1,N1,N2,P2,单向可控硅的结构和工作原理,二、工作原理,1、演示实验：,实验电路图如下：,不亮,不亮,亮,亮,只在阳极和阴极间加正。</p><p>15、晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容 一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端 并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数断态电压临界上升率dlv/dlt。它表 明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可。</p>