霍尔效应测磁场

霍尔效应测磁场Tag内容描述：<p>1、实 验 报 告学生姓名： 学 号： 指导教师： 实验地点： 实验时间：一、实验室名称：霍尔效应实验室 二、 实验项目名称：霍尔效应法测磁场三、实验学时： 四、实验原理：（一）霍耳效应现象将一块半导体（或金属）薄片放在磁感应强度为B的磁场中，并让薄片平面与磁场方向（如Y方向）垂直。如在薄片的横向（X方向）加一电流强度为的电流，那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z方向将产生一电动势。如图1所示，这种现象称为霍耳效应，称为霍耳电压。霍耳发现，霍耳电压与电流强度和磁感应强度B成正比，与磁场方向薄片的厚度d反比，即（1）式中。</p><p>2、4.1.1. 霍尔元件测量磁场置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。利用它可以测量磁场；可以研究半导体中载流子的类别和特性等；也可以利用它制作传感器，用于磁读出头、隔离器，转速仪等。量子霍耳效应更是当代凝聚态物理领域最重要的发现之一，它在建立国际计量的自然。</p><p>3、海量资料超值下载霍尔效应测量磁场一、实验目的 1了解霍尔效应的物理意义。2学会用霍尔元件测量磁场的方法。二、实验仪器霍尔效应实验仪HL-4、霍尔效应测试仪HL5三、实验原理图1 产生霍尔电压的示意图如图1所示，设霍尔元件是由均匀的N型(即载流子是电子)半导体材料做成的，其长为L，宽为b，厚为d。如果在4、3两端按图所示加一稳定电压，则有恒定电流I沿X轴方向通过霍尔元件。若在Z方向加上恒定磁场B，沿负X轴上以速度v运动的电子就受到洛伦兹力fB的作用。则洛伦兹力fB的大小为fB=eB (1)fB的方向指向负Y轴。于是，霍尔元件内部的电子沿着。</p>