简明物理习题详解第四章

简明物理习题详解第四章Tag内容描述：<p>1、第四章 电磁学基础 静电学部分 4.2 解：平衡状态下受力分析 +q受到的力为： 处于平衡状态： （1） 同理，4q受到的力为： （2） 通过（1）和（2）联立，可得： ， + + 4.3 解：根据点电荷的电场公式： 点电荷到场点的距离为： 两个正电荷在P点产生的电场强度关于中垂线对称： 所以： 当 与点电荷电场分布相似，在很远处，两。</p><p>2、第四章 电磁学基础静电学部分4.2 解：平衡状态下受力分析+q受到的力为：处于平衡状态：（1）同理，4q受到的力为：（2）通过（1）和（2）联立，可得：，+4.3 解：根据点电荷的电场公式：点电荷到场点的距离为：两个正电荷在P点产生的电场强度关于中垂线对称：所以：当与点电荷电场分布相似，在很远处，两个正电荷q组成的电荷系的电场分布，与带电量为2q的点电荷的电场分布一样。4.4 解：取一线元，在圆心处产生场强：分解，垂直x方向的分量抵消，沿x方向的分量叠加：方向：沿x正方向4.5 解：（1）两电荷同号，电场强度为零的点在内侧；（2。</p><p>3、大学物理 试卷 一、选择题（每题2分，共2题）1、有一台吊扇，转速为n=5 r/s，吊扇转动时要受到阻力矩 Mf 的作用，一般来说，阻力矩与转速之间的关系要有实验测定，但作为近似计算，我们取阻力矩与角速度之间的关系为Mf=kw2 ，其中系数为k=2.7410-4Nmrad-2s2,试问吊扇的电机在此转速下所消耗的功率为（）A. 8.48WB. 16WC。</p><p>4、第四章 电磁学基础静电学部分4.2 解：平衡状态下受力分析+q受到的力为：处于平衡状态：（1）同理，4q受到的力为：（2）通过（1）和（2）联立，可得：，+4.3 解：根据点电荷的电场公式：点电荷到场点的距离为：两个正电荷在P点产生的电场强度关于中垂线对称：所以：当与点电荷电场分布相似，在很远处，两个正电荷q组成的电荷系的电场分布，与带电量为2q的点电荷的电场分布一样。4.4 解：取一线元，在圆心处产生场强：分解，垂直x方向的分量抵消，沿x方向的分量叠加：方向：沿x正方向4.5 解：（1）两电荷同号，电场强度为零的点在内侧；（2。</p><p>5、第四章 多组分系统热力学 4 1 有溶剂A与溶质B形成一定组成的溶液 此溶液中B的浓度为cB 质量摩尔浓度为bB 此溶液的密度为 以MA MB分别代表溶剂和溶质的摩尔质量 若溶液的组成用B的摩尔分数xB表示时 试导出xB与cB xB与。</p><p>6、第四章习题4.1 没有进行t检验，并且调整的可决系数也没有写出来，也就是没有考虑自由度的影响，会使结果存在误差。4.3中国商品进口额、国内生产总值、居民消费价格指数年份商品进口额/亿元国内生产总值/亿元居民消费价格指数（以1985年为100）19851257.89016.0 100.0 19861498.310275.2 106.5。</p><p>7、第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率比本征Si的电导率增大了多少倍？解：将室温下Si的本征载流子密度1.51010/cm3及题设电子和空穴的迁移率代入电导率公式即得：；已知室温硅的原子密度为51022/c。</p><p>8、第四个问题半导体的导电性 刘诺 4-1。对于重掺杂半导体和普通掺杂半导体，为什么前者的迁移率随温度的变化趋势不同？尝试进行定性分析。 解决方案：对于重掺杂半导体，杂质散射在低温下起主要作用，而晶格振动散射与普通掺杂半导体相比影响不大，因此此时重掺杂半导体的迁移率随着温度的升高而增加。温度继续升高后，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率降低。对于一般的掺杂半导体，由于杂质浓度低，电离杂质的散射基本。</p><p>9、泽文教学记录 初等数学研究 第四章 方程 习题详解 第四章 方程 习题详解 1 试按函数类别 将代数方程和超越方程作进一步分类 并列出分类表 解 2 方程和在有理数集上是否同解 在实数集上呢 在复数集上呢 答 在有理数集。</p><p>10、第四章 方程 习题详解1.试按函数类别，将代数方程和超越方程作进一步分类，并列出分类表。解：2.方程和在有理数集上是否同解？在实数集上呢？在复数集上呢？答：在有理数集和实数集上同解，在复数集上不同解。3.叛别下列各对方程在实数域上是否同解？为什么？（1）和；解：不同解！的解集为；而不是的解。（2）和；解：不同解！的解为；而不是的解。（3）和；解。</p><p>11、第 1 页 共 12 页 第四章第四章 原子的精细结构：电子的自旋原子的精细结构：电子的自旋 4.2.An atom is in a 2 3 2 Dstate.What is its magnetic momentand the possible values of thezcomponent of the magnetic moment z ? 试计算原子处于 2 3 2 D状态的磁矩及投影 z 的可能值。 Solution:For an atom in a 2 3 2 Dstate,we get: 1 212 2 ss 3 2 j 2l Expression of the g-Factor for a single electron: 22 2 13 2 3 113131314 22 35 22221225 22 j s sl lsl g j jj Magnetic moment: 3342 15 11 2255 jjBBB j jg。</p><p>12、第四章 刚体的定轴转动41 半径为20cm的主动轮，通过皮带拖动半径为50cm的被动轮转动，皮带与轮之间无相对滑动，主动轮从静止开始作匀角加速度转动，在4s内被动轮的角速度达到，则主动轮在这段时间内转过了 圈。解：被动轮边缘上一点的线速度为在4s内主动轮的角速度为主动轮的角速度为在4s内主动轮转过圈数为（圈）42绕定轴转动的飞轮均匀地减速。</p><p>13、第四章 狭义相对论二、光速不变原理：在真空中的光速是常数，它与光源或观察者是否运动无关，即它不依赖于惯性系的选择。一、相对性原理：物理定律在一切惯性系中都是等价的。习题1：宇宙飞船相对于地面以速度作匀速直线飞行，某一时刻飞船头部的宇航员向飞船尾部发出一个光讯号，经过(飞船上的钟)时间后，被尾部的接收器收到，则由此可知飞船的固有长度为 (表示真空中光速)。</p><p>14、半导体物理习题 第4章 半导体的导电性 2 试计算本征Si在室温时的电导率 设电子和空穴迁移率分别为1350cm2 Vs和500 cm2 Vs 当掺入百万分之一的As后 设杂质全部电离 试计算其电导率 掺杂后的电导率比本征Si的电导率增。</p>