CMOS集成电路

CMOS集成电路Tag内容描述：<p>1、TTL与CMOS集成电路 目前应用最广泛的数字电路是TTL电路和CMOS电路 1 TTL电路 TTL电路以双极型晶体管为开关元件 所以又称双极型集成电路 双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件 它。</p><p>2、CMOS集成电路制造工艺从电路设计到芯片完成离不开集成电路的制备工艺，本章主要介绍硅衬底上的CMOS集成电路制造的工艺过程。有些CMOS集成电路涉及到高压MOS器件（例如平板显示驱动芯片、智能功率CMOS集成电路等），因此高低压电路的兼容性就显得十分重要，在本章最后将重点说明高低压兼容的CMOS工艺流程。1.1基本的制备工艺过程CMOS集成电路的制备工艺是一个非常复。</p><p>3、模拟集成电路设计原理,课程摘要,采用当今流行的CMOS工艺，讨论模拟集成电路的分析和 设计原理。 建立模拟集成电路设计的基础-工艺和器件模型 模拟集成电路分析、设计和仿真的方法 层次化、自下而上的分析方法。 直观的、基于简单分析模型的分析方法。 电路设计步骤 模拟工具的正确使用,参考书,P.R.Gray “Analysis and Design of Analog Integrated Circuits” 2.Behzad Razavi “模拟CMOS集成电路设计” 3.Phillip E. Allen “CMOS 模拟集成电路设计” 其它参考书： Alan Hastings “The Art of Analog Layout” R.J.Baker “CMOS: 混合。</p><p>4、第5章CMOS集成电路的版图设计,主要内容5.1MOS场效应管的版图实现5.2版图设计规则5.3版图系统的设置5.4版图的建立5.5版图的编辑5.6棍棒图5.7版图设计方法概述,5.1MOS场效应管的版图实现5.1.1单个MOS管的版图实现1.MOS管的结构和布局MOS管的四种布局图,直线形排列的NMOS管,结构图,立体结构和俯视图,源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active。</p><p>5、,常用集成电路的识读与检测,集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅片上而形成的具有特定功能的器件，英文：Integrated Circuit，缩写 IC，俗称芯片。集成电路能执行一些特定的功能，如放大信号或存储信息。集成电路体积小、功耗低、稳定性好。集成电路是衡量一个电子产品是否先进的主要标志。,.,一、 集成电路的类型和封装 1、类型 集成电路按功能可分为模拟集成电路和。</p><p>6、CMOS模拟集成电路模拟CMOS集成电路设计2013年9月郑然嵌入式系统集成教育部西北工业大学航空微电子中心工程研究中心郑然第四章差分放大器第四章差分放大器CMOS模拟集成电路设计版权所有2013， 郑然第4章差分放大器第4.1章单端和差分的工作模式第4.2章基本差分对第4.3章共模响应第4.4章金属氧化物半导体负载差分对第4.5章增益可调放大器第4.5章模拟集成电路设计版权所有2013年郑然第。</p><p>7、1,第9章 MOS集成电路,2,内容提要,9.1 MOS IC的主要特点 9.2 MOS 倒相器 9.3 饱和负载EEMOS倒相器 9.4 E/D MOS倒相器 9.5 CMOS IC 9.6 MOS工艺 9.7 版图举例,3,9-1 MOS IC的主要特点,一、 MOSFET的主要特点 1、MOSFET是电压控制元件功耗小 2、MOSFET之间自然隔离工艺更简单，面积可以做得更小 3、可以多层。</p><p>8、标准分享网 w w w b z f x w c o m 免费下载 标准分享网 w w w b z f x w c o m 免费下载 w w w b z f x w c o m w w w b z f x w c o m 标准分享网 w w w b z f x w c o m 免费下载 w w w b z f x w c o m w w w b z f x w c o m 标准分享网 w w w。</p><p>9、差动放大器4 1 第四章差动放大器 磋估渔榴袭挝汪亦怎天掳演柑黎搜毫书翟边羚庙瞥庄簇屉莹寸谤兆瓷坚饭CMOS集成电路CMOS集成电路 差动放大器4 2 4 1单端与差动的工作方式 单端信号的参考电位为某一固定电位 通常为地电位 差动信号定义为两个结点电位之差 且这两个结点的电位相对于某一固定电位大小相等 极性相反 在差动信号中 中心电位称为 共模 CM 电平 共模电平 差动工作比单端工作有什么优点。</p><p>10、实用文档 一 选择题 1 GordonMoore在1965年预言 每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番 B A 12B 18C 20D 24 2 MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的 C A 体B 衬偏C 沟长调制D 亚阈值导通 3 在CMOS模拟集成电。</p><p>11、第一章CMOS集成电路工艺基础,1、半导体材料：,N型半导体：N-NN+,P型半导体：P-PP+,2、CMOS集成电路工艺,氧化工艺,搀杂工艺,淀积工艺,钝化工艺,光刻和腐蚀工艺,3、CMOS集成电路工艺流程,本章主要内容,第一节集成电路材料1、材料分类：从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下：金属：10E4cm,2材料的温度特性一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导。</p><p>12、一、选择题1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。（B）A.12B.18C.20D.242. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。（C）A. 体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。（D）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区。</p>