模拟CMOS集成电路设计第五章答案

模拟CMOS集成电路设计第五章答案Tag内容描述：<p>1、传输延迟 5 4动态特性 反相器传播延时取决于它分别通过PMOS和NMOS管充电和放电负载电容所需要的时间 使CL尽可能小是实现高性能CMOS电路的关键 5 4 1 计算电容值 非线性导致计算复杂 假设所有的电容一起集总成一个单。</p><p>2、,第二章 作业答案,.,2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解：,NMOS管： 假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电 当VGS0.7V时， NMOS管工作在饱和区，NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则,.,PMOS管： 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚阈值导电 当。</p><p>3、下一页上一页 集成电路设计II 下一页上一页 分层分级设计思想分层分级设计思想 设计信息描述方法设计信息描述方法 图形描述 语言描述 ICIC设计流程设计流程 （TOPTOPDOWNDOWN） 系统功能设计系统功能设计 逻辑和电路设计逻辑和电路设计 版图设计版图设计 上次课内容 下一页上一页 OUTLINE 集成电路设计特点及设计信息描述 典型设计流程 集成电路的设计规则和全定制设计方法 专用集成电路的设计方法 几种集成电路设计方法的比较 可测性设计技术 下一页上一页 种类繁多的集成电路种类繁多的集成电路 下一页上一页 集成电路设计中要考虑的因。</p><p>4、第五章 模拟IC版图,DIC和AIC技巧对比 三个关键问题 1 这个电路是做什么用的？ 2 需要多大的电流？ 2a 大电流路径和小电流路径在哪里？ 3 有哪些匹配要求？ 双极型模拟电路,school of phye,basics of ic layout design,1,school of phye,basics of ic layout design,2,规模不同 DIC：可能一千万个反相器； AIC：可能几个放大器。,DIC和AIC技巧对比,an example of digital layout, the area report is 0.3 million,school of phye,basics of ic layout design,3,规模不同 DIC：可能一千万个反相器； AIC：可能几个放大器。,DIC和AIC技巧对比。</p><p>5、第五章 模拟IC版图,DIC和AIC技巧对比 三个关键问题 1 这个电路是做什么用的？ 2 需要多大的电流？ 2a 大电流路径和小电流路径在哪里？ 3 有哪些匹配要求？ 双极型模拟电路,school of phye,basics of ic layout design,1,school of phye,basics of ic layout design,2,规模不同 DIC：可能一千万个反。</p><p>6、,第二章作业答案,.,2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线解：,NMOS管：假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电当VGS0.7V时，NMOS管工作在饱和区，NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则,.,PMOS管：假设阈值电压VTH=-0.8V,不考虑亚阈值导电当|VGS|<。</p><p>7、Chapter 5P5.1. For each problem, restate each Boolean equation into a form such that it can be translated into the p and n-complex of a CMOS gate.a.b.c.P5.2.P5.3. First, convert the equation into its p and n-complex.P5.4. The truth table is given below in terms of voltages. The function is ABF00Vdd0VDD0VDD00VDDVDD0The worse case VOH is VDD and the worse case VOL is 0V.P5.5. The first circuit is a NOR gate while the second is a NAND gate。</p><p>8、,第二章 作业答案,.,2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解：,NMOS管： 假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电 当VGS0.7V时， NMOS管工作在饱和区，NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则,.,PMOS管： 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚阈值导电 当。</p>