模拟电子技术基础试题

模拟电子技术基础试题Tag内容描述：<p>1、题目部分，(卷面共有67题,205.0分,各大题标有题量和总分)一、选择题(40小题,共132.0分)(4分)1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置(2分)21。NPN和PNP型晶体管的区别取决于____A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ，C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。2N沟道和P沟道场效应管的区别在于____A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为 N型，后者为 P型，C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。(2分。</p><p>2、模拟电子技术基础试题汇总1. 选择题1当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( )。A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( )A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设VCCVBE, LCEO0，则在静态时该三极管处于( )A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( )失真。( A)截止失真 。</p><p>3、模电基本概念复习题一、判断下列说法是否正确1、 凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。2、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有vN= vP。3、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。4、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。5、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。6、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 7、 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。8、 因为P。</p><p>4、1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。 【 】A. 83 B. 91 C. 1002、已知图所示电路中VCC12V，RC3k，静态管压降UCEQ6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3k。选择一个合适的答案填入空内。（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ； 【 】A.2V B.3V C.6V（2）当1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将 ； 【 】A.减小 B.不变 C.增大（3）在1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 ； 【 】A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波。</p><p>5、电子电工专业试卷说明：本试卷分第 卷（选择题）和第卷（非选择题）两部分，第卷XXX页，第卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。卷答案涂在答题卡上，卷答案写在试卷上。第卷（选择题，共35分）注意事项：每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。）1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大C、电流小电阻小 D、。</p><p>6、模拟电子技术基础试题汇总1. 选择题1当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设VCCVBE, LCEO0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。( A。</p><p>7、模拟电子技术基础复习题1在杂质半导体中，多数载流子的浓度与（ ）有关。a杂质浓度 b温度 c输入电压2当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。a.前者反偏、后者正偏 b前者正偏、后者正偏 c前者正偏、后者反偏；3当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（）3dB b 4dB c5dB 4负反馈放大电路的一般表达式为 ,当时，表明放大电路引入了（ ）。a 负反馈 b 正反馈 c 自激振荡5交流负反馈是指（）a 直接耦合放大电路中引入的负反馈 b 只有放大直流信号时才有的负反馈 c 在交流通路中的负反馈6稳定放大电路的放大倍数（增益。</p><p>8、填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流。</p><p>9、模拟电子技术基础模拟试卷2一、 填空题（共15分，每空1.5分）1、集成运放通常包含 、 、 、 四个部分。2、在双端输入的长尾式差分放大电路中，射极电阻对 信号无影响，对 信号具有抑制作用。3、在放大电路中，引入串联负反馈使输入电阻 ，引入电压负反馈使输出电阻 。4、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 和少数载流子的 。二、 判断题（共18分）1、判断如下(a)、(b)电路中三极管分别工作在哪个区，要求写出简单计算过程或简要说明理由。(本题6分)(a) (b)2、判断如下(c)、(d)电路是否有放大作用，并说明理由(本题6分。</p><p>10、模拟电子技术基础题库一、填空题1-12（ 第一章 ）1、杂质半导体有 型和 型之分。2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是__________电压。4、N型半导体中多数载流子是 ，P型半导体中多数载流子是 ，PN结具有 特性。5、 发射结 偏置，集电结 偏置，则三极管处于饱和状态。6、P型半导体中空穴为 载流子，自由电子为 载流子。7、PN结正偏时 ，反偏时 ，所以PN结具有 导电性。8、反向电流是由 载流子形成，其大小与 有关。</p><p>11、实用标准文案填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化。</p><p>12、模拟电子技术模拟试题一一、 填空题：（每空1分 共40分）1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）导电性。2、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开；4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。6、当温度升高时，晶体三极管集电。</p><p>13、模拟电子技术基本练习，第一章半导体二极管及其应用电路，第二章半导体晶体管及其放大电路，第三章场效应晶体管及其放大电路，第四章集成运算放大器，第六章运算放大器应用电路，第七章功率放大电路，第八章波形发生和转换电路，第九章直流电源，第五章负反馈放大电路，第一章半导体二极管及其应用电路1，填空：1。半导体是导电性介于_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _之间的物质。2.利用半导体的。</p>