模拟电子技术基础试卷-第一章复习

题目部分，(卷面共有67题,205.0分,各大题标有题量和总分)一、选择题(40小题,共132.0分)(4分)1晶体管工作在放大区时，发射结为_，集电结为_，工作在饱和区时，发射结为_，集电结为_。A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置(2分)21。NPN和PNP型晶体管的区别取决于_A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ，C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。2N沟道和P沟道场效应管的区别在于_A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为 N型，后者为 P型，C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。(2分)3晶体管工作在放大区时，发射结为_，流过发射结的主要是_；集电结为_， 流过集电结的主要是_。A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置， D、扩散电流， E、漂移电流(3分)4硅二极管的正向电压从0.65V增大10，则流过的正向电流增大_。A、约10， B、小于10 ， C、大于10(1分)5N型半导体是在纯净半导体中掺入_；P型半导体是在纯净半导体中掺入_。A、带负电的电子， B、带正电的离子，C、三价元素，如硼等 ， D、五价元素，如磷等(2分)6普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_，反向电流一般_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_，反向电流一般_。A、0.10.3V， B、0.60.8V ， C、小于 A1 ， D、大于 A1(2分)7当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 (3分)8某硅二极管在正向电压 V6.0D U 时，正向电流 mA10D I 。当 DU 增加10（即增大到0.66V）时，则 DI 约为_。A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ，D、100mA(4分)9随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度_，而多数载流子的浓度_。A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小(2分)10在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而_；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而_。A、增大 ， B、减小， C、不变(2分)11设某二极管反向电压为10V时，反向电流为 1.0 A 。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10，反向电流大约为_。 A、0.05A， B、0.1A， C、0.2A， D、1A(2分)12设某二极管反向电压为10V时，反向电流为 1.0 A。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温降低10，反向电流大约为_。A、0.01A ， B、0.05A， C、0.1A ， D、0.2A(4分)13在如图所示的电路中，当V3V时，测得I1mA， V7.0D U 。 1当V调到6V，则I将为_。A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA2保持V3V不变，温度升高20，则 DU 将为_。A、小于0.7V ， B、0.7V不变， C、大于0.7V R VD UDV I(4分)14在如图所示的电路中，当V6V时，测得I2mA， V7.0D U 。1当V降至3V时，则I将为_。A、小于1mA ， B、1mA， C、大于1mA，但小于2mA ， D、2mA2保持V不变，温下降20，则 DU 将为_。A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V R VD UDV I(2分)15设某二极管在正向电流ID10mA时。其正向压降 DU 0.65V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温升高20， DU 约为_。A、0.4V， B、0.6V ， C、0.65V， D、0.7V(2分)16在本征半导体中，空穴浓度_电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度_电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度_电子浓度。A、大于， B、小于 ， C、等于(2分)17在_中，空穴浓度大于电子浓度；在_中，空穴浓度等于电子浓度；在_中，空穴浓度小于电子浓度。 A、本征半导体， B、P型半导体 ， C、N型半导体）(1分)18在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度(4分)19已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V10V时，测得I1A 。1当V增加到20V时，I将_。A、为2A 左右， B、小于1A ， C、变化不大， D、远大于2A2保持V不变，温度升高10，则I将_。A、为2A 左右， B、小于1A ， C、变化不大， D、远大于2A R VD UDV I 10k(2分)20电路如图所示， V sin1.0i tu ，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 dr 将_。A、增大， B、减小， C、保持不变 RVDViu 1V(2分)21设某二极管在正向电流ID10mA时，其正向压降UD0.6V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温降低20，UD约为_。A、0.55V， B、0.6V， C、0.65V， D、0.75V(2分)22设某二极管在正向电流ID10mA时，其正向压降UD0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10，ID将_。A、小于10mA， B、大于10mA， C、等于10mA(6分)23在如图所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为100V，当V=10V、温度为20时，I1A 。1当V增大到20V时，则I约为_。A、10A ， B、2A ， C、1A ， D、0.5A 2当V保持10V不变，温度升高到30，则I约为_。A、10A ， B、2A ， C、1A ， D、0.5A3在实际使用中，该二极管的反向工作电压通常不应该超过_。A、100V， B、50V， C、10V R VDV I(6分)24在如图所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当V=100V、温度为20时，I1A 。1当V降低到50V，则I约为_。A、0.1A ， B、0.5A ， C、1A ， D、2A2当V保持100V不变，温度降低到10，则I约为_。A、0.1A ， B、0.5A ， C、1A ， D、2A3该二极管在反向电压为200V的电路中使用是_。A、安全的， B、不够安全的 R VDV I(4分)25已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I1A 。1当R从10 k 减小至5 k 时，I将_。A、为2A 左右， B、为0.5A 左右， C、变化不大， D、远大于2A2保持V和R不变，温度下降10，I将_。A、为2A 左右， B、为0.5A 左右， C、变化不大， D、远大于2A R VDV I 10k 20V(5分)26图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用a、b、c、d填空（如果存在多种选择，应都选择）。1要求等效PNP型，应选择_；2要求等效输入电阻大，应选择_；3要求等效UBE的温度系数小，应选择_。 ( a ) ( c )( b ) ( d )(5分)27图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用a、b、c、d填空（如果存在多种选择，应都选择）。1要求等效NPN型，应选择_；2要求基、射极静态电压小，应选择_；3要求输入电阻大，应选择_。 ( a ) ( c )( b ) ( d )(6分)28额定功耗和最大集电极电流相近的两个晶体管组成如图所示的复合管。1复合管的额定功耗约等于A、VT1管的额定功耗 ， B、VT2管的额定功耗， C、两管额定功耗之和，D、两管中额定功耗较大者， E、两管中额定功耗较小者。2复合管的反向击穿电压约等于A、VT1管的反向击穿电压， B、VT2管的反向击穿电压， C、两管的击穿电压之和，D、两管中击穿电压较大者， E、两管中击穿电压较小者 3复合管的最大集电极电流约等于A、VT1管的最大集电极电流 ， B、VT2管的最大集电极电流，C、两管的最大集电极电流之和 ， D、两管中集电极电流较大者 ，E、两管中集电极电流较小者 VT1 VT2(5分)29试判断图中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合管中进一步判断它们的等效类型。管是_；管是_；管是_；管是_；管是_。A、NPN管， B、PNP管， C、N沟道场效应管， D、P沟道场效应管， E、错误的 1 32 4 5(5分)30试判断图中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合管中进一步判断它们的等效类型。管是_；管是_；管是_；管是_；管是_。A、NPN管 ， B、PNP管， C、N沟道场效应管， D、P沟道场效应管 ， E、错误的 32 4 51(4分)31在某放大电路中，测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极是_，电极是_，电极是_（A、发射极，B、基极， C、集电极）；该晶体管的类型是_（A、PNP型 ，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_（A、40 ， B、60 ， C、100）(4分)32在某放大电路中，测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为1.2mA、0.03mA、1.23mA。由此可判断电极是_，电极是_，电极是_（A、发射极， B、基极， C、集电极）；该晶体管的类型是_（A、PNP型， B、NPN型；）该晶体管的共射电流放大系数约为_（A、40 ， B、100， C、400）(1分)33对于同一个晶体管来说， CBOI _ CEOI ； (BR)CBOU _ (BR)CEOU 。A、小于， B、大于， C、等于(1分)34随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _，穿透电流 CEOI _，在IB不变的情况下b-e结电压UBE_。A、增大， B、减小， C、不变(2分)35随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_，输出特性曲 线将_，输出特性曲线的间隔将_。A、上移， B、下移， C、左移， D、右移， E、增大， F、减小， G、不变(6分)36用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管分别处于什么状态。A、放大， B、饱和， C、截止， D、损坏 ； ； ； ； 。 ( 1 ) ( 3 )( 2 ) ( 5 ) +2V +3.7V +6V 5.6V 0.7V 6.7V 7.8V 12V 6V 3V 8.5V +12V +3V 6.3V ( 4 ) 6V(3分)371。已知某晶体管的特征频率fT=150MHz，低频时 500 ，则该管的截止频率 f约为_ A、1MHz， B、3MHz， C、10MHz， D、50MHz；2当管子工作频率达30MHz时， 约为_A、50， B、10 ， C、5 ， D、1(3分)381。已知某晶体管的截止频率 Z MH20f ，低频时 500 ，则该管的特征频率f T约为_A、10MHz， B、20MHz， C、100MHz， D、1000MHz；2当管子工作频率达200MHz时， 约为_A、1 ， B、5 ， C、10 ， D、50(6分)39用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。A、放大， B、饱和 ， C、截止 ， D、损坏 ； ； ； ； 。 ( 1 ) ( 3 )( 2 ) ( 5 ) +3.3V +2.5V +9V +12V 6.3V +0.7V 12V 6V 6V 0V +2.3V +3V 0V ( 4 ) 0.7V+3V 硅 硅锗硅 锗(6分)40用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管分别处于什么状态。A、放大， B、饱和， C、截止， D、损坏 ； ； ； ； 。 ( 1 ) ( 3 )( 2 ) ( 5 ) 0V 0V +6V +6V 0.7V 12.7V 9.2V 18V 12V 3V 8.5V +12V +3V +5.3V +5.7V( 4 )二、是非(27小题,共73.0分)(2分)1P型半导体可以通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）(2分)2晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ ）(2分)3测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。（ ）(2分)4由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。（ ）(1分)5稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ），它不允许工作在正向导通状态（ ）。(3分)6半导体中的空穴是：半导体中的晶格缺陷形成的；（ ）电子脱离共价键后留下的空位；（ ）带正电的离子。（ ） (2分)7在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。（ ）(2分)8P型半导体是呈中性的（ ），N型半导体是带负电的。（ ）(2分)9N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（ ）(2分)10在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（ ）(2分)11P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）(2分)12PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）(2分)13PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ ）(3分)14本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都不变；（ ）自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。（ ）(1分)15本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（ ）(1分)16掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（ ）(2分)17由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。 （ ）(6分)18复合管的穿透电流近似等于组成复合管的各晶体管的穿透电流之和（ ）；(2分)19用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的输入电阻比后者大（ ）；前者的噪声系数比后者小（ ）；前者静态工作点的温度漂移比后者大（ ）。(2分)20小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换（ ）；双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换（ ）。(6分)21复合管的值近似等于组成复合管的各晶体管的值乘积（ ）；(6分)22一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成PNP管（ ）；(6分)23一个NMOS管和一个PNP管可以复合成NMOS管也可以复合成PNP管（ ）；(6分)24两个MOS管可以复合成一个MOS管（ ）。(2分)25场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。（ ）(2分)26绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。（ ） (2分)27耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。（ ）=答案=答案部分，(卷面共有67题,205.0分,各大题标有题量和总分)一、选择题(40小题,共132.0分)(4分)1答案A|B|A|A(2分)2答案D|C(2分)3答案 A|D|B|E(3分)4答案C(1分)5答案D|C(2分)6答案B|C|A|D(2分)7答案A