模拟电子技术试卷

模拟电子技术试卷Tag内容描述：<p>1、知识单元一：常用元器件知识点一：二极管一、 PN结的单向导电性：1） 考核等级1，难度系数1，建议分值21. PN结的主要特性为______。(a)正向导通特性(b)单向导电性(c)反向击穿特性答案:(b)2） 考核等级1，难度系数2，建议分值22.二极管的正向电阻远______反向电阻。(a)大于(b)小于答案:(b)3.二极管的导通条件是______。(a)uD0(b)uD死区电压(c)uD击穿电压(d)uD死区电压答案:(b)4.把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为0的电池正向连接，该二极管______。(a)击穿(b)电流为0(c)电流正常(d)电流过大使管子烧坏答案:(d)5.用万用表直流电压。</p><p>2、模拟电子技术试卷二（答案） 一、选择题。（20分）1晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是（ B ）A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结正向偏置，集电结正向偏置C 发射结反向偏置，集电结反向偏置D发射结反向偏置，集电结正向偏置2图示电路中，设变压器副边电压有效值为U2，则输出电压平均值UO为（ D ）。A U2B 1.414U2C 0.9U2D 1.2U23双端输出的差分放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（ B ）。A 电压增益高B 电路的结构和参数对称性好C 输出电阻大D 采用双电源4当NPN型BJT的VCE VBE且VBE 0.5V时，则BJT工作在（ B ）。A。</p><p>3、模拟电子技术试题1一、 选择填空（30分）1本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。a：大于；b：小于；c：等于。2场效应管属于（ ）控制型器件，晶体三极管则属于（ ）控制器件。a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。3晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ ）偏置；集电结（ ）偏置。a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。4二极管的最主要特性是（ ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ ）和反映反向特性的（ ）。a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作。</p><p>4、模拟电子技术试卷（01-02学年第2学期）班级： 学号： 姓名： 成绩： 一、填空题（分）、要使晶体三极管能正常工作在放大状态，应使发射结处于 ，集电结处于 。、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是和 。、某基本放大电路，若电路原来没有失真，后换了一个值大的晶体管后，发生了失真，那么这是 失真。、在单相桥式整流电路中，如果电源变压器的副边电压有效值为V2，则每只整流二极管两端承受的最大反向电压为 。二、选择题（分）1、如右图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻RL，输入端加有正弦信号电。</p><p>5、大学模拟电子技术模电期末考试模拟试题一、 填空题：（每空1分 共40分）1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）导电性。2、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开；4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。6、当温度升高时，。</p><p>6、系别： 专业： 班级： 姓名： 学号：-密-封-线-题号一二三四五六七八总分得分评卷人2015 2016 学年度第2学期 模拟电子技术试卷（B）一（18分）、将正确答案序号填在括号内、一电压放大电路输出端接1K负载电阻时，输出电压为（有效值），负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V（有效值），则该放大电路的输出电阻为（） a、100 b、1 c、0 d、2002、图1电路中，设二极管是理想的，请问AO两端电压为（ ）图16V312VAO。</p><p>7、系别： 专业： 班级： 姓名： 学号：-密-封-线-题号一二三四五六七八总分得分评卷人2015 2016学年度第2学期 模拟电子技术试卷（A）一（18分）、将正确答案序号填在括号内、当负载电阻时，电压放大电路输出电压比负载开路（）时输出电压减少20%，则该放大电路的输出电阻为（） a、250 b、4 c、0 d、12、图1电路中，设二极管是理想的，请问AO两端电压为（ ）a、-15 b、-12 c、0 d、-2715V3。</p><p>8、系别： 专业： 班级： 姓名： 学号：-密-封-线-题号一二三四五六七八总分得分评卷人2015 2016学年度第2学期 模拟电子技术试卷（A）一（18分）、将正确答案序号填在括号内、当负载电阻时，电压放大电路输出电压比负载开路（）时输出电压减少20%，则该放大电路的输出电阻为（） a、250 b、4 c、0 d、12、图1电路中，设二极管是理想的，请问AO两端电压为（ ）a、-15 b、-12 c、0 d、-2715V3。</p><p>9、模拟电路02试卷试题下载-样卷.doc第五章 信号的运算与处理电路 习题5-1在图5-30中， 已知Rf=3R1， ui=1.5 V， 求uo。 解：A1是射极跟随器 A2是反相输入比例运算电路 图 5-305-2 在图5-31中， R1=R2=R3=R4， 试求uo与ui1、 ui2的关系式。 解：A1为同相比例运算电路，A2为减法运算电路图 5-315-3在图5-32中， uiUZ， 试写出uo与UZ的关系式， 并说明此电路的功能。 解： ，属同相输入比例运算电路，串联电压负反馈图 5-325-4求出图5-33中uo与ui1、 ui2、 ui3的关系式。 解：图 5-335-7求出图5-36中， uo与ui1、 ui2的关系式。 解： A1 ，A2均。</p><p>10、模拟电子技术测试题四一 填空题（共23分，每空1分）1. 半导体的主要特殊性能是_______, _________,__________.2. 晶体三极管饱和状态时，应使发射结处于 偏置，集电极处于 偏置。3. 某两极放大器，第一极电压放大倍数为30，,第二极电压放大倍数为40，则多极放大器总的电压放大倍数为 。4. 多级放大器直接耦合带来的问题是 和 ,一般通过 电路来抑制。5. 场效应管根据结构分类为 和 两种，________的导电机制属于体内场效应，__________的导电机制属于表面场效应。6. 场效应管属于 控制器件，其特点是 7. 集成运放内部一般都有 _________、_。</p><p>11、模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、 判断题(每题1分，共10分)1. 半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。（对）2. 三极管共集电极电路的发射极电阻Re可以稳定静态工作点。（对）3. 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（对）4. 差分放大电路采用双端输出时，在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。（对）5. 只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。(错 )6. 可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。（错）7. 共集电极电路的输入阻抗高，输出阻抗。</p><p>12、武汉理工大学考试试题纸 卷 课程名称 模拟电子技术基础 专业班级 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分 20 20 16 12 10 12 10 100 备注 学生不得在试题纸上答题 含填空题 选择题等客观题 一 填空题 本大题共20分 每空1分 1 理想二极管的正向电阻为 零 反向电阻为 无穷大 2 当正向电压 小于死区电压的绝对值 或反向电压 低于击穿电压 时 二极管截止。</p><p>13、学 院 专业班级 学 号 姓 名 - - 评卷密封线 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 评卷密封线 中南大学考试试卷(1) 20 20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时， 5 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八。</p>