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模拟电子技术试题1一、 选择填空（30分）1本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。a：大于；b：小于；c：等于。2场效应管属于（ ）控制型器件，晶体三极管则属于（ ）控制器件。a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。3晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ ）偏置；集电结（ ）偏置。a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。4二极管的最主要特性是（ ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ ）和反映反向特性的（ ）。a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。5一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过（ ）mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流Ic不得超过（ ）mA；若工作电流Ic=1mA，则工作电压UCE不得超过（ ）V。a ：15； b ：100； c： 30； d： 150。6并联反馈的反馈量以（）形式馈入输入回路，和输入（）相比较而产生净输入量。a:电压b:电流c:电压或电流7正弦波振荡器的振荡频率由（）而定。a:基本放大器b:反馈网络c:选频网络8杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。a：杂质浓度；b：温度；c：输入；d：电压。9单相桥式整流电容滤波电路中，若U2=10V，则UO=（ ）V，若负载流过电流IO，则每只整流管中电流ID为（ ），承受最高反向电压为（ ）。a：9V b：10v c：12V d：IO e：IO/2 f：IO/4 g：U2 h： L：2U2。10电压负反馈可稳定输出（ ），串联负反馈可使（ ）提高。a：电压 b：电流 c：输入电阻 d：输出电阻11稳压管构成的稳压电路，其接法是（）。a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联。C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联12共模抑制比KCMR是（ ）之比。a：差模输入信号与共模成分 b：输出量中差模成分与共模成分 c：差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。13输入失调电压UIO 是（ ）。a：两个输入端电压之差 b：输入端都为零时的输出电压 c：输出端为零时输入端的等效补偿电压。14抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。a：差放；b：正弦；c：数字15正弦波振荡电路的振荡条件是（ ）。a：AF=1 b：AF=-1 c：AF116产生低频正弦波一般可用（ ）振荡电路；产生高频正弦波可用（ ）振荡电路；要求频率稳定性很高，则可用（ ）振荡电路 。a：石英晶体；b ：LC；c ：RC。二、判断（12分）1 判断下面电路中RF1和RF2引入的是何种反馈类型？（6分）+VCCRF2RF12 判断下面电路能否发生自激振荡？如能振荡，写出振荡频率。（6分）LR1CbCEC2R2RCReC1+VCC三、 分析题（15分）1已知电路如图，ui =10sint v,=5v,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电压uo的波形。（5分）2单管放大电路如图，其频率响应表达式为 画出其波特图。（10分）四、计算（43分）1电路如图为分压式偏置放大电路，已知VCC=24V，RC=3.3K，RE=1.5 K,RB1=33 K,RB2=10 K,RL=5.1 K,=66 。试求：（1）静态值IB、IC和UCE；（2）计算电压放大倍数；（3）空载时的电压放大倍数；（4）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。（15分）2电路如图，VI1,VI2,VI3,VI4,求、（5分）V0VI4 VI3VI2VI1