微电子制造技术

微电子制造技术Tag内容描述：<p>1、微电子制造技术 第 6 章 硅片制造中的沾污控制,引 言,一个硅片表面有多少个芯片，每个芯片差不多有数以千万计的器件和互联线路，它们对沾污非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而不断缩小，控制表面沾污变得越来越关键。 本章将介绍硅片制造中各种类型的沾污和它们的来源，以及怎样有效控制沾污等内容，以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能产品 为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业开发了净化间。净化间以超净空气把芯片制造与外界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规的工作环境。,学 习 目 。</p><p>2、微电子制造技术 第 9 章 IC 制造工艺概况,引 言,典型的半导体IC制造可能要花费68周时间，包括450甚至更多的步骤来完成所有的制造工艺，其复查程度是可想而知的。 本章简要介绍0.18m的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤，使大家对芯片制造过程有一个较全面的了解。每个工艺的细节将在后面有关章节介绍。 芯片制造就是在硅片上执行一系列复查的化学或者物理操作。这些操作归纳为四大基本类型：薄膜制备（layer）、图形转移、刻蚀和掺杂。 由于是集成电路制造的概述，所以会接触到大量的术语和概念，这些将在随后的章节中得到详细阐述。,学 习 目。</p><p>3、微电子制造技术 第 14 章 光刻：对准和曝光,概 述,对准就是把所需图形在硅片表面上定位或对准。而曝光是通过曝光灯或其它辐射源将图形转移到光刻胶涂层上。如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一。 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。如果每一次的定位不准，将会导致成品率下降或者整个电路失效。,掩膜版上设计的每一层图形。</p><p>4、微电子制造技术 第 15 章 光刻：显影和先进的光刻技术,概 述,完成光刻工艺中的对准和曝光后，掩膜版上的图案已经通过紫外线曝光转移到光刻胶中。接下来的工艺步骤就是曝光后的烘陪，主要是为显影做准备。 显影是在光刻胶中产生三维物理图形的一个步骤，这一步决定光刻胶图形是否是掩膜版图形的真实再现。 显影就是通过显影液溶掉可溶解的光刻胶。并且保证光刻胶和硅片有良好的黏附性能。对正胶而言，余下不可溶解的光刻胶应该是与掩膜版完全相同的图案。因为光化学变化使正胶曝光的部分变得可溶解，负胶则反之。,学 习 目 标,解释为什么以。</p><p>5、微电子制造技术 第 17 章 掺 杂,概 述,本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。 掺杂是制造半导体器件的基础，掺杂的方式有热扩散和离子注入。常用的杂质是族和族元素中的硼（B）和磷（P）。 芯片特征尺寸的不断减小和集成度的不断增加，迫使各种器件尺寸不断缩小。特别是MOS器件沟道长度的减小要求源漏结的掺杂区更浅，现在最小的结深是30nm。,本章重点,1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散。</p><p>6、微电子制造技术 第 10 章 氧 化,引 言,半导体制造技术的基础之一是在硅片表面生长一层氧化层的能力。50年代最主要的发展就是氧化物的掩膜技术。它是一种在氧化层上通过刻蚀图形，达到对硅衬底进行扩散掺杂的工艺技术。几十年来氧化在硅平面工艺发展中扮演了十分的重要角色。 通过不同的氧化工艺，制造的氧化层具有高质量、稳定和期待的介质特性。这些特性特别是对于MOS工艺中的栅结构来说是至关重要的。 氧化物可以通过淀积和热生长得到。本章主要讨论热生长氧化物，包括它的结构、性质和生长工艺。,学 习 目 标,1.了解半导体制造中SiO2的。</p>