杂质半导体的特

杂质半导体的特Tag内容描述：<p>1、杂质半导体,目录,在本征半导体中掺入某些三价或者五价的微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半导体则称为杂质半导体。,杂质半导体的定义：,发光材料,本征半导体,杂质半导体,杂质半导体的定义：,杂质在带隙中产生杂质能级，当杂质原子取代半导体晶体中的原子时：,Si,掺杂磷,掺杂硼,多一个价电子，为施主杂质,多一个空穴，为受主杂质,当杂质原子周围的势场与晶体本身的势场。</p><p>2、杂质半导体中的载流子分布 摘要：非简并杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定。对于具有一定杂质浓度的半导体，随着温度的升高，载流子从杂质的电离转变为作为主要来源的本征激发。相应地，费米能级从杂质能级附近逐渐移动到禁带中心线附近。费米能级的位置不仅反映了半导体的导电类型，也反映了半导体的掺杂水平。 关键词：费米能级；国家密度；能量状态；非退化结构；玻尔兹曼分布函数 导言： 实践表明，半。</p><p>3、A,1,杂质半导体,A,2,目录,A,3,在本征半导体中掺入某些三价或者五价的微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半导体则称为杂质半导体。,杂质半导体的定义：,发光材料,本征半导体,杂质半导体,A,4,杂质半导体的定义：,杂质在带隙中产生杂质能级，当杂质原子取代半导体晶体中的原子时：,Si,掺杂磷,掺杂硼,多一个价电子，为施主杂质,多一个空穴，为受主杂质,当杂。</p><p>4、杂质半导体的载流子分布 摘 要 非简并杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定 对于杂质浓度一定的半导体 随着温度的升高载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程 相应地 费米能级则从位于 杂质能级附近逐渐移近禁带中线处 费米能级的位置不但反映了半导体导电类型而且还反映了半导体的掺杂水平 关 键 词 费米能级 状态密度 能量态 非简并结构 玻尔兹曼分布函数 引。</p><p>5、半导体材料中的杂质 半导体材料中的杂质 impurity in semiconductor material 半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子 杂质的存在使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏 这对半导体材料的。</p><p>6、半导体材料中的杂质impurity in semiconductor material半导体晶格中存在的与其基 体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周 期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，这对 半导体材料的性质产生决定性的影响。杂质元素在半 导体材料中的行为取决于它在半导体材料中的状态， 同一种杂质处于间隙态或代位态，其性质也会不同。电 活性杂质在半导体材料的禁带中占有一个或几个位置 作为杂质能级。按照杂质在半导体材料中的行为可分 为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能 的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级。</p><p>7、杂质半导体,1,目录,2,在本征半导体中掺入某些三价或者五价的微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半导体则称为杂质半导体。,杂质半导体的定义：,发光材料,本征半导体,杂质半导体,3,杂质半导体的定义：,杂质在带隙中产生杂质能级，当杂质原子取代半导体晶体中的原子时：,Si,掺杂磷,掺杂硼,多一个价电子，为施主杂质,多一个空穴，为受主杂质,当杂质原子周围的势场与晶。</p><p>8、第二章 半导体中的杂质和缺陷,理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 本征半导体晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。,实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。,杂质半导体,主要内容,1. 浅能级杂质能级和杂质电。</p><p>9、实际半导体晶格偏离理想情况 杂质缺陷原子在平衡位置附近振动 咨苯俐候同江拆驭司丢伎入陨屯乃腻缆伺忙峨阑狙穴君阶揪教膏迅奎宏窘3 2半导体中的杂质和缺陷3 2半导体中的杂质和缺陷 杂质和缺陷 原子的周期性势场受到破坏 在禁带中引入能级 决定半导体的物理和化学性质 完辩朵监应弓怒香闷炒漫后嘱单篇唬玖浪瞧榔话左审愤涤真儡社暖瞎坪搓3 2半导体中的杂质和缺陷3 2半导体中的杂质和缺陷 杂质 半导体中存在的。</p><p>10、第二章半导体中杂质和缺陷能级 2 1Si Ge晶体中的杂质能级实际半导体与理想半导体的偏离a 原子在平衡位置附近作振动b 存在杂质c 存在缺陷1 杂质与杂质能级杂质 半导体中存在的与本体元素不同的其它元素缺陷 晶格中的。</p><p>11、一 填空题一 填空题 1 纯净不含任何杂质的半导体叫做 2 N 型半导体是在本征半导体中掺入 价元素 其多数载流子是 少数载流子是 3 二极管的 极电位高于 极电位时 叫正偏 N P 正偏时二极管处 于 状态 截止 导通 此时呈。</p><p>12、1,第二章 半导体中的杂质和缺陷能级,要求：,掌握半导体中杂质的作用与杂质能级； 掌握半导体中的缺陷及其影响,重点：浅能级和深能级杂质及其作用，杂质的补偿作用,2,原子并非固定不动，格点原子在平衡位置附近振动；,半导体并非纯净，含有若干杂质（基质以外的任何元素）；,半导体晶格并非完美（完整），存在各种缺陷：,点缺陷,线缺陷,面缺陷,实际半导 体材料：,杂质来源：,2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级。</p><p>13、实际半导体晶格偏离理想情况 杂质缺陷原子在平衡位置附近振动 杂质和缺陷 原子的周期性势场受到破坏 在禁带中引入能级 决定半导体的物理和化学性质 杂质 半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 杂质出现在半导体中。</p><p>14、杂质掺杂,现代半导体器件物理与工艺,Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices,2004,7,30,杂质掺杂,所谓杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内。杂质掺杂的实际应用主要是改变半导体的电特性。扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。 高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。 离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在。</p><p>15、半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics),主 讲 ： 彭 新 村,信工楼519室，13687940615 Email: ,东华理工机电学院 电子科学与技术,第二章 半导体中的缺陷和杂质,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 -族化合物中特殊的杂质能级 2.3 半导体中的缺陷和位错,理想的半导体晶体,十分纯净 不含任何杂质 晶格中的原子严格按周期排列,实际应用中的 半导。</p><p>16、第二章 半导体中的杂质和缺陷,理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 本征半导体晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。,实际半导体,实际半导体中原子并不是静止在具有严格周期性的晶格位置上，而是在其平衡位置附近振。</p>