直拉硅单晶

直拉硅单晶Tag内容描述：<p>1、检漏,目的：确认炉体漏气量当炉子的真空度达到极限值时，关闭真空管道上的主泵球阀。（目前单晶一号车间晶盛单晶炉的极限真空可达10mt以下）观察真空计上的压力数值，测定压力变化。漏气速率小于0.1Pa/分或小于0.8mTorr/分为合格。检漏结束后缓慢打开真空管道上的主泵球阀继续抽一段时间真空，直至真空度低于检漏时的真空度。,直拉硅单晶工艺简介,1,化料,在一定的功率（在规定的时间内从低到高慢慢提升。</p><p>2、浙江大学硕士研究生毕业论文 摘要 随着大规模集成电路 V L S I 和超大规模集成电路的发展 节省时间 节 省能量 容易控制的快速热退火工艺在半导体器件制造工艺中得到了广泛的应 甩 并且在硅材料的缺陷工程中发挥了特。</p><p>3、直拉法晶体硅生长流程与原理）,直拉式单晶炉培训,技术工艺部,报告人：丁永生日期：2011.10.21,培训内容,一、直拉法单晶硅生长环境二、直拉式单晶炉基本结构三、直拉法单晶硅生长工艺步骤,一、直拉硅单晶的生长环境,高温环境的形成1、硅的熔点1420左右；2、主炉室内安装石墨加热器和保温材料（热场），低压大电流流过加热器产生高温，热量通过辐射加热石墨坩埚，由石墨坩埚加热石英坩埚和多晶硅料，达到。</p><p>4、直拉硅单晶工艺培训理论基础 单晶 詹文平单晶 詹文平 Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software For evaluation only 文字描述 硅材料的发展 文字说明 直拉单晶硅工艺学象其他科学一样 随着社会的需要和生产的。</p><p>5、检漏 目的 确认炉体漏气量当炉子的真空度达到极限值时 关闭真空管道上的主泵球阀 目前单晶一号车间晶盛单晶炉的极限真空可达10mt以下 观察真空计上的压力数值 测定压力变化 漏气速率小于0 1Pa 分或小于0 8mTorr 分为合格 检漏结束后缓慢打开真空管道上的主泵球阀继续抽一段时间真空 直至真空度低于检漏时的真空度 直拉硅单晶工艺简介 化料 在一定的功率 在规定的时间内从低到高慢慢提升 直到化料。</p><p>6、检漏、目的：确认炉体漏气量达到炉的真空度极限值时，关闭真空配管上的主泵球阀。 (目前单晶1号工厂的晶盛单晶炉的极限真空达到10mt以下)观察真空订正上的压力值，测定压力变化。 漏气率低于0.1Pa/分钟或低于0.8mTorr/分钟时合格。 检漏结束后，缓慢打开真空配管的主泵球阀，持续抽真空一段时间，直到真空度低于检漏时的真空度。 提拉硅单晶的工艺概要、化学材料、一定的功率(规定时间内从低到高逐渐上。</p><p>7、直拉法晶体硅生长流程与原理,直拉式单晶炉培训,技术工艺部,报告人：丁永生 日期：2011.10.21,培训内容,一、直拉法单晶硅生长环境 二、直拉式单晶炉基本结构 三、直拉法单晶硅生长工艺步骤,一、直拉硅单晶的生长环境,高温环境的形成 1、硅的熔点1420左右； 2、主炉室内安装石墨加热器和保温材料（热场），低压大电流流过加热器产生高温，热量通过辐射加热石墨坩埚，由石墨坩埚加热石英坩埚和多晶硅料。</p><p>8、浙江大学硕士生毕业论文 摘要 集成电路的快速发展，要求硅单晶大直径、无缺陷，这对硅单晶晶体的生长、 加工工艺及后继的集成电路工艺提出了全新的挑战。随着硅单晶直径的增大，籽 晶承重不断增加，硅片加工过程中的。</p>