LED制造工艺与

LED制造工艺与Tag内容描述：<p>1、LED制造工艺 LED生产工艺 固体类型 无定形 非晶 多晶 单晶晶体的特点 组成晶体的原子按一定方式有规则排列有固定的熔点Si 硅 1420 Ge 锗 941 单晶具有方向性 各向异性 pn结的制造 三种方法生长结法 合金法和平面工艺。</p><p>2、LED芯片制造的工艺流程，LED芯片制造的工艺流程依赖于LED上游产业，内容有： 1、LED芯片制造设备2、LED芯片基板材料的选定3、LED外延基板的制作4、LED对外延基板的技术要求5、LED芯片电极p极和n极的制作LED外延基板的切割芯片、一、LED芯片制造用设备、外延基板的制作： MOCVD :制作LED芯片的最重要的技术。 MOCVD外延炉：是制造LED最重要的设备。 一台外延炉一百万美。</p><p>3、LED制造工艺流程、工艺例如GaAs、Al2O3、Si、SiC等，制造基板，密封于成品，制造芯片40000个，用发光二极管的外延晶片、例如MOCVD、直径2英寸的外延晶片制造20000个以上的LED 氮化镓(GaN )，50mm， 可加工200m=0.2mm的上游产业：材料外延与生长，中游产业：芯片制造，下游产业：器件封装与应用，技术途径，基板制造，外延材料生长，外延片材检测，n面工艺，薄膜转移。</p><p>4、LED制造工艺 LED生产工艺 固体类型 无定形 非晶 多晶 单晶晶体的特点 组成晶体的原子按一定方式有规则排列有固定的熔点Si 硅 1420 Ge 锗 941 单晶具有方向性 各向异性 pn结的制造 三种方法生长结法 合金法和平面工艺 外延片 清洗 镀透明电极层 透明电极图形光刻 腐蚀 去胶 平台图形光刻 干法刻蚀 去胶 退火 SiO2沉积 窗口图形光刻 SiO2腐蚀 去胶 N极图形光刻 预清洗。</p><p>5、LED制造工艺流程 工艺过程 例如GaAs Al2O3 Si SiC等 制造衬底 封状成成品 制造芯片40000个 制造发光二极管外延片 例如MOCVD 一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片 硅 Si 氮化镓 GaN 50毫米 200微米 0 2毫。</p><p>6、LED制造工艺流程 工艺过程 例如GaAs Al2O3 Si SiC等 制造衬底 封状成成品 制造芯片40000个 制造发光二极管外延片 例如MOCVD 一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片 硅 Si 氮化镓 GaN 50毫米 200微米 0 2毫。</p><p>7、LED芯片制造的工艺流程 LED芯片制造的工艺流程属LED上游产业靠设备 内容 一 LED芯片制造设备二 LED芯片衬底材料的选用三 LED外延片的制作四 LED对外延片的技术要求五 LED芯片电极P极和N极的制作六 LED外延片的切割成。</p><p>8、1.2LED芯片制造的工艺流程,LED芯片制造的工艺流程属LED上游产业靠设备,引言,LED是二极管，是半导体。本节讨论的LED的制造=LED的芯片制造。LED的制造工艺和其它半导体器件的制造工艺有很多相同之处。除个别设备外，多数半导体设备经过改进可以用于LED的制造。,引言,LED芯片制造工艺分三大部分外延片按1.1节的LED芯片的结构：选衬底，MOCVD在衬底上制作外延层（也叫镀膜），n区。</p><p>9、1 LED制造工艺流程 2 工艺过程 例如GaAs Al2O3 Si SiC等 制造衬底 封状成成品 制造芯片40000个 制造发光二极管外延片 例如MOCVD 一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片 硅 Si 氮化镓 GaN 50毫米 200微米 0 2毫米 上游产业 材料的外延与生长 中游产业 芯片制造 下游产业 器件封装与应用 3 技术路线 衬底制备 外延材料生长 外延片检测。</p><p>10、LED制造工艺流程 工艺过程 例如GaAs Al2O3 Si SiC等 制造衬底 封状成成品 制造芯片40000个 制造发光二极管外延片 例如MOCVD 一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片 硅 Si 氮化镓 GaN 50毫米 200微米 0 2毫米 上游产业 材料的外延与生长 中游产业 芯片制造 下游产业 器件封装与应用 技术路线 衬底制备 外延材料生长 外延片检测 N面工艺。</p><p>11、LED 芯片的制造工艺流程 来源：深圳市鑫荣电子科技有限公司 作者： 浏览：3305人次 发布：2007-11-13 注：其他网站转载须注明出处，转载而不注明出处者，一经查实，将追究其法律责任 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学。</p><p>12、LED是技术引导型产业，特别是技术与资本密集型的芯片制造业，需要高端的工艺设备提供支撑。但与半导体投资热潮下的“瓶颈”类似，设备研发与产业膨胀仍然存在着速度匹配的问题，尤其是在高端设备领域，大部分设备仍然需要依赖进口。进口设备的价格昂贵，采购周期过长，使中国的LED芯片制造行业急需本土设备的成长和崛起。一、上游外延片生长设备国产化现状 LED产业链通常定义为上游外延片生长、中游芯片制造和下游芯片封装测试及应用三个环节。从上游到下游行业，进入门槛逐步降低，其中LED产业链上游外延生长技术含量最高，资本投入密度。</p><p>13、LED芯片的制造工艺简介 LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序 Wafer Fabrication 晶圆针测工序 Wafer Probe 构装工序 Packaging 测试工序 Initial Test and Final Test 等几个步骤 其中晶圆处理工序和晶圆针测工。</p><p>14、LED芯片制造的工艺流程 LED芯片制造的工艺流程属LED上游产业靠设备 内容 一 LED芯片制造设备二 LED芯片衬底材料的选用三 LED外延片的制作四 LED对外延片的技术要求五 LED芯片电极P极和N极的制作六 LED外延片的切割成。</p><p>15、LED芯片的制造工艺流程 发布 2011 5 17 作者 来源 liumaying 查看 452次 用户关注 LED芯片的制造工艺流程 外延片 清洗 镀透明电极层 透明电极图形光刻 腐蚀 去胶 平台图形光刻 干法刻蚀 去胶 退火 SiO2沉积 窗口图形。</p>