LED制造工艺流程.ppt

LED制造工艺流程、工艺例如GaAs、Al2O3、Si、SiC等，制造基板，密封于成品，制造芯片40000个，用发光二极管的外延晶片、例如MOCVD、直径2英寸的外延晶片制造20000个以上的LED 氮化镓(GaN )，50mm， 可加工200m=0.2mm的上游产业：材料外延与生长，中游产业：芯片制造，下游产业：器件封装与应用，技术途径，基板制造，外延材料生长，外延片材检测，n面工艺，薄膜转移，p面工艺，芯片点测量，切割，芯片筛选，基板制造， 直线牵引主要包括以下的工艺：装入熔融颈缩成长肩部生长等径生长尾部生长3:2h的照片3360蚀刻：1h的炉子(8片)，照片在整体上包括以下的工艺。 (1)涂抹光致抗蚀剂； (2)前烘烤(3)曝光(使用光刻掩模) (4)显影(5)硬膜(6)腐蚀(7)脱胶、粘合剂涂布、脱胶、前烘烤、曝光、曝光后显影和硬膜、腐蚀、脱胶、等离子体脱胶机、脱胶：腐蚀、照射部分的脱胶3360剥离、阻挡部分的除去； 以后烘烤、蚀刻RIE和icpcf4蚀刻SiO2为例，蚀刻包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体和被蚀刻物质的化学反应物理过程，离子在电场的作用下对被蚀刻物质产生物理冲击e* CF4CF3 F e4F SiO2(s)SiF4(g 2O， RIE(ReactiveIonEtching )反应离子蚀刻、ICP(InducedCoupledPlasma )电感耦合等离子体、外延材料生长反应原理、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式， 反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式、反应方程式反应管、基板、石墨支撑板、ga (CH3 )3(v ) NH3 (v )1gan (s ) 3c H4 (v )、外延层结构、外延层的主要结构：缓冲层、n型导电层、量子阱发光层， p型导电层、氮化铝(AlN )缓冲层、氮化镓(GaN )缓冲层、5InGaN/GaN多重量子阱、Si(111 )基板n型导电性GaN掺杂Si层、p型导电性GaN掺杂Mg层、430um、34um、2nm=0.002um、8 nm 200nm、SiliconSubstrate、外延基板检查、PL机的半值宽度主波长段差清洗、去除有机物等BOE、外延基板、p面工艺、反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品(Ag)Cr与Ag不欧姆接触，绝缘。 Cr容易氧化、密合力差、Pt保护Cr、CrPt互补蒸发台：温度、厚度、压力速度蒸发前以80王水煮40min水洗10min后，HCl:H2O=1:1泡5minNi/Ag蒸发Ni密合力良好，但遮光、1埃合金p面p型接触层蒸发合金、粘合层蒸发、粘合层光刻、薄膜转移粘合、双面镀金基板、压力/温度、石墨、外延片和基板、压头、灌浆堵塞槽，保护Ag，金锡邦存款不稳定，表面不干净，直到稳定为止H2SO4泡(Ag 通过Si基板522(HNO3:HF:冰醋酸)、槽，流过蜡丙酮的超声波的边缘(去GaN防止泄漏) (1)SiO2掩模的生长、边缘(2)SiO2掩模的光刻、边缘(3)边缘蚀刻、边缘(4)pt进行LLO、n面工艺、表面粗糙化(AFM观察)前端的高度和大小钝化蓝光SiON2800埃SiO2N电极蒸发Al/Ti/Au电极光刻、钝化(1)SiN生长、钝化(2)SiN光刻、n电极蒸发(Al )、n电极光刻(Al )、钛切割、芯片筛选、自动筛选扫描、手工、碎片、扩散膜的标签计数、封装、LED封装的作用是，在LED芯片的电极上连接外引线，同时保护LED芯片，提高光读取效率。 重要的工序是安装、压接和封装。 封装形式为Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 LAMP、食人鱼、TOPLED、大功率LED、封装工艺描述、芯片检查镜检查：材料表面机械损伤或麻点麻孔(lockhill )芯片尺寸和电极尺寸是否符合工艺要求，电极图案是否完全扩展，LED芯片是否被切割使用扩张器扩张粘接芯片的薄膜，使LED芯片的间距约为0.6mm。 也可以通过手工扩张，但容易发生芯片掉落浪费等不良情况。 点胶在LED托架的适当位置涂上银胶或绝缘胶。 (GaAs、SiC导电性基板中，带背面电极的红色、黄色、黄绿色的芯片使用银膏。 蓝宝石绝缘基板的蓝色、绿色LED芯片使用绝缘性粘接剂固定芯片。 工艺难点是胶质量的控制，胶质高度、胶质位置有详细的工艺要求。 银浆和绝缘浆对贮存和使用要求严格，银浆的清醒、搅拌和使用时间都是技术上必须注意的事项。 准备胶与准备胶相反，先用准备胶的机器把银胶涂在LED背面电极上，然后把背上带有银胶的LED安装到支架上。 制浆效率远高于制浆，但并非所有产品都适用制浆技术。 手工名片是将扩张后的LED芯片(带胶或无胶)放在名片台的夹具上，将LED支架放在夹具下，用显微镜用针将LED芯片一个一个地扎入对应的位置。 手刺片与自动安装相比具有优势，可随时更换不同的芯片，因此适合搭载多个芯片的产品。 自动安装是将粘接剂(胶)和安装芯片的2个工序结合起来，在LED安装点上涂上银胶(绝缘胶)，用真空吸嘴将LED芯片吸附到移动位置，设置在对应的安装位置。 自动安装在技术上主要精通设备的操作编程的同时，还调整了设备的胶粘安装精度。 选择吸嘴时应尽量选择橡胶制的吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿芯片应为橡胶制。 因为喷嘴会损伤芯片表面的电流扩散层。 烧结烧结的目的是使银膏固化，烧结要求监视温度，防止批次不良。 银膏的烧结温度一般控制在150，烧结时间控制在2小时。 可根据情况调整至170、1小时。 绝缘橡胶一般为150，1小时。 银膏烧结烘箱应根据工艺要求每2小时(或1小时)打开一次，更换烧结的产品，中途不得随意打开。 烧结烘箱不得在其他用途中防止污染。 压接压接的目的是将电极引入LED芯片，完成产品内外引线的连接。 LED的压接技术有金线球焊和铝线压接两种。 右图是压接铝线的过程，首先在LED芯片的电极上按下第一点，然后将铝线拉到对应的托架上，按下第二点后再拉伸铝线。 金丝球焊的过程在按压第一点之前烧球，其馀过程相似。 压接是LED封装技术的重要环节，技术需要监测的压接金线(铝线)拱形、焊接点形状、拉伸力。 压接工艺的深入研究涉及金(铝)丝材料、超声波功率、压接压力、分力(喷嘴)选择、劈刀(喷嘴)运动轨迹等多方面的问题。 (下图为在相同条件下，两种不同劈刀挤压出的焊点显微照片，两者显微结构存在差异，影响产品质量。 浇注的Lamp-LED封装采用浇注的形式。 灌封的过程是，首先向LED成型模腔内注入液态环氧，插入压接的LED支架，放入烘箱使环氧固化后，使LED脱离模腔成型。 固化和固化后固化是指封入环氧的固化，一般的环氧固化条件为135、1小时。 模具封装一般为150、4分钟。 后固化后固化是为了在充分固化环氧的同时，使LED热劣化。 后固化对于提高环氧树脂和支架(PCB )的粘接强度很重要。 一般条