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文档简介

InGaAsN在MBE上的外延生长技术及太阳能电池的制备查阅了很多文献，大部分都是研究（退火温度、氮成分含量、生长温度等）1. N的浓度。相对MOCVD，MBE的氮浓度相对比较小（这将会影响相关氮化物的缺陷）1。 2. 后快速退火温度（RTA）影响InGaAsN晶体的质量（长量子阱）2。3. 氮成分的不同与生长温度的控制对InGaAsN的影响 3。氮成分：生长温度：4.1 A comparison of MBE- and MOCVD-grown InGaAsN. A.J. Ptak, D.J. Friedman and S.W. Johnston(National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Blvd., Golden, CO 80401)2 MBE Growth of Thick InGaAsN Layers with Absorption Edge at 1.95m onInP Subst rates. K.Miura, Y.Nagai, Y.Iguchi, H.Okada(1), Y.Kawamura(2,3)3 Optical characterization of InGaAsN layers grown on InP substrates. M. Yoshikawa a, K.Miura b, Y.Iguchi b, Y.Kawamura a, (a:Frontier ScienceInnovationCenter,OsakaPrefectureUniversity,1-2Gakuen-cho,Naka-ku,Sakai,Osaka599-8570,Japan b:TransmissionDevicesR&DLaboratories,Sumitomo ElectricIndustries,Ltd.1-1-3
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