半导体器件基础与二极管电路.ppt

School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 安徽师范大学数学计算机科学学院 第5章 半导体器件基 础与二极管电路 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 本章内容概述 u导体器件的出现改变了电子电路的组成格局，从20 世纪60年代开始，半导体器件开始逐步取代真空管 器件，在电子电路中占据绝对主导地位。 u本章首先介绍半导体器件的基础知识，介绍PN结的 单向导电原理，然后着重介绍半导体二极管器件的 外部特性和主要参数，为正确使用器件打下基础， 最后介绍几种常用的二极管应用电路。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 导体、半导体和绝缘体 一、导体 自然界中很容易导电的物质称为导体， 金属一般都是导体。 二、绝缘体 有的物质几乎不导电，称为绝缘体， 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 三、半导体 另有一类物质的导电特性处于导体和 绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷 化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体有 温敏、光敏和掺杂等导电特性。 5.1 半导体二极管的工作原理与特性 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 半导体的导电特性 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有 不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导 电能力明显变化。光敏元件、热敏元件属于 此类。 往纯净的半导体中掺入某些杂质， 会使它的导电能力明显改变。二极管、三极 管属于此类。 本征半导体化学成分纯净的半导体。制造半导体 器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称 为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技 术中用的最多的是硅和锗。它们的最外层电子（价电 子）都是四个。 一、 本征半导体 1、本征半导体结构 图5.1 Ge和Si原子的模型 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 外层电子受原子核的束缚力最 小，成为价电子。物质的性质 是由价电子决定的 。 纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。Ge 或Si原子生成晶体时，其原子排列就由杂乱无章的 状态变成了非常整齐的状态，原子间的距离都是相 等的。研究一块纯净的Ge或Si晶体时，可发现每个 原子有4个相邻的原子围绕着，每两个相邻原子间 共有一对电子(称为价电子)，组成共价键结构，共 价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束 缚，在空间形成排列有序的晶体。如图5.2所示。 其本征半导体晶体结构如图5.3所示。 图5.2 Ge或Si晶体的共价键结构 共价键共 用电子对 +4表示除 去价电子 后的原子 +4 +4+4 +4 图5.3 本征半导体晶体结构示意图 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是 八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规 则排列，形成晶体。 +4 +4+4 +4 2、本征激发 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可 以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力 为 0，相当于绝缘体。 当温度升高或受到光的照射时，价电子能 量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而 参与导电，成为自由电子，同时共价键上留下一 个空位，称为空穴。 1）.载流子、自由电子和空穴 这一现象称为本征激发，也称热激发。 +4+4 +4+4 自由电子 空穴 束缚电子 空穴显示出的功效类似正电荷(严格地说，空穴不是 正电荷)，所以，空穴也是一种载流子。 2）.本征半导体的导电机理 +4+4 +4+4 在其它力的作用下，空 穴吸引附近的电子来填 补（但是，当一个自由 电子进入空穴时，空穴 就会消失，这称为复合 ），这样的结果相当于 空穴的迁移，而空穴的 迁移相当于正电荷的移 动电流。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体中，产生电流的根本原因是由于共价键中 出现了空穴。由于空穴数量有限，所以其电阻率很大。 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体 ，也称为（电子半导体）。 掺杂的半导体称为杂质半导体。掺杂的方 法是将少量的杂质元素加入到加热了的Ge或Si 晶体中。如果在Si晶体中掺入少量的五价杂质 元素，例如磷(P)元素，则P原子将全部扩散到 加热了的Si晶体中。因为P原子比Si原子数目少 得多，所以当冷却后形成固态晶体时，整个晶 体结构不变，只是某些位置上的Si原子被P原子 代替了。因为每个P原子有5个外层子，所以组 成共价键后就自然而然地多出一个电子，此电 子受原子核的束缚力很小，很容易成为自由电 子。 1. N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型 半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的 一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自 由电子是多数载流子,它 主要由杂质原子提供； 另外，硅晶体由于热激 发会产生少量的电子空 穴对，所以空穴是少数 载流子。 +4+4 +5+4 多余 电子 磷原子 N型半导体结构 提供自由电子的五价杂质原子因失去一个电子而带 单位正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为 施主原子。N型半导体的结构示意图如下图所示。 磷原子核 自由电子 +4+4 +5+4 N 型半导体中的载流子是什么？ 1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 2. P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 ，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼 原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时 ，产生一个空穴。这个空 穴可能吸引束缚电子来填 补，使得硼原子成为不能 移动的带负电的离子。由 于硼原子接受电子，所以 称为受主原子。 +4+4 +3+4 空穴 硼原子 P型半导体中：空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成。 杂质半导体的示意表示法： P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但 由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近 似认为多子与杂质浓度相等。 3. 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.41010/cm3 1 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=51016/cm3 本征硅的原子浓度: 4.961022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 小 结 1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产 生自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。 3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂 质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。 4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子 。N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。 5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度 和材料性质有关。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * u载流子的运动 载流子在电场作用下的漂移运动 没有电场作用时,半导体内部的自由电子和空穴的运动 是杂乱无章的热骚动，其运动方向不断改变，因此从 平均的意义上来说不会产生电流。 当有外电场作用时，自由电子在热运动的同时还要叠 加上逆电场方向的运动，空穴则叠加上顺电场方向的 运动。 在电场作用下载流子的运动称为 漂移运动。由漂移运动产生的电 流为漂移电流。 电场电场 E + - e q School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * u载流子的运动(续) 载流子的扩散运动 如果在半导体中两个区域自由电子和空穴的浓度存在 差异，那么载流子将从浓度大的一边向浓度小的一边 扩散。 由于浓度差引起的载流子运 动为扩散运动。相应产生的 电流为扩散电流。 1. PN结的形成 物质从浓度大的地方向浓度小的地方运动叫扩散 。当P型半导体和N型半导体结合在一起时，因为空 穴在P区中是多子，在N区中是少子；同样，电子在N 区中是多子，在P区中是少子，所以在P、N两区交界 处，由于载流子浓度的差异，要发生电子和空穴的 扩散运动，多子都要向对方区域移动。当电子和空 穴相遇时会复合消失。假设扩散运动的方向由正指 向负(P区指向N区)，则空穴将顺扩散运动方向移动， 电子将逆扩散运动方向移动。 5.1.1 PN结及其单向导电特性 P型半导体 N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。 空间电荷区， 也称耗尽层。 扩散到对方的载流子在P区和N区的交 界处附近被相互中和掉，使P区一侧因 失去空穴而留下不能移动的负离子，N 区一侧因失去电子而留下不能移动的 正离子。这样在两种半导体交界处逐 渐形成由正、负离子组成的空间电荷 区（耗尽层）。由于P区一侧带负电， N区一侧带正电，所以出现了方向由N 区指向P区的内电场 内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 当扩散和漂移运动达到平衡后，空间电荷区的 宽度和内电场电位就相对稳定下来。此时，有多少个 多子扩散到对方，就有多少个少子从对方飘移过来， 二者产生的电流大小相等，方向相反。因此，在相对 平衡时，流过PN结的电流为0。 内电场 空间电荷区耗尽层电子 空穴 P区 N区 扩散的结果在两区交界处的P区一侧， 出现了一层带负电荷的粒子区(即不能移动 的负离子)；在N区一侧，出现了一层带正电 荷的粒子区(即不能移动的正离子)，形成了 一个很薄的空间电荷区，这就是PN结，如 图。 浓度差 多子扩散 空间电荷区 (杂质离子) 内电场 促少子 阻多子 漂移 扩散 动态平衡时 PN结形成过程： 1).空间电荷区中没有载流子。 2).空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴.N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散 运动）。 3).P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少子） ，数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意: 2. PN结的单向导电特性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区 加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区 加负、N 区加正电压。 一、PN 结正向偏置 + + + + RUf 内电 场 外电 场 变薄 PN + _ 内电场被削弱，多子的 扩散加强能够形成较大 的扩散电流。扩散电流 远大于漂移电流，可忽 略漂移电流的影响，PN 结呈现低阻性。 (1)当0UfUT时，UT为死区电压，或称门坎 电压。这时由于外电场还不足以克服内电场对载 流子扩散所造成的阻力，所以正向电流If几乎为零 ，PN结呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 (2)当UfUT后，这时在外电场的作用下，内电 场被大大削弱，多子不断地向对方区域扩散，且 进入空间电荷区后，一部分空穴会与负离子中和 ，一部分电子会与正离子中和，使空间电荷量减 少，PN结变窄。 空间电荷区中载流子数量的增加，相 当于PN结电阻的减小。这样，载流子就 能顺利地越过PN结，形成闭合的回路， 产生较大的正向电流If。因为外电源不断 地向半导体提供空穴和电子，所以使电 流If得以维持。PN结的正向特性曲线如图 (b)所示。 (1) 空间电荷区变窄的过程，相当于载流子 充进了PN结。P区一侧充正电(充入空穴)，N区 一侧充负电(充入电子)，这现象如同一个电容器 的充电，此电容称为耗尽层电容Ct。它是由耗尽 层内电荷存储作用引起的。我们知道, 耗尽层内 有不能运动的正负离子, 因而该层缺少载流子, 导 电率很低, 相当于介质, 而它两边的P区和N区导 电率相对很高, 相当于金属。当外加电压改变时, 耗尽层的电荷量也要改变, 引起电容效应, 耗尽层 有势垒, 因此称为势垒电容。 需要指出的是： 二、PN 结反向偏置 + + + + 内电场 外电场 变厚 NP + _ 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制(可忽略扩 散电流)。少子漂移加强 ，但少子数量有限，只 能形成较小的反向电流 。PN结呈现高阻性。 RUR 因此，PN结处于反偏时，电阻是很大的。 PN结的反向特性曲线如图所示。 IR有时也称为反向饱和电流IS。这是因为当 温度不变时，少子的浓度不变，所以在一定的 电压范围内，IR几乎不随反偏电压的增加而变 大，见图。但温度升高会使少子增加，故IR会 随温度的上升而增长很快，这就是PN结的温度 特性。 由此可见，PN结具有单向导电的特性及温 度特性。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * u半导体二极管 半导体二极管的电路符号与基本结构 半导体二极管内部就是一个PN结，将其封装并接出两 个引出端，从 P 区引出的端称为阳极（正极），从 N 区引出的端称为阴极（负极）。电路符号如图所示。 阳极阴极 D 二极管电电路符号 根据PN结结的单单向导电导电 性，二极 管只有当阳极电电位高于阴极电电位 时时，才能按箭头头方向导导通电电流。 符号箭头头指示方向为为正，色点则则表示该该端为为正极。 为为了防止使用时时极性接错错，管壳上标标有 “” 符号或色点， 如果二极管极性接错错，不仅仅造成电电路无法正常 工作，还还会烧烧坏二极管及电电路中其他元件。 5.1.2 半导体二极管 的基本结构 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型；(b)面接触型；(C)符号 :f=1/(2RC) School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 半导体二极管的伏安特性 D iD + uD uD/V iD 0 正向导导通 0.5 锗锗 硅 0.2 1. 正向特性 外加正向电压时电压时 ，正向特性的起始部分，正向电电流几乎 为为零。这这一段称为为 “死区”。对应对应 于二极管开始导导通时时的外 加电压电压 称为为 “死区电压电压 ”。锗锗管约为约为 0.2V, 硅管约约0.5V。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 其中 IS 反向饱和电流 VT 温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 正向：反向： 近似 PN结方程 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 半导体二极管的伏安特性（续） 2. 反向特性 外加反向电压电压 不超过过一定范围时围时 通过过二极管的电电流是少数 载载流子漂移运动动所形成的很小的反向电电流，称为为反向饱饱和电电 流或漏电电流。该电该电 流受温度影响很大。 3. 击击穿特性 外加反向电压电压 超过过某一数值时值时 ，反向电电流会突然增大， 这这种现现象称为击为击 穿（击击穿时时，二极管失去单单向导电导电 性）。 对对 应应的电压电压 称为为击击穿电压电压 。 uD /V iD 0 正向导通 反向截止 击穿 0.5 锗硅 0.2 反向饱和电流 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 反向击穿现象有两种类型： (1)雪崩击穿。当反向电压太高时，载流子在阻挡 层中将受到强烈的电场加速作用，获得足够的能量去 碰撞原子，产生新的电子空穴对。被撞出的载流子获 得能量后又可能再去碰撞别的原子，如此连锁反应造 成了载流子的剧增。这种击穿多发生在掺杂浓度不大 的PN结。雪崩击穿电压一般高于6V。 (2)齐纳击穿。当反向电压足够大时，阻挡层中的 强电场会将电子从共价键中强行拉出，产生电子空穴 对，使载流子剧增(其效果与温度升高相仿)。这种击穿 多发生在掺杂浓度较高的PN结。齐纳击穿电压一般低 于6V。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * PN结被击穿后，PN结上的压降高，电流大 ，功率大。当PN结上的功耗使PN结发热，并超过 它的耗散功率时，PN结将发生热击穿。这时PN结 的电流和温度之间出现恶性循环，最终将导致PN结 烧毁。 热击穿不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿可逆 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 二极管的电路模型 在实际电路分析、设计中常使用逐段线性的二极管特性 1. 理想二极管的电电路模型 iD uD O 导导通电压电压 UD与二极管材料有关： 硅管为为0.60.7V，锗锗管为为0.20.3V。 2. 考虑导虑导 通电压电压 的二极管模型： iD uD O _ + uD iD uD UD uD UD + uD iD _ School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * 3. 考虑虑正向伏安特性曲线线斜率的二极管电电路模型 以动态电动态电 阻rD表示曲线线的斜率，( rD的值值随二极管工作点 Q变变化而变变化） iD uD O UD uD UD + uD iD _ rD School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * u理想二极管应用电路实例 限幅电路 + ui _ + uO _ R E 输输入电压为电压为 一正弦波 。 电电池电压电压 ： E=4V 0 8 t 4 0 t 截止 截止 导通 导通 如果考虑虑二极管导导通电压电压 ， 则则此时输时输 出电压应为电压应为 4.7V。 当输输入电压电压 小于电电池电压时电压时 ，二极管两端电电 压处压处 于反向偏置，截止，没有电电流流过过，所以 输输出电压电压 跟随输输入电压变电压变 化。 当输输入电压电压 大于电电池电压时电压时 ，二 极管两端电压处电压处 于正向偏置，导导 通，二极管两端电压为电压为 0，所以输输 出电压电压 与电电池电压电压 相同，为为4V。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 解： 当ui+10V时：VD1正偏短路，VD2反偏开路，uo=+10V。 当ui -10V时：VD1反偏开路，VD2正偏短路，uo=-10V。 当-10VUI+10V时： VD1、VD2均反偏开路，uo=ui。 uo波形如图 (b)所示。 例 电路及输入电压Ui的波形如图所示，画出输出 电压uo的波形。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 图 二极管双向限幅电路 (a)电路；(b)波形 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 补充：二极管与门和或门电路 1. 1. 电路 2. 2. 工作原理 A、B为输入信号 （+3V或0V） Y 为输出信号 VCC+10V 电路输入与输出电压的关系 AB 0V0V0.7V 0V3V0.7V 3V0V0.7V 3V3V3.7V 一、二极管与门 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 用逻辑1表示高电平（此例为+3V） 用逻辑0表示低电平（此例为0.7V） ABY 0V0V0.7V 0V3V0.7V 3V0V0.7V 3V3V3.7V 3. 逻辑赋值并规定高低电平 4. 真值表 ABY 000 010 100 111 二极管与门的真值表 A、B全1， Y才为1。 可见实现了与逻辑 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 5. 5. 逻辑符号 6. 6. 工作波形(又一种表示逻辑功能的方法） 7. 7. 逻辑表达式 YA B 二极管与门 （a）电路 （b）逻辑符号 （c）工作波形 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 1. 1. 电路 2. 工作原理 电路输入与输出电压的关系 ABF 0V0V0V 0V3V2.3V 3V0V2.3V 3V3V2.3V A、B为输入信号（+3V或0V ） F为输出信号 二、二极管或门 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 4. 真值表 ABF 0V0V0V 0V3V2.3V 3V0V2.3V 3V3V2.3V 可见实现了或逻辑 3. 逻辑赋值并规定高低电平 用逻辑1表示高电平（此例为+2.3V） 用逻辑0表示低电平（此例为0V） ABF 000 011 101 111 A、B有1，F就1。 二极管或门的真值表 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 二极管或门 （a）电路 （b）逻辑符号 （c）工作波形 5. 5. 逻辑符号 6. 6. 工作波形 7. 7. 逻辑表达式 FA+ B School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * u半导体二极管主要参数 uD iD 0 URWM IR IOM UBR 1. 最大整流电电流 IOM：二极管长时间长时间 安全工作所允许许流过过 的最大正向平均电电流。由PN结结结结 面积积和散热热条件决定 ，超过过此值值工作可能导导致过热过热 而损损坏。 2. 反向工作峰值电压值电压 URWM：为为保证证二极管不被反向击击穿而规规 定的最大反向工作电压电压 ，一般为为反向击击穿电压电压 的一半。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 表5.1 Si和Ge二极管的UT、UD及IS值 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * uD iD 0 URWM IR IOM UBR 3. 反向电电流 IR：二极管未被击击穿时时，流过过二极管的反向电电流。 此值值越小，单单向导电导电 性越好。硅管优优于锗锗管。 4. 最高工作频频率 fM ：二极管维维持单单向导电导电 性的最高工作频频率 。由于二极管中存在结电结电 容，当频频率很高时时，电电流可直接 通过结电过结电 容，破坏二极管的单单向导电导电 性。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 * u稳压二极管 稳压稳压 管是一种特殊的硅二极管。它允许许通过较过较 大的反向电电流， 经过经过 特殊工艺艺使其反向击击穿电压电压 比普通二极管低得多（几到几 十伏）。利用其反向击击穿特性，配以合适的电电阻，在电电路中可 起稳压稳压 的作用。 二极管在加反向偏置电压时电压时 ，处处于截 止状态态，仅仅有很小的反向饱饱和电电流。但是 如果反向电压电压 增大到一定值时值时 ，PN结结的电电 场场强度太大，将导导致二极管的 反向击击穿，这时这时 ，二极管反向 电电流迅速增大而电压电压 却基本不变变 反向击击穿。 uD iD O UBR School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 稳压管符号及特性曲线 (a)符号；(b)伏安特性曲线 阳极 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 因为这种二极管具有稳定电压的作用，所 以要与用于整流、检波等用途的普通二极管区 别开，称为稳压管。稳压管用字母VDZ表示， 它的符号如图 (a)所示。图 (b)是它的伏安特性 曲线，由图(b)可知，稳压管在反向击穿时的曲 线比较陡直。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 值得指出的是：稳压管必须工作在反向偏 置(利用正向稳压的除外)，即阴极接电源正极 ，阳极接电源负极，如图 (a)所示。如果极性 接错，二极管就处于正向偏置状态，稳压效果 就差了。另外，稳压管可以串联使用，一般不 能并联使用，因为并联有时会因电流分配不匀 而引起管子过载损坏。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子 技 术 2.稳压管的主要参数 1) 稳定电压UZ UZ就是稳压管的反向击穿电压。由于制造 工艺不易控制，即使同一型号的管子，UZ的值 也会稍有不同。 2) 稳定电流IZ和最大稳定电流IZM IZ的稳压管正常工作时的反向电流，这是 一个参考值。IZM是稳压管允许通过的最大反 向电流。当稳压管工作电流IIZ时，没有稳压 效果；正常工作时， IZIIZM。 School of Mathematics & Computer Science 电 工 电 子