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文档简介

由UV-vis 光谱求样品的Eg 一 半导体禁带求导公式 通常(ahv) 是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2 或(eV)1/2.cm-1/2。 由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv) 2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。 由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系 数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓 度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公 式可写成如下形式： nK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标， 以 或 为纵坐标，作图，再做切 线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前 者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半 导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外 可见漫反射中的吸光度。 Kubelka-Munk公式 A = - lg (R) （1） F(r) = (1-R)2/2R = a / s （2） R为反射率, a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光 度对应的R，用E1240/波长，做横坐标， 利用第二个公式求F（R），再用 做 纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell， 然后进行数据处理，下面用第一个公式进 行数据处理： n下面用Kubelka-Munk公式处理： 三 关于K值大小对结果的影响 同一组数据在不同的处理 方法下得到的Eg.以下也 是这一组数据的处理 由
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