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文档简介
随着形象别区分的 ferrite core 特定及使用方法,教育资料-ferrite core,dy cores,fbt cores,dy cores 用于偏转电杆。 目前最大的电视不到40 inches。 方形 dy cores被用于小型 tv (长度: 60mm 38mm) 为研磨 cores 用于阴极射线管 tv 内面研磨的cores用于彩色显示管 tv 仍然用于工程tv, 数字 tv,fbt cores被用来转变从 110220v电压转变成16kv以上的电压 低损失材质例如:sm-19b, sm-19d 应该被应用。 sm-19a, sm-19b 材料应用于tv 因为他有高的饱和磁束密度。(bm) sm-19c, sm-19d, 19e 材料应用于显示器 是因为它由较低的磁心损失。,形象别用途选定(1),起源于硅钢时期 四角有效段面积是在core内把磁束密度平均的分布 主要, 电源供给装置上电源变压器. 或者choke figures 1) 简易,经济型。 2) 正方形有效作用区域,并不适合比较粗的线圈 3) 更大的有效范围。 4) 遮蔽效果是微弱的。,ee/ei cores,形象别用途选定(2),ee core由来 有容易缠线的圆形的中柱,有容易跟bobbin组合的外柱内面都是曲线。 主要使用在电源传输装置。 圆的中柱可使用粗的线缠线,距离为短,具有最小化铜损, 小型eer cores: 表面实状装置, planar power, 通信用适合 大型eer cores: ac/dc smps tr.(200khz为止),eer cores(etd),设计为wideband tr. 用 提高印刷电路板集积率的cubic形象 根据core缠线部位完壁遮蔽 wideband tr. 用- 高透磁率材 低功率变压器.用 适用于低损失材,ep cores,形象别用途选定(3),ep core由来 特别设计为综合服务数字网和 非对称数字用户环线的电流传输用。 跟ep core比, 宽的中柱段面积和更小的体积可以体现出al和 thd特性 可以设计为更薄的电流传输装置. adsl wideband tr.用低的thd材质, st-30b适用 isdn pulse tr. 用高透磁铝材质sm-100适用,eop cores(epx),形象别用途选定(4),用于需要低薄形的wideband tr. 特别设计 (比ep core低薄形设计更合适) 组件core的形象大多是正四角形态, pcb上因为是高密度,所以遮敝效果比ep core强。 wideband tr.是使用具有thd特性的高透磁率,低功率低损失材。,elp cores,设计为高的q和带安全性的filter inductor用 制品尺寸是在pcb的隔磁间距离基础上 ex) rm5 : pcb 5*5module (0.5inch*0.5inch)核对的 可能pcb上 多集中的形象 符合iec-431规格化的制品 自动缠线容易 简单的实长可能 遮敝性能优秀(比pc强),rm cores,efd( economic flat design) 需要低薄型和高能流密度 在设计上异常 以core 的中柱位置为传输中心,跟其他拥有相同有效体积的 core 比可以设计为低薄型 core的 能流密度与体积成正比, tr 对. dc-dc converter的大小有影响 efd tr.很扁,在 1mhz以上周波数时可以体现出高的能流密度,efd cores,初期作为信号传输用,最近作为back light inverter用 为了满足液晶显示屏薄而窄的规格变形为薄,长的形状 长的形状缠线数增加 back light inverter用 (约1.4kv输出) 用作组装件,si cores (ui cores),形象别用途选定(5),起初设计为通信用的过滤感应器上用 优秀遮憋性能 (高周波转换,解决emi 问题) 规格化的制品 组装困难 线的接出及絶緣存在困难 增加全长 1pcs 作为间接开关使用,形象别用途选定(6),pc cores (p),可以解决 pc core 线的接出空间狭小的缺点 1pcs(pc)+ 1pcs(pc的两面切掉后的形态(ds) 规格化的制品 拥有统一 pin 规格的bobbin 可以使用,rs cores (pt),圆形中柱容易缠线 上下部位是平面,容易使热量放出 主要适用于能量转换器,采用低损失材 规格化的制品,形象别用途选定(7),pq cores,拥有直四角段面的制品 生产比较容易,成本低廉。适用于 radio 或 tv的 滤波器或 choke trans.对缠线方法不是最合适的制品 大型 uu core 採擇为高输出用 没有自体遮憋机能,uu cores,在磁气的观点为异常的现象 由于憋磁路,可以发挥 ferrite最佳性能 高透磁率的情况, core 的细微的缝隙 (切断性 cores)可以使有效透磁率发生 50% 损失 因泄磁束少主要适用于 power或 pulse和 宽波段传输 缠线困难 由于是闭磁路,不能使用在高直流回路中,形象别用途选定(8),or cores (toroids),他们被用于电棒的集中。 硬磁体应该附加在制品的左面和右面。 一般用4个小的core做水平的集中, 一个大core做竖直集中 。 所有core 都被用于tv, monitor,drum cores,smd 意思是表面实状装置, 因此它可应用于手机和个人掌上电脑。 因为他们比较小,所以高的磁束密度是必要的。 需要的越小的尺寸和复杂的形状的制品越来越多。,smd cores,emc 意思是电磁波屏蔽。 他们被用于减少噪音不仅仅是因为制品,还因为射线。 线圈穿过制品或者有一些弯曲的被应用,这些取决于噪音的频率范围。 一般用 ni-zn材料。,emc cores,形象别用途选定(9),三和 catalogue 材质(material) 部分,教育资料-ferrite core,contents(mn-zn),1低损失材质 (pl-5, pl-7, pl-9, pl-11) 2. 高透磁率材料 (sm-50, sm-60, sm-70s, sm-100, sm-150) 3. 高磁导率材质 (sm-8t, sm-23t, sm-35t, sm-43t) 4. 温度变更,透磁率不变的材质 (st-30b),高临界点,低损失,power materials,比ni-zn抵抗低的材质,较高的饱和磁束密度,power materials,功率损耗,pl-5:普通变压器 pl-7: 整流器, ballast, 等离子显示器 pl-9: 在很广的范围内具有很好的性能 (20 to 120 ) pl-11:尤其是在 80 以上更好,磁束密度,pl-5:普通变压器 pl-7:磁束密度比 pl-5小 pl-9:值与 pl-5极为相近 pl-11:在所有范围极其高 (20 to 120 ),重要的范围,重要的范围,power materials,一般情况下,在 23 100之间,i增加2倍,临界温度,随温度的降低,透磁率降低,最高点,power materials,amplitude permeability, a,随着磁束密度的增加,磁导率逐渐增大。 在一定的范围内,所有材料都是一样的, 因为他们都达到了饱和。 这组曲线显示在25khz, 23, 100状态 下的结果 若高频率被应用,由于饱和速度太快, 饱和点会下降,高于 23,饱和速度比 23快,饱和点,power materials,功率损耗 vs. 磁束密度,当在较高的磁束密度时,core loss增长 非常快。 在低频条件下,材料之间有很大的不同。 例如在 25khz时。 假如在较高的频率下,大于200khz, 材料之间没有很大的不同。 这就是说。铁氧体材料在超过300khz 的频率 下会变得非常软弱。 因此,通常低损失材料在300khz以下被应用。 我们的 pl-f1 材质是为高频率情况下设计的, 尤其是在 500khz以上。,没有很大差异,具有很大差异,high permeability materials,与低损失材质相比非常低,与低损失材质相比非常高,high permeability materials,l特性,阻抗,交界点 高磁导率材料在地频率范围得到这些点。,high permeability materials,如果透磁率增加,临界温度将会降低。,很少先进的公司能生产这种类型的材质。,high permeability materials,高透磁率材料的饱和磁束密 度逐渐降低。 如果没有足够的变化区间,更多高透磁率材料将会被应用。,随着频率的增加,相对损失因子增长非常快,high q materials,在 mn-zn 材料中具有最小的磁导率,在30 到 100之间,没有快速的增长,在mn-zn材料中具有最高的临界温度,high q materials,尽管磁导率和低损失材质相比差不多,但临界温度比低损失材质低很多,,初磁透率在 -50 到 100之间没有大的变化,初磁透率在100 以上增长比较快,和其他材质一 样,在100 以下没有大的变化。,high q materials,具有比低损失材质更高的饱和磁束密度,在较广的温度范围内比较稳定,高临界温度,在 20 到 60温度范围内,具有较低的能量损失,stable permeability material,初磁透率在50 200温度范围内极其稳定。 因为这种特性,这种材质广泛用于通信领域。,高临界温度.,内容(ni-zn),1. 用于emi-suppressor的ni-zn 材料 (sn-20, t-314, sn-065, sn-201) 2. ni-zn 材料应用于 过滤器 & 阻塞线圈(1) (sn-08l, sn-03b, l-81, l-82, sn-06t, sn-03t, mc-1sd) 3. ni-zn低损失材料 (sn-12l, sn-08l, n-08ss-08) 4. 应用于的吸收体ni-zn 材料 (sn-20, sn-16a, sn-01a),与mn-zn材料相比具有极高的阻抗。,与mn-zn材料相比通常ni-zn 材料具有较低的临界温度、饱和磁束密度。z,ni-zn materials for emi-suppressor,ni-zn materials for emi-suppressor,sn-20 能覆盖从低频到高频到10mhz。,如果 sn-20在高频 在10mhz以上不能应用.那么sn-065将会被应用。,在兆赫兹范围内,为了有更好的吸收作用,通常将一些其他材料和铁氧体材料混合使用。,ni-zn materials for linearity,在 ni-zn材料里,临界温度相对比较高。,在 ni-zn材料里饱和磁束密度相对比较高。,因为具有较高的 dc 特性,sn-03b 能在高电流下使用。,l-81 被广泛用于过滤器,ni-zn materials for linearity,ni-zn materials for linearity,在 ni-zn材料中具有极其低的透磁率, 在所有铁氧体材料中也是极低的。,在我们的材料领域,具有最高的阻抗。,比较高的临界温度,临界温度时不可想象的,大于400 。,ni-zn materials for linearity,mc-1sd 与其他材料相比不容易饱和。.,mc-1sd 在高频和高温下使用。,ni-zn materials for low loss,这种材料被应用于 smd, 改名为 s-08。,在 ni-zn材料中除了 mc-1sd,具有最高的阻抗。,sn-12l 具有高的饱和磁束密度、低的矫顽磁力,因此,在ni-zn材料中,具有最低的磁心损失。,ni-zn materials for linearity,第二峰超过 140。,在 ni-zn中磁心损失非常低。,从20 到 120没有很大的变化。,ni-zn materials for ferrite absorber,这种sn-20被广泛应用于吸收体, 因为它具有较高的吸收能力。,这种 sn-01a能在切断温度条件下被应用,因为它有很高的临界温度。,ni-zn materials for ferrite absorber,这种 sn-01a材料在没有其他任何材料的作用下,能在约 1ghz 的 emc 装置中应用。,在这个频率范围内,是很好的吸收体。,通常情况下为16khz但是数字电视需要的要超过80khz,在这种情况下,磁芯损失就十分重要了,sy-03 在大型电视和监视器上用,yl-5 在普通电视及背投电视
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