纳米沟道制作方法的研究及应用.doc

微制造与微机械电子系统The Micro Manufacturing and Mechanical Electronic System纳米沟道制作方法的研究及应用*（大连理工大学 机械工程学院 辽宁 大连 116024）摘要：由于纳米材料的新颖特性和纳米器件潜在的优越性能，使纳米制造技术赢得了广泛的关注。纳米沟道是生物医学技术、纳米流体、纳米光学的应用和理论研究的重要载体之一。而且纳米沟道的制作方法始终是微制造技术中的重点和难点。本文将分别在纳流控芯片的基础之上，提出一种基于等离子体刻蚀的聚合物平面纳米沟道制作方法，在聚合物上纳米沟道的一般制作方法，和一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术。并简要介绍了纳米沟道的应用方面。关键词：纳米沟道 微控流芯片 聚合物 等离子体 离子束刻蚀Research on the Production Methods and Application of NanochannelsWANG Wei(School of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116024)Abstract: As a result of the novel properties of nano materials and the potential superior performance of nano device, nano manufacturing technology have come more and more popular. Nanochannels are one of important carrier in biomedical technology, nano fluid, the application and theory of nano optical. The production methods of nanochannels have been the keys and difficults in microfabrication technology. This paper mainly introduces three methods: a fabrication method of polymer planar nanochannels based on plasma etching,general methods on polymer;novel fabrication technique for nanogroove using ion beam etching.It is also briefly introduces the application aspects of nanochannels.Key Words：Nanochannels Microfluidic chip Polymer Plasma Lon beam etching 0 前言纳米技术，也称毫微技术，是研究结构尺寸在0.1至100nm范围内材料的性质和应用的一种技术。1981年扫描隧道显微镜发明后，诞生了一门以0.1到100nm长度为研究分子世界，它的最终目标是直接以原子或分子来构造具有特定功能的产品。因此，纳米技术其实就是一种用单个原子、分子射程物质的技术。从迄今为止的研究来看，关于纳米技术分为三种概念： 第一种，是1986年美国科学家德雷克斯勒博士在创造的机器一书中提出的分子纳米技术。根据这一概念，可以使组合分子的机器实用化，从而可以任意组合所有种类的分子，可以制造出任何种类的分子结构。这种概念的纳米技术还未取得重大进展。 第二种概念把纳米技术定位为微加工技术的极限。也就是通过纳米精度的加工来人工形成纳米大小的结构的技术。这种纳米级的加工技术，也使半导体微型化即将达到极限。现有技术即使发展下去，从理论上讲终将会达到限度，这是因为，如果把电路的线幅逐渐变小，将使构成电路的绝缘膜变得极薄，这样将破坏绝缘效果。此外，还有发热和晃动等问题。为了解决这些问题，研究人员正在研究新型的纳米技术。 第三种概念是从生物的角度出发而提出的。本来，生物在细胞和生物膜内就存在纳米级的结构。DNA分子计算机、细胞生物计算机的开发，成为纳米生物技术的重要内容。本文研究的纳米沟道，是生物医学技术、纳米流体、纳米光学的应用和理论研究的重要载体之一。如液体在纳米尺度下所表现出量子效应行为很大程度上背离了流体学的经典理论；纳米光学利用纳米沟道研究光学器件的亚波长效应。由于纳米沟道有着极其广泛的应用，本文主要介绍三种纳米沟道的制作方法，还有纳米沟道的一些应用方面。1 纳米沟道的制作方法1.1基于等离子体刻蚀的聚合物平面纳米沟道制作方法生物大分子的操控、过滤富集等试样预处理、分离分析等通常只需要平面纳米通道，即沟道的横截面在宽度方向上为微米级，在深度方向上为纳米级。基于等离子体刻蚀技术上，提出了一种不需要昂贵的专用设备，操作简单、快速，制作成本低廉的聚合物平面纳米沟道制作方法：首先，采用紫外光刻和湿法腐蚀技术在聚合物基片上制作金属掩蔽层，然后利用一台价格相对低廉的等离子体清洗机对暴露在外的聚合物进行氧气等离子体刻蚀1。纳米沟道图形尺寸如下: 图形中共包含9根纳米沟道，9根纳米沟道之间的间距为10m，其中每根纳米沟道的长度为1mm，宽度为5m。制作工艺流程：在聚合物上制作纳米沟道的工艺流程如图1所示2。首先在聚合物板材上，利用COZ激光切割机切割出51mm51mm1mm大小的聚合物基片;将切割好的聚合物基片清洗干净并烘干;接着在聚合物基片上利用磁控溅射台溅射一层约为70nm厚的铜薄膜;接着在铜薄膜表面上利用2600r/min的匀胶机旋涂一层AZ701正性光刻胶;然后放到55的热板上进行前烘45min;接着在基片上覆盖掩膜版，利用曝光机进行曝光25s;然后放入0.5%的氢氧化钠溶液中进行显影;显影后再次放到55的热板上进行后烘60min;接着放入2.5%的稀硝酸溶液中进行刻蚀裸露的铜;用干燥的氮气吹干后再次放到曝光机上进行整体曝光55s;接着放入0.5%的氢氧化钠溶液中去除残留在电极表面上的残胶;然后用去离子水轻轻冲洗干净;接着用干燥的氮气吹干;接着把聚合物基片(带铜薄膜的一面朝上)放入等离子体清洗机中进行等离子体刻蚀(射频功率为60W，腔室压力为200Pa，时间根据要刻蚀纳米沟道的深度而定);然后放入2.5%的稀硝酸溶液中把聚合物基片表面的铜全部腐蚀掉，即得到平面聚合物纳米沟道。图1 纳米沟道制作工艺流程该方法的优点：不需要为实现聚合物刻蚀而购买昂贵的反应离子刻蚀或感应藕合等离子体刻蚀设备，而且操作简便。1.2聚合物上纳米沟道的一般制作方法微流控芯片3于1992年问世，是微机电系统技术在分析化学领域中应用的产物。作为一个跨学科的新领域，现已迅速发展成为微全分析系统的主流技术，并被预言将引导化学分析领域的下一次革命。常规的微流控芯片主要由一片基片和一片盖片经过键合而成，通过在芯片上加工出电泳微通道和其他功能单元，实现样品的进样、反应、分离和检测等过程，是一种多功能、快速、高效、试样用量少的微型实验装置。为了提高芯片的集成度，往往需要在微流控芯片上集成各种金属微电极，如被用作液体驱动电极、检测电极、加热元件和温度传感器等。但是，由于金属微电极的存在，给聚合物微流控芯片的键合增加了难度，相应的键合方法也一直是人们关注的一个研究热点。随着纳米科技的快速发展，人们又提出将纳米技术引入微流控芯片，建立纳流控芯片(芯片的沟道至少一维方向上处于纳米尺度范围内)。与微流控芯片相比，纳流控芯片在很多方面展示出了它独有的特点。例如，由于通道尺寸与生物分子的尺寸处在同一数量级，适合进行单分子分析等。目前，纳流控芯片技术的研究在国际上还处于发展初期，作为该项技术的基础和源头纳流控芯片加工技术，正受到国内外许多专家学者的高度重视，而纳米沟道的制作被公认为是纳流控芯片加工的关键技术和难点。目前，已报道的在聚合物上制作纳米沟道的方法主要有质子束直写法、热压成形法和牺牲层法。(1)质子束直写法2007年,wang等提出了利用质子束在PMMA上刻蚀纳米沟道4。具体步骤如下:首先在50m厚的聚酚亚胺薄膜上旋涂一层厚度2m的PMMA薄膜;接着利用质子束刻PMMA薄膜，刻出的纳米沟道宽度和深度分别约为 100nrn和2m，如图 2所示。图2 （a）纳流控芯片结构；（b）纳米沟道扫描电镜照片此方法的特点：利用质子束直写技术，可以制作出一维或多维纳米沟道，但是这种技术需要昂贵的设备，很难在普通实验室内得到普及。(2)热压成形法2007年，Abgrall等提出了利用热压成形法制作纳米沟道5 (图 3)。具体步骤如下:首先在硅片上利用标准光刻技术和反应离子刻蚀技术制作硅模具，接着利用热压成形法把纳米图形复制到PMMA基片上，制作出的纳米沟道长度为 1cm，宽度为10m ，深度约为79.2nm。图3 （a）纳流控芯片制作流程； （b）纳米沟道照片此方法的特点：利用热压成形法，可以制作出精度较高的纳米沟道，但是这种技术同样需要昂贵的设备(制作模具)，加工成本较高，同样不能在普通实验室内得到普及。(3)牺牲层法2004年，c.T.Eijkel等提出了利用牺牲层法制作纳米沟道6 (图4)。具体步骤如下:首先在氧化的硅片上旋涂一层2.4拼m厚的聚酞亚胺，接着在聚酞亚胺上溅射一层100nrn或50Onm厚的铝薄膜，接着利用光刻技术和腐蚀技术制作出宽度为2一30m、长4mm的铜微图形，接着再在其上旋涂一层2.4m的聚酸亚胺，最后放入铝腐蚀液中把铝图形刻蚀掉，即可得到纳米沟道，但是腐蚀铝需要24h，时间较长.利用牺牲层法制作纳米沟道，在腐蚀掉牺牲层的过程中，时间比较长，比较费时费力，另外，采用湿法腐蚀来去除牺牲层时，腐蚀精度比较难于控制。显然，目前在聚合物上制作纳米沟道的成本非常高，而且比较耗时。因此，纳米沟道的制作技术还不能得到普及，还需要寻找一种简单易行、经济实用的聚合物纳米沟道的制作方法。图4 聚酰亚胺纳米沟道俯视图1.3一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备方法1.3.1 概述目前，已出现多种先进纳米制造技术，这些纳米制备技术总体上可分为自上而下和自下而上的两种途径。前者是用光刻刻蚀等微细加工方法，将大的材料割小，形成结构或器件，并与电路集成，实现系统微型化。这种技术途径易于批量化和系统集成。包括X射线曝光光刻，电子束曝光光刻，纳米压印技术，聚焦离子束光刻。如Roukes利用聚焦电子束光刻在覆盖PMMA的衬底上进行扫描，PMMA上光刻出所需要的器件图形。Orloff 也提出了几种聚焦离子束光刻的应用，与电子束光刻相似。Zankovych利用纳米压印技术获得了 15nm的特征尺寸。另外，自下而上的纳米器件制造途径是分子、原子组装技术的办法。如单原子操作和量子点自组装等等。这种制造技术反映了纳米技术的一种理念，即从原子和分子的层次上设计组装材料、器件和系统，是一种很有前途的制造技术，但目前还只是处于实验室研究阶段。可以发现，这些的纳米制备方法大多数都是成本较高、效率底、可控性差、 难以批量生产和与现行的半导体工艺技术相容性较差等。这些缺点严重限制了这些方法在纳米技术上的应用7。在自上而下的纳米制造途径中，一种很有潜力的技术是基于MEM工艺的纳米制造。 MEMS技术在制作大量的微传感器和微执行器已取得了很大的成功，而其相对较底成本的MEMS工艺技术来批量制造纳米器件已经引起了业内浓厚的兴趣。MEMS工艺的一个重要特点就是它具有高度选择性。如KOH等碱性溶液各向异性腐蚀硅时，利用了不同的晶向有相差很大的腐蚀速率的原理；牺牲层技术则是利用不同材料间的不同腐蚀速率的选择性；氧化选择性是由于氧化温度和材料应力导致不同的氧化速率，如尖端应力处氧化较慢；干法刻蚀的选择性是利用对图形侧壁钝化保护和对底部选择性刻蚀的交替进行完成的。若用 MEMS技术制备纳米器件，不但成本低廉、降低NEMS对设备的要求，而且工艺兼容相对较好8。虽然一些相关文献已经成功制备出微/纳沟道，但是多数都是对工艺条件要求较高，尤其是光刻条件需要X射线、电子束、聚焦粒子束等方法，增加了工艺成本。所以利用MEMS工艺制备纳米沟道具有重要的意义。基于一般的MEMS工艺条件下采用常规的光刻方法9，通过改进离子束对刻蚀轮廓形状选择性和控制KOH腐蚀的时间，使在仅用一块2m 线宽的光刻版的基础上，在两种不同的离子束刻蚀轮廓形状情况下，在 2m 图形内制造出单纳米沟道阵列和双纳米沟道阵列。大大降低了常规纳米工艺难度和工艺成本。1、离子束入射角与刻蚀轮廓的相关性离子束刻蚀常用于刻蚀多种掩膜材料10。刻蚀时，离子束与硅片法线之间的角度是刻蚀轮廓形状的一个重要参数。角度越小，离子束越接近垂直硅面，刻蚀的图形越陡直，但均匀性却越差；角度越大则情况相反。在允许的的范围内调节该角度的大小，可以获得不同截面形状的刻蚀曲线。比如：离子束最常用的刻蚀角度是 30 ，刻蚀的截面底部是弧形结构，如图5所示。这可能是离子束在法线偏角 30 时，大部分离子刻蚀底面中间部分，使曲线中间最低.另外，经大量的实验结果发现，离子束刻蚀角度若是在0 与30之间交替循环进行刻蚀，则刻蚀出的截面曲线呈流线型，即刻蚀图形底部中间大部分上凸，两端下凸的形状，如图6 所示。这是由于偏角0 时离子束垂直刻蚀硅片，30 时离子束刻蚀底部中间部分，交替过程中再加上离子散射形成的.为了简便起见，我们称刻蚀出图 5 的形状的离子束刻蚀条件为定角刻蚀，刻蚀出图6的形状的离子束刻蚀条件为变角刻蚀11。图 5 离子束与硅片法线成30刻蚀的形状图 6 刻蚀角度在0到30之间交替进行刻蚀后的形状2、工艺设计根据上述的离子束刻蚀角度与刻蚀形貌关系的结果，本文设计了两种纳米沟道工艺方案。先用PECVD 生长一层 Si3N4 薄膜，并采用带有2m线条图形的光刻板光刻。第一种方案是利用离子束把Si3N4 薄膜刻蚀出图7的这种轮廓12，即离子束与硅片法线夹角为 30 时的定角刻蚀出的形状，由于中间部分的Si3N4最薄，其余地方的Si3N4 相对较厚，然后用BOE溶液腐蚀，最薄处的Si3N4首先被腐蚀掉，使图形中间部分的硅先露出，如图 9 所示。然后控制 KO H 腐蚀 Si 的时间，可获得位于 2m 图形底部中间的单纳米沟道。第二种方案是利用离子束刻蚀出图8的结果13，即离子束在偏角 0与 30之间的交替刻蚀Si3N4,显然，这种变角刻蚀的结果使 2m 的图形内中间大部分的Si3N4 较厚，沿两侧壁的底部的Si3N4 最薄。然后同第一方案类似，先用 BOE 腐蚀，使两侧壁底部的Si3N4被去掉，如图 10 所示。然后再用 KOH 腐蚀 Si，就可以在 2um图形内做出位于侧壁底部的两条纳米沟道.通过多次实验，利用离子束的定角刻蚀与变角刻蚀这两种工艺方案分别制作了单纳米沟道和双纳米沟道。图 7 BOE 腐蚀定角刻蚀的图形后图 8 BOE 腐蚀变角刻蚀的图形后1.3.3纳米沟道的制备方法首先用 50 1 的 HF 酸清洗硅片，去除自然氧化层，然后兆声清洗，使硅片清洁。然后等离子体化学气相淀积( PECVD) Si3N4 5 000 A ，并用有2m线条的光刻板光刻，光刻胶厚 0. 9m.以上实验步骤是两种工艺方案的共同部分。接下来分别叙述之。对定角刻蚀工艺14，调节 IONBEAM 角度，使离子束与硅面法线的角度成 30，刻蚀掉 4700A 的Si3N4 ，如图 9。 图 9 离子束定角刻蚀Si3N4 后的截面轮廓可以发现2m 图形内所剩的Si3N4中间最薄，厚度约 300 A。然后用38 的BOE溶液腐蚀Si3N4 30 秒。正好将图形内最薄的Si3N4去除掉，如图 10。 最后用浓度为 40 %、温度为50 的KO H腐蚀图6中所露出的硅，腐蚀时间8. 5 min，可以获得开口为 800 nm的三角形纳米沟道15，如图 11所示。 图10 BOE 溶液腐蚀300A的Si3N4 后 图11 KOH溶液腐蚀Si后形成的纳米沟道对变角刻蚀工艺，光刻Si3N4后离子束刻蚀Si3N4 4500 A ，离子束与硅片法线的角度在0与30之间交替变化，每两分钟改变一次角度，刻蚀形状如图12所示。此时，2m图形的两侧壁底部明显下凸，该处的Si3N4 约500 A ，而中间大部分是上凸的.然后同样用BOE溶液腐蚀Si3N4 55s，首先去掉下凸处的Si3N4，露出的硅再用浓度为40 %、温度为50 的 KOH 腐蚀 5 min，获得宽约为 650 nm 的纳米沟道。如图 13 所示。图12 离子束角变刻蚀Si3N4后的截面轮廓 图13 经KOH腐蚀后获得的纳米沟道1.3.4 结论通过研究MEMS常规工艺-离子束刻蚀的刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系，提出一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术，结合KO H 的各向异性腐蚀工艺，成功获得了最小宽度达 440nm的纳米沟道阵列.该技术具有良好的自对准性，制作成本低，是一种新颖的而且有效的方法16。3 纳米沟道的应用当前纳米技术的研究和应用主要在材料和制备、微电子和计算机技术、医学与健康、航天和航空、环境和能源、生物技术和农产品等方面。用纳米材料制作的器材重量更轻、硬度更强、寿命更长、维修费更低、设计更方便。利用纳米材料还可以制作出特定性质的材料或自然界不存在的材料，制作出生物材料和仿生材料。原因如下： 1、纳米是一种几何尺寸的度量单位，1纳米=百万分之一毫米； 2、纳米技术带动了技术革命； 3、利用纳米技术制作的药物可以阻断毛细血管，“饿死”癌细胞； 4、如果在卫星上用纳米集成器件，卫星将更小，更容易发射； 5、纳米技术是多科学综合，有些目标需要长时间的努力才会实现； 6、纳米技术和信息科学技术、生命科学技术是当前的科学发展主流，它们的发展将使人类社会、生存环境和科学技术本身变得更美好； 7、纳米技术可以观察病人身体中的癌细胞病变及情况，可让医生对症下药。近年来，人们又提出将纳米技术引入微流控芯片，建立纳流控芯片。纳米沟道的制作技术是纳流控芯片发展的基础和源头。本文提出了一种基于等离子体刻蚀的聚合物平面纳米沟道制作方法。首先，采用紫外光刻和湿法腐蚀技术在聚合物基片上制作铜掩蔽层;然后，利用等离子体清洗机对暴露在外的聚合物进行氧气等离子体刻蚀;最后，去除铜掩蔽层，便得到了聚合物平面纳米沟道。在固定了等离子体清洗机的腔室压力和射频功率后，对芯片常用的多种聚合物材料进行了刻蚀速度实验，分别建立了相应的纳米沟道刻蚀深度与时间的关系曲线。在第二种制作方法中，利用该纳米沟道制作方法和前面研究的等离子体辅助热键合方法，研制了一种用于实现离子富集的PMMA微纳流控芯片。在一片PMMA上制作2根间距0.65的“U”形微沟道，在另一片PMMA上制作9根宽5nm、深约500nm、长1微米的平面纳米沟道，然后将两片PMMA进行对准键合，使得纳米沟道架在两根“U”形微沟道之间。实验结果表明，纳米沟道端部离子富集效果明显。4 纳米沟道技术的未来发展趋势70年代纳米颗粒材料问世以来，纳米材料至今已有30多年的历史。纳米材料研究经历了三个阶段。第一阶段：人们主要是在实验室里探索用多种手段制备各种材料的纳米颗粒粉体，并合成为纳米块体材料。第二阶段：是利用纳米颗粒材料的物理化学特性和力学特性来设计制备纳米复合材料。第三阶段：纳米组装体系，如人工组装合成的纳米结构材料和纳米尺度图案材料。以纳米颗粒以及纳米线、纳米管为基本单元在1维、2维或3维空间中按一定的方式有序排列、组装成为具有纳米结构的体系。新世纪高科技的迅速发展对高性能材料的要求越来越迫切，而纳米材料的合成为发展高性能的新材料和对现有材料性能的改善提供了一个新的途径。早在1994年美国材料科学学会举办的一年一度的MRS会议上已正式提出“纳米材料工程“的新概念，其目的是为加快纳米材料转化为高技术企业的进程，缩短基础研究、应用研究和开发利用的周期，这是当今新材料研究的重要特点。下面介绍当前纳米材料发展的新趋势：高强、高韧、高硬度的纳米复合深层材料有新的进展。纳米涂层材料由于具有高强、高韧、高硬度特性，在材料表面防护和改性上有着广阔的应用前景，近年来纳米涂层材料发展的趋势是由单一纳米涂层材料向纳米复合涂层材料发展。如美国桑迪亚国家实验室的杰夫布林克尔最近研制出一种表面巨大且具有完全规则的纳米结构的超薄涂层，其孔隙设计得只允许一定尺寸的分子通过，这种涂层可以用作化学传感器，其检测分子的灵敏度比普通材料高500倍；中国科学院化学所工程塑料国家重点实验室利用纳米复合涂层技术研制出纳米塑料，并实现部分工业化生产。纳米塑料呈现出优异的物理力学性能，具有强度高、耐热耐磨性好，比重较低。另外还呈示出良好的透明度和较高的光泽度，其耐磨性是黄铜的27倍。国家973纳米领域首席科学家张立德表示：“纳米塑料将是我国最有希望实现产业化的纳米技术之一”。以实际应用为目标的纳米复合材料的研究在未来的一段时间内将有很强的生命力。也是新材料发展的一个重要部分。纳米科技是一门新兴的尖端科学技术。它将是21世纪最先进、最重要的科学技术之一，它的迅速发展有可能迅速改变物质产品的生产方式，引发一场新的产业革命，导致社会发生巨大变革。正如像自来水、电、抗生素和微电子的发明带来的变革一样，对人类认识世界和改造世界将会发挥不可估量的作用。5 总结本文首先介绍了纳米沟道的研究现状，进而通过查阅文献资料主要提出了三种纳米沟道的制作方法，分别是基于等离子体刻蚀的聚合物平面纳米沟道制作方法，在聚合物上纳米沟道的一般制作方法，和一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术。并简要介绍了纳米沟道的应用方面。作为微流体器件的核心部分，纳米沟道的制备技术已受到广泛的关注。由于主流的微纳工艺已经很难满足纳米沟道的高可控性要求，而较高精度的光刻技术和刻蚀技术又大大增加了工艺成本。基于这一背景，本文从低成本的MEMS选择性工艺出发，重点研究干法刻蚀中的离子束刻蚀原理和在刻蚀微米图形时所表现出来的双阴影效应，即离子束的角度选择性，并建立了自对准的纳米沟道的离子束刻蚀模型。经结合其他MEMS选择性工艺，成功制备出了基于离子束双阴影效应的双纳米沟道。这种双纳米沟道的最小宽度可达200nm，具有良好的自对准性。同时，通过改变离子束入射角来调节双阴影的覆盖范围，也可制备出单纳米沟道。最重要的是，本文的纳米沟道制备技术是在Zum的掩模图形下完成的，不需要高精度的光刻设备或高精度的刻蚀设备，所以具有低成本，工艺周期短，良好的自对准性和可控性等优点。而且还研究了一种新颖的基于 MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术，通过研究离子束刻蚀微米级线条时，离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系，在 2m 线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形 ,并结合KOH的各向异性腐蚀，成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下，在 2m图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道，最小宽度可达440 nm。其中，纳米沟道的制作方法一直是微制造技术中的难点，还有待进一步的讨论。由于刚刚涉足这些方面，对一些问题理解不够深刻，只是提出自己的一些浅显见解，在本文中定有很多不足之处，希望在以后的学习中可以进一步的探索，改进文中的不足。参考文献1 孙长敬，褚家如基于MEMS技术的微流体混合器及相关技术，微纳电子技术，2004，5：28322 许春丽，李保新，章竹君.微全分析系统检测方法的研究进展.分析化学，2003，31(12):1520一1526.3罗怡,王晓东,刘军山等.沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法.中国,发明专利,ZL200410082842.2.20044 JRLewis，and MFermri，Bio MEMS for Drug Delivery 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