电子科技大学成果(项目)一览表.doc

电子科技大学成果（项目）一览表序号成果名称技术特点拟（正）合作单位合作方式1高比容铝电极箔制造及检测分析技术20V电压下，Al2O3-TiO2高介电常数复合介质膜比纯Al2O3介质膜的比容与耐电压的乘积提高25%以上无专利转让2电动汽车等动力电池用正极材料LiFePO4/C和LiMn2O4的产业化1. LiFePO4/C复合正极材料材料组成：LiFePO4/C复合正极材料首次放电比容量：150mAh/g首次充放电效率：90%2Li1+xMn2-xMyO4-dFd复合正极材料首次放电比容量：100135 mAh/g首次充放电效率：90%无（1）. 技术转让；（2）. 使用权转让；（3）. 技术入股；（4）. 注册成立新公司进行研发、生产和销售。3锂离子动力蓄电池第五代新型正极材料LiFePO4比容量大比功率大安全性能佳循环性能佳环保性能佳资源丰富成本极低无毒高温性能佳无（1）.技术转让（2）.联合研发4LTCC叠层微带贴片天线f01268.52MHz；带宽50MHz；驻波比2；特性阻抗：50；极化方式：圆极化；外形尺寸：小于40mm40mm3mm无技术转让5大尺寸钆镓石榴石（GGG）单晶体研究直径4英寸，长度30cm。（111）晶面取向，晶格常数12.383。切磨抛可获得3英寸外延级别GGG单晶基片基片。可批量生产。无（1） 技术转让（2） 项目合作6通信网络变压器材料及器件初始磁导率（10kHz，0.25mT，25）：800025%磁滞损耗系数（10kHz，25，1.5-3mT）：0.110-6/mT饱和磁通密度（25，1194A/m）：390 mT无（1） 技术转让（2） 项目合作7小型化微波铁氧体器件涵盖C波段到K波段，可实现宽带磁屏蔽、大功率、双级高隔离等技术特点无（1） 技术转让（2） 项目合作8应用于GHz频段的纳米磁性薄膜及集成器件工作在GHz频段的电感、滤波器、阻抗、磁传感器、EIM器件、薄膜电磁噪声抑制器无（1） 技术转让（2） 项目合作9复合多性LTCC磁电材料（L、C、R）及器件起始磁导率 5.613 (1MHz)，品质因素 60100 (1MHz)，介电常数 60120 (1MHz)使用频率 1KHz4GHz，电阻率 106 cm，烧结密度 4.95.1 g/cm3收缩率 x 152 % ， y 152%， z 72%温度特性 5 10-6 -1无（1） 技术转让（2） 项目合作10多层叠片式EMI滤波器低温材料自主开发具有原创性，片式EMI技术国内独有无（1） 技术转让（2） 项目合作11短波接收机中宽带数字多相滤波器组输入信号频率2MHz；带宽800KHz；子信道125Hz8KHz；子信道滤波器矩形系数整体可控无（1） 技术转让（2） 项目合作12集成薄膜变压器应用频率f=10KHz-20MHz, L初1 ;变压比1：2、1：3、2：1；f=1KHz-10MHz， 插损2dB；f=10KHz-0MHz，插损200%；MRAM器件，33阵列，实现读写功能；自旋传感器巨磁电阻变化率5%，工作偏置点1%/Oe无（1） 技术转让（2） 项目合作21功率MOSFET、IGBT、快恢复二极管、高压集成技术、SOI高压集成电路无锡华润微电子（包括无锡华润上华、无锡华润华晶等）双方签有战略合作协议，建有联合实验室22功率半导体器件、功率集成电路、光电器件中国电科58所双方签有战略合作协议23高压功率集成电路等江苏东光微电子；江苏捷捷微电子；江苏宏微科技双方已开展初步合作24YBCO高温超导双面带材Tc90K；Tc1.5MA/cm2；Ic（77K，0T）200A/cm。无（1） 技术转让（2） 项目合作25TaN薄膜及微波器件最大功率密度：10W/mm2微波功率负荷：5W800W工作频率：DC18GHz直流电阻范围：50W1kW电阻温度系数：-50ppm/TCR50ppm/工作温度：-55150基片材料：BeO、AlN、Al2O3无（1） 技术转让（2） 项目合作26结构/功能一体化集成薄膜传感器1、薄膜传感器的整体厚度小，对流导的扰动小，测试数据更真实。2、薄膜传感器质量小、响应速度快、灵敏度高、测试精度高。无（1） 技术转让（2） 项目合作27低Hc LiZn铁氧体材料采用Sol-Gel工艺和氧化物陶瓷工艺分别制备高活性纳米/亚微米粉体，结合缺铁、富锂配方和低熔点添加剂以及低温烧结技术，改善LiZn铁氧体的旋磁性、矩磁性以及软磁性，并降低了铁磁共振线宽和介电损耗。无（1） 技术转让（2） 项目合作28可调微波器件用铁电薄膜材料 小批量： 100mm6片/批，厚度均匀性优于6%； 高温度稳定：-50125内，介电系数变化10%，调谐率变化2%； 抗疲劳：在30V下经108次极化反转，性能稳定。无（1） 技术