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文档简介
MOSFET&IGBT 在PDP上的应用,MOSFET&IGBT概述,MOSFET结构图,在MOSFET中是多子移动，单极性器件开关时间短,MOSFET等效图,IGBT结构图,IGBT等效电路,寄生晶闸管引起锁定效应可能引起误导通,NPT型IGBT特点,MOSFET&IGBT输出特性,MOSFET 输出特性,IGBT 输出特性,IGBT和MOSFET在硬开关的时候典型特性,导通过程的说明,MOSFET与IGBT的发展方向,MOSFET几个用法,单向导通,双向导通,MOSFET几个用法,MOSFET几个用法,电容隔离式使用,MOSFET几个用法,变压器隔离式使用,MOSFET几个用法,DC-DC式光耦隔离使用,MGD 2110的内部结构,IR2110基本应用,IR2110自举原理说明,IR2110说明,IR2110优点： 价格便宜，一片IR2110可以驱动两路开关。 耐压比较高，可以达到500伏。 电路形式简单，应用元件较少，电路板面积较小。,IR2110说明,IR2110驱动电路的缺点是： 浮动驱动电压由自举电容实现，要求电路的输出要有足够为零电位的时间，以给自举电容充电。 IR2110要求Vs端不能为负电压，因此该电路不能用于输出可能为负电压的场合。 如果要求输出有较长时间为高，可能要采用电荷泵电路，维持VB和VS间自举电容长时间保持15V压差，使得开关管M1在该时间段内导通。,IR2110说明,采用IR2110的浮动通道来实现高压MOS浮动栅极驱动电路的适用条件： 输出电压没有负电压。 驱动电压波形中零电位出现不能相隔太久。 零电位维持时间要满足自举电容充电的时间。,IR2110的典型使
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