集成电路设计实验报告.doc

集成电路设计实验报告院别： 电信学院专业：电子科学与技术班级：姓名： 学号：组序：52实验 （ 一 ）题目名称：熟悉L-EDIT软件工具成绩：教师签名：批改时间： 1、 实验目的： 学会使用集成电路版图设计L-EDIT软件工具，熟练画电路版图的操作指令和各种快捷命令，并熟悉应用特定工艺库即工艺文件来实现电路。通过该实验，使学生掌握L-EDIT的设计方法，加深对课程知识的感性认识，增强学生的设计与综合分析能力，为将来成为优秀的后端工程师做准备。2、 实验要求： 如将设计好的电路制成实际使用的集成块，就必须利用版图工具将设计的电路采用标准工艺文件转换成可以制造的版图。然后再将版图提交给集成电路制造厂家（foundry），完成最后的集成块制造，所以画版图的本质就是画电路原理图。在画版图时，首先要明白工艺文件的含义，每一种工艺文件代表一条工艺线所采用的光刻尺寸，以及前后各个工序等等；其次要懂得所使用的工具步骤及各个菜单及菜单栏的内容，以便熟练使用该软件；最后对所画版图进行验证，确保不发生错误。此外，还必须了解所使用的版图设计法则，对于不同的工艺尺寸其法则有所不同，这就要求设计者在应用该软件时，必须熟悉相应的设计法则，为完成正确的版图做准备。该实验原理是画常用的NMOS管，画图时要求熟悉NMOS的工艺过程及设计法则。3、 实验方法： 熟悉L-EDIT版图软件工具及工艺库相关内容，熟练该软件工具菜单功能及使用方法。以PMOS器件为例，在调用相应的工艺文件基础上，画元器件的物理实现版图（如选用几微米的工艺线、设计法则等）,设计完成后运用该软件的设计规则对所画的版图进行DRC验证，并修改不正确的部分，直至设计无错误。4、 实验内容：1. 安装L-EDIT仿真软件：先点击Daemon.exe文件，用虚拟光驱将.ISO文件载入，并点击L-EDIT的Setup.exe文件即可。2. 按照Crack方式注册该软件，并运行。3. 以MOSIS提供的morbn20.tdb工艺库为例，从ReadMe中可以了解许多信息：工艺提供制造商、工艺尺寸、设计规则及器件剖面图等。4. 以morbn20.tdb工艺库为例，画NMOS版图。FileNewCopy TDB setup from。5. 点击Browse选择根目录TannerLEDIT83。6. 点击LEDIT83Samples。7. 点击Samplestech。8. 点击techmosis。9. 在mosis文件夹下，选择工艺库文件morbn20.tdb。10. 版图的详细设计规则：SetupDesign，也可在fileopenmorbn20.tdb。包含有工艺线大小、设计规则、工艺流程等。11. 画N Well掩模板，其中宽度W = 32m 高度H = 20m。如果对需要对图形进行修改，先将光标箭头放在该图形的边缘，点击鼠标中键即可完成拉长或缩短。12. 画P select掩模板，其中宽度W = 18m 高度H = 15m。 13. 画Active有源区掩模板，其中宽度W = 14m 高度H = 6m。该有源区与左边、右边和下边的间距都为2m。14. 画N select掩模板，其中宽度W = 9.5m 高度H = 15m。15. 画Active有源区掩模板，其中宽度W = 5.5m 高度H = 6m。16. 画Poly多晶硅，其中宽度W = 2m；高度H = 10m及宽度W = 6m；高度H = 6m两图形。17. 画Active contact有源区接触孔及Ploy contact接触孔，宽度W = 2m；高度H = 2m。18. 画Metal1，宽度W = 4m；高度H = 4m。19. 进行设计规则检查，ToolsDRC即可。20. 检查没有错误，表示所画版图正确。21. 如果不能通过DRC，则点击此叉图来查找问题，并改正。5、 实验中遇到的问题和解决办法按照实验内容画好没有错误，如下：六、实验体会： 1.通过本次实验，初步了解了集成电路版图设计L-EDIT软件工具栏