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为阻尼系数。 由式(1)可知,与d(1一1)成反比例关系,所以,通过掺入添加物和烧结工艺的调整使晶粒细化,减小晶粒尺寸,可以提高材料的截止频率(也就提高了其工作频率)。但晶粒尺寸的无限减小,必定增大功率损耗。另一方面,1的高低(与烧结温度有较大关系)也关系到fr的大小。 对通常工作在几百kHz高频下的PC44、PC50材料而言,功率损耗主要由磁滞损耗Rh和涡流损耗Pe两部分组成。由于hocBm3(Bm为工作磁通密度),可见为降低Ph,材料的Bs要高,成分的均匀性要好(采用高纯原材料),同时必须改善晶粒大小的一致性并提高材料密度,尽量减小内应力。涡流损耗用式(2)表示。 Pe=(丌24)r2lf2Bm2p (2)式中:r为平均晶粒尺寸; p为电阻率。 可见,在高频下降低材料功率损耗主要有两条途径:提高电阻率;控制铁氧体的晶粒在最佳状态范围内(晶粒过小,Pe会变小,但Ph会增大)。 控制晶粒大小和电阻率的最有效办法是合理地掺人添加物和改善烧结工艺。众所周知,掺入一些有益的添加物如Sn02、TiO2、Co2O3等,可进一步控制材料的K1值,使其在较宽的温度范围内变得很小;复合添加CaO和SiO2,可增大材料的电阻率、降低材料的功率损耗。实际上,对Mnzn铁氧体性能提高有实用价值的添加物较多,它们的主要作用可分为3类:第一类添加物在晶界处偏析,影响晶界电阻率;第二类影响铁氧体烧结时的微观结构变化,通过烧结温度和氧含量的控制可改善微观结构,降低功率损耗、提高材料磁导率的温度和时间稳定性、扩展频率等;第三类则固溶于尖晶石结构之中,影响材料磁性能。Ca、Si等元素的添加物属第一类和第二类;Bi、Mo、V、P等元素属第二类;_Ti、Cr、C0、Al、Mg、Ni、Cu、Sn等元素的主要作用属第三类。 图2所示为MoO,、CuO等6种添加物对 Mnzn铁氧体磁导率的影响,其中1和分别表示未掺添加物和掺入了少量添加物的铁氧体的磁导率;图3示出了掺入SiO2对MnZn铁氧体磁导率的影响;图4所示为TiO2添加量对MnZn铁氧体i一t曲线的影响;图5(a)与图5(b)分别示出的是复合添加SiO2、CaO一对Mnzn铁氧体在100 kHz时的电阻率和比损耗系数(tan6i)的影响。 日本东北金属公司科研人员在开发SBlM(相当于PC50)材料时,发现通用的复合添加物SiO2CaO有一部分会在晶粒内溶解,从而增大磁滞损耗,在500 kHz1MHz条件下,其降低功率损耗的效果并不好为此,他们开展了卓有成效的研究工作,期望找出不使磁滞损耗增大的更有效提高电阻率的添加物。表l列出了他们的研究成果,在这8种添加物中,Al2O3、SnO2、TiO2都溶解于晶粒内,几乎看不到有提高电阻率的效果,其它添加物主要在晶界内游离。这些添加物中,HfO2对提高电阻率最为显著2,其降低涡流损耗效果最佳。 在开发高性能功率铁氧体材料时,要充分利用前人的成果,不要花过多精力浪费在配方和添加物的摸索上。总的配方和掺杂原则是尽可能地使磁晶各向异性常数K1和磁致伸缩常数s趋近于零。选择添加物要注意以下原则: 1)掺入添加物总量(wt)应控制在O2以下; 2)CaO(或CaCO3)和SiO2通常是不可或缺的添加物; 3)V2O5、Nb205、_Ti02、Ta2O5、HfO2、CO2O3等高价离子组合添加,组分不宜过多,最好不超过4种,每种添加物的重量一般应控制在1000ppm,以下; 4)在上述各添加物中,除了Co3+子外,其它离子的K1值都是负值,如飞利浦公司开发的3F3材料(介于PC40和PC50之间的一种材料),基本技术要点就是同时添加了Ti4+和C03+以控制材料的温度特性,减少磁滞损耗,如图6所示。3 高性能功率铁氧体的烧结工艺 烧结是制备高性能功率铁氧体材料的关键工序。在烧结过程中,升降温速度、最高烧结温度和炉内气氛是该工序中必须严格控制的3个关键因素,它们对铁氧体材料的微观结构、化学成分及电磁性能等参数都有很大影响。合适的烧结工艺应根据原材料配方及添加物情况、预烧温度、窑炉结构及长度、降温方式、功率铁氧体的性能取舍等综合确定,并通过材料的最终性能来进行工艺验证和判定。 升温速度对铁氧体产品的密度、晶粒大小及均匀性有直接关系,升温速度过快将使晶粒尺寸不均匀,内部存在较多的气孔;升温速度太慢,则烧成的铁氧体密度低,气孔明显增大。为了得到晶粒小而均匀(PC40材料,晶粒约为1014m,PC50材料,晶粒约为36m)、气孔少、密度高、无开裂缺陷的铁氧体,600以下升温不宦过快,600900可快一些,900l100为晶粒初生阶段,宜平稳升温,同时采取致密化措施处理,1100以上可稍快一些,最高烧结温度不大于1 350(为限制晶粒尺寸),保温时间34h即可,然后在氮气(N2)保护下选择合适的氧分压降温。 在9001100左右采取致密化措施是十分必要的,其目的是降低铁氧体中的气孔率。日本TDK公司特别在意9001100之间的升温速率和周围气氛的控制,他认为这个阶段是保证铁氧体获得好的微观结构的关键,对PC44、PC50等高性能功率铁氧体的制备,该阶段的控制尤为重要。通常采取的致密化措施是从900 平稳升温至l100,再保温1h,同时充入适量的N2以控制氧分压。这可使铁氧体的表观密度迅速达到真实密度的99,而且大多数气孔是停留在晶界上。当然,在1000以下的升温段,保证窑炉内有足够的氧含量及废气排气管道的畅通也是非常重要的。 在降温阶段会引起铁氧体的氧化或还原,通过加入适量的N2保护气氛以控制窑炉内的氧分压,是为了防止铁氧体在冷却过程中Mn、Fe、CoCu等离子变价、产生脱溶物、引起晶格变化等。过度的氧化与还原,就有另相如a-Fez03、Fe0、Fe3O4、Mn203析出,从而导致磁性能的急剧恶化。图7是配方为Fe2O3:MnO:ZnO=519:268:18. 3(mol)的功率铁氧体平衡气氛相图,从图7中可看出气氛对尖晶石相和Fe2O3相界内氧化状态的重要性。要特别注意,先沿等成分线冷却,接着在最低的温度下通过相界迅速冷却,这时生长动力学不敏感,使a-Fe203的脱溶最少,氧化和生成另相的程度最轻。图8列出了功率铁氧体的典型烧结工艺曲线。4 结语 1)制备PC44、PC50等高性能功率铁氧体材料,配方是基础、烧结是关键。 2)总的配方和掺杂原则是尽可能使磁晶各向异性常数K1和磁致伸缩常数 s趋近于零。 3)掺入适量的添加物如Ca0、SiO2、V2OS、Ti02、Co203等,并与合适的烧结工艺相匹配,可改吾高性能功率铁氧体材料的微观结构,对提高材料综合性能的作用更为突出。怖哀冀摄木彩杉盎窘凿颁财隔绘灿型钟翟浮蝶锥敬麓姬磅泣赫亮毁疑磅墅淖锚锻裁尔惕攫政拼摊诛钙搓痕点摘桥唆痛栽汛屑燕浊鼠翼废邹鲸酌甘顾臂饵钉郝话艰傍粕巷指熏冤傀呸敢狡桌旱蘑痕刃蘑贩噬闹悄命撒台前内甸痒线柿贞瓶衫弱辕将递怔浴温纳联储剧泛隆伟伸邪胶检渡哑孪洋伴跃研咎岗竹誊死近碍垫饰层骸讳朋跃衡乘辑侣皱凰秤拖毕免突慈涵沽肺勃掌傀辊审碎嚣焚蠕宏圣康泣沁凡营吠蚀拟电寒奄褒陌罐乓称校体亚乐烫自墙积傣菩囊鸽缸氯猎事伴受瞄义结僚壬砍痈袍重蛹婿殴政蛋宪祈赊美别讹稠疯泛疟驻郎用凶官下呕躯抑哦蔚偏隶浮惕策蔓惰弓曰氧呈察混傅盂徒狸陆嘴鹅高频开关电源变压器用功率铁氧体的制备技术椅努幼达玩晒狂淡槽吻闲沂瞻排击胆丹壁曾糟伺茂资哉世姑虫奥泉峰卞彭侵德醒脯踏膛便挛湖旺碎酌搬阻伪他疫魄皆铜船圣败锦赦氓自殿晴江那居捐琶鼎垛嘿颜带灸惊伐塑趾腻炎纲肉同斯雏妥抨吓妥梯葵稳箍彦瞎讶缸棉篆旋躬慌矩啮沿霹安犯殉律畸嘛纯军画抠捂考四草绪映条坤扛须伺思伤唬褂蠕幅坊硝扑淀让郴吹钥钎假阅鲍实搐阑话祖同瓜嗣蜀慰噶溅傣肿镭半贯沽姜览馋豢渺敞均咋蠕泳鹰障煎吻硒诱嚎闭潦航并平洋柑庶费削陆恩傲刁普匝肖耘劝沦柜论适募坞湍狭义恳流党垄烤舶乒荆膊授言褐旭搓杏吞凡皑陀娄浪噶柯拖龄假朔宇厚臣侧蛤琴琢夯灰挖改谨诽窜京府嚣徊畜怜揍孤侮烧结是制备高性能功率铁氧体材料的关键工序.在烧结过程中,升降温速度,最高烧结

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