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文档简介
集成电路工艺和版图设计 概述 Jian Fang IC Design Center, UESTC,IC常用术语,园片:硅片 芯片(Chip, Die): 6、8 :硅(园)片直径:1 25.4mm 6150mm; 8200mm; 12300mm; 亚微米1m的设计规范 深亚微米=0.5 m的设计规范 0.5 m 、 0.35 m 设计规范(最小特征尺寸) 布线层数:金属(掺杂多晶硅)连线的层数。 集成度:每个芯片上集成的晶体管数,IC工艺常用术语,净化级别:Class 1, Class 10, Class 10,000 每立方米空气中含灰尘的个数 去离子水 氧化 扩散 注入 光刻 .,集成电路(Integrated Circuit, IC):半导体IC,膜IC,混合IC 半导体IC:指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路。,半导体IC,双极IC,MOSIC,BiCMOS,PMOS IC,CMOS IC,NMOS IC,MOS IC及工艺,MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . 金属氧化物半导体场效应晶体管,Si,金属,氧化物(绝缘层、SiO2),半导体,MOS(MIS)结构,栅氧化层厚度: 50埃1000埃(5nm100nm) VT阈值电压 电压控制,N沟MOS(NMOS),P型衬底,受主杂质; 栅上加正电压,表面吸引电子,反型,电子通道; 漏加正电压,电子从源区经N沟道到达漏区,器件开通。,N衬底,p+,p+,漏,源,栅,栅氧化层,场氧化层,沟道,P沟MOS(PMOS),VT,VGS,ID,+,-,VDS 0,N型衬底,施主杂质,电子导电; 栅上加负电压,表面吸引空穴,反型,空穴通道; 漏加负电压,空穴从源区经P沟道到达漏区,器件开通。,CMOS,CMOS:Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体特点:低功耗,VSS,VDD,Vo,Vi,CMOS倒相器,PMOS,NMOS,I/O,I/O,VDD,VSS,C,C,CMOS传输门,N-Si,P+,P+,n+,n+,P-阱,D,D,Vo,VG,VSS,S,S,VDD,CMOS倒相器截面图,CMOS倒相器版图,A NMOS Example,pwell,Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal,Ntype Si,SiO2,光刻胶,MASK Pwell,Ntype Si,SiO2,光刻胶,光刻胶,MASK Pwell,Ntype Si,SiO2,光刻胶,光刻胶,SiO2,Ntype Si,SiO2,SiO2,Pwell,pwell,Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,光刻胶,MASK active,MASK Active,Si3N4,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,光刻胶,光刻胶,MASK active,MASK Active,Si3N4,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,光刻胶,光刻胶,Si3N4,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,场氧,场氧,场氧,Pwell,Si3N4,Ntype Si,SiO2,Pwell,场氧,场氧,场氧,Pwell,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,场氧,场氧,场氧,Pwell,poly,active,pwell,Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,MASK poly,场氧,场氧,场氧,Pwell,poly,光刻胶,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,MASK poly,场氧,场氧,场氧,Pwell,光刻胶,poly,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,场氧,场氧,场氧,Pwell,poly,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,场氧,场氧,场氧,Pwell,poly,active,pwell,poly,Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,MASK N+,场氧,场氧,场氧,Pwell,poly,光刻胶,Ntype Si,SiO2,Pwell,SiO2,场氧,场氧,场氧,Pwell,光刻胶,poly,N+ implant,active,pwell,poly,P+ implant,Pwell A
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