实验一存储器读写实验.ppt

实验一 存储器读写实验,一、实验目的 1、复习相关汇编程序及其调试 2、熟悉掌握对RAM的操作,二、预备知识 1、SRAM6116引脚读写操作 2、SRAM 3、常用调试命令,1.HM6116,它是2K*8位的高速静态CMOS随机存取存储器,其基本特征是: （1）高速度-存取时间为100ns/120ns/150ns/200ns(分别以6116-10、6116-12、6116-15、6116-20为标志)。 （2）低功耗运行时间为150mW,空载时为mW。 （3）与TTL兼容。,1.HM6116,（4）管脚收出与标准的2K*8b的芯片（例如，2716芯片兼容）。 （5）完全静态无须时钟脉冲与定时选通脉冲。 （6）HM6116有11条地址线、8条数据线、1条电源线、1条接地线GND和3条控制线片选信号/CE、写允许信号/WE和输出允许信号/OE。,A10A0（address inputs）：地址线，可寻址2KB的存储空间。 D7D0（data bus）：数据线，双向，三态。 /OE （output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。 /WE （write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。 /CE （chip enable）：片选信号，输入，低电平有效。 VCC：5V工作电压。 GND：信号地。,6116的操作方式,6116的操作方式由 /WE、/OE、 /CE 的共同作用决定 写入：当 /WE和/CE 为低电平时，数据输入缓冲器打开，数据由数据线D7D0写入被选中的存储单元。 读出：/OE当 和/CE 为低电平，且 /WE为高电平时，数据输出缓冲器选通，被选中单元的数据送到数据线D7D0上。 保持：当/CE为高电平、 /OE 和 /WE为任意时，芯片未被选中，处于保持状态，数据线呈现高阻状态。,动态调试工具DEBUG 的常用命令,1. U命令(反汇编) 2. G命令(执行) 3. T命令(跟踪执行) 4. D命令(显示内存) 5. R命令(修改寄存器),三、实验内容,1、将字符A-Z逐个存入RAM中，然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。 2、用一片6116作为内存扩展，向8000H：0H至8000H：100H单元的偶地址单元送入0AAH（扩充）,1、将字符A-Z逐个存入RAM中， 然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。,CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE START: JMP START_ DAT DB 26 DUP(?) CHAR DB ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ,RAMDUXIE.ASM,START_: MOV AX,CS ADD AX,10H MOV DS,AX LEA BX,CHAR MOV CX,26 MOV SI,BX LEA BX,DAT MOV DI,0,WRITE: LODSB MOV BYTE PTR BXDI,AL INC DI LOOP WRITE MOV CX,26 LEA BX,DAT MOV SI,BX,READ: LODSB CALL SHOW NOP NOP NOP LOOP READ JMP $,BUSY PROC PUSH DX PUSH AX BUSY1: MOV DX,84H IN AL,DX AND AL,80H JNZ BUSY1 POP AX POP DX RET BUSY ENDP,SHOW PROC NEAR PUSH DX PUSH AX CALL BUSY MOV DX,88H OUT DX,AL POP AX POP DX RET SHOW ENDP CODE ENDS END START,实验现象： 屏幕将显示26个大写的英文字母。 思考题： 按信息的存储方式，RAM分为哪几类， 6116属于哪一类？,2、用一片6116作为内存扩展，向8000H：0H至8000H：100H单元的偶地址单元送入0AAH（扩充）,实验线路连接： （1）本实验用到的主要模块：6116模块、地址及数据总线单元等； （2）数据线接系统数据总线输出单元任意一插座； （3 ）地址接地址总线输出单元的A0A7。,实验程序与流程图,CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE START: MOV CX,50H MOV DI,0 MOV AX,8000H MOV DS,AX MOV ES,AX,WRITE: MOV AL,0AAH STOSB MOV AL,55H STOSB LOOP WRITE MOV CX,50H MOV SI,0000H,READ: LODSW CMP AX,55AAH JNZ NOT_RIGHT LOOP READ MOV AL,R MOV DX,88H OUT DX,AL JMP $,NOT_RIGHT: M