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文档简介
9.3.1 双极型功率晶体管（BJT）,1. 功率管的选择,(1) PCM0.2Pom,(2) |U(BR)CEO|2VCC,(3) ICMVCC/RC,9.3 功率器件与散热,在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系,2二次击穿的影响,二次击穿,一次击穿,S/B曲线,二次击穿现象,二次击穿临界曲线,1. V型NMOS管的结构,结构剖面图,9.3.2 功率MOSFET,2. V型NMOS管的主要特点,(1) 开关速度高,(2) 驱动电流小,(3) 过载能力强,(4) 易于并联,9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：,(1) 输入阻抗高,(2) 工作速度快,(3) 通态电阻低,(4) 阻断电阻高,(5) 承受电流大,兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。,9.3.4 功率器件的散热,晶体管的散热示意图,功率器件的散热分析方法,导电回路和散热回路参数对照表,电热模拟法,即用电路来模拟功率器件的散热回路。,Tj集电结的结温,Tc 功率管的壳温,Ts 散热器温度,Ta 环境温度,Rjc 集电结到管壳的热阻,Rcs 管壳至散热片的热阻,Rsa 散热片至环境的
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